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  • 二次離子質譜儀原理簡介

    二次離子質譜儀原理簡介二次離子質譜儀(Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS)又稱離子探針(Ion Microprobe),是一種利用高能離子束轟擊樣品產生二次離子幵迚行質譜測定的儀器,可 以對固體或薄膜樣品迚行高精度的微區原位元素和同位素分析。由于地學樣品的復雜性和對 精度的苛刻要求,在本領域內一般使用定量精度最高的大型磁式離子探針。該類型的商業化 儀器目前主要有法國Cameca 公司生產的 IMS1270-1300 系列和澳大利亞ASI 公司的 SHRIMP 系列。最近十年來,兩家公司相繼升級各自產品,在靈敏度、分辨率及分析精度 等方面指標取得了較大的提升,元素檢出限達到ppm-ppb 級,空間分辨率最高可達亞微 米級,深度分辨率可達納米級。目前,大型離子探針可分析元素周期表中除稀有氣體外的幾 乎全部元素及其同位素,涉及的研究領域包括地球早期歷叱不古老地殼演化、造山帶構造演 化、巖石圀演化......閱讀全文

    二次離子質譜儀原理簡介

    二次離子質譜儀原理簡介二次離子質譜儀(Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS)又稱離子探針(Ion Microprobe),是一種利用高能離子束轟擊樣品產生二次離子幵迚行質譜測定的儀器,可 以對固體或薄膜樣品迚行高精度的微區原位元素和同位素分析。由于地學樣品的復雜

    二次離子質譜儀簡介

      二次離子質譜( Secondary Ion Mass Spectrometry ,SIMS)是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面,使樣品表面的原子或原子團吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,這些帶電粒子經過質量分析器后就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。[1]  在傳統的SIMS實驗中,高能一次

    扇形磁場二次離子質譜儀簡介

        扇形磁場二次離子質譜儀器通常使用靜電和扇形磁場分析器來進行濺射二次離子的速度和質量分析。扇形磁場使離子束偏轉,較輕的離子會比較重的離子偏轉更多,而較重的離子則具有更大動量。因此,不同質量的離子會分離成不同的光束。靜電場也應用于二次光束中,以消除色差。由于這些儀器具有更高的工作電流和持續光束,

    二次離子質譜儀的質譜原理

      Secondary-ion-mass spectroscope (SIMS)是一種基于質譜的表面分析技術,二次離子質譜原理是基于一次離子與樣品表面互相作用現象(基本原理如圖1所示)。帶有幾千電子伏特能量的一次離子轟擊樣品表面,在轟擊的區域引發一系列物理及化學過程,包括一次離子散射及表面原子、原子

    二次離子質譜儀(SIMS)

    二次離子質譜儀(SIMS)分析方法介紹美信檢測 失效分析實驗室 1.簡介?二次離子質譜儀(secondary ion mass spectroscopy,簡稱SIMS),是利用質譜法分析初級 離子入射靶面后,濺射產生的二次離子而獲取材料表面信息的一種方法。二次離子質譜儀分 析對象包括金屬及合金、半導

    二次離子質譜儀組成介紹

      SIMS主要包括一次離子源、進樣室、質量分析器、真空系統、數據處理系統等部分,對于絕緣樣品還配有電荷補償的電子中和槍,同時根據分析目的不同,還配有不同的離子源,常見的有氣體放電源(如O、Ar、Xe)、表面電離源(如Cs)、熱隙源(如C60)和液態金屬及團簇源(如Bin、Aun、Ga)等。  這是

    離子質譜儀簡介

      離子質譜儀是一種用于食品科學技術、藥學、材料科學領域的分析儀器,于2019年4月25日啟用。  技術指標  1.質譜范圍:1-260amu;2.靈敏度:低質量數Li(7):≥50Mcps/ppm;中質量數Y(89):≥100 Mcps/ppm;高質量數Tl(205):≥80 Mcps/ppm.

    二次離子質譜儀的發展歷史

      自從Dunnoyer 第一次發現離子在真空中沿直線運動已經有100年的歷史,自此以后,分子束的應用在二十世紀持續到二十一世紀,它為重大技術進步和基礎研究奠定了基礎,分子束用于濺射源是其中應用之一。  盡管在是十九世紀中葉濺射的現象已經觀察到,直到十九世紀四十年代,隨著真空技術的進步,Herzog

    離子阱質譜儀簡介

    ? ? ? ?在離子阱質譜儀中,可以捕獲離子,因此也可以積累離子。離子阱技術具有無法比擬的高靈敏度和快速數據采集能力。將離子阱技術與數據依賴性采集技術(data-dependent acquisition)結合起來,我們就能進行高通量的質譜檢測。不過,離子阱質譜儀的分辨率有限,捕獲離子的能力不高,再

    TOFSIMS(飛行時間二次離子質譜儀)的工作原理

    1. 利用聚焦的一次離子束在樣品上進行穩定的轟擊,一次離子可能受到樣品表面的背散射(概率很小),也可能穿透固體樣品表面的一些原子層深入到一定深度,在穿透過程中發生一系列彈性和非彈性碰撞。一次離子將其部分能量傳遞給晶格原子,這些原子中有一部分向表面運動,并把能量傳遞給表面離子使之發射,這種過程成為粒子

    質譜儀離子分子反應質譜儀技術原理

    技術原理?  離子分子反應質譜儀采用軟電離方法,利用帶有不連續能級的帶電離子與樣品氣體分子發生離子分子反應,帶正電荷的原子離子與包含待測分子的中性氣流中的分子發生低能量碰撞,碰撞所產生的分子離子后續通過四極質量過濾器進行分離,通常的質量范圍為7至519amu。?  在電離過程中,為了能夠使樣品氣體分

    關于二次離子質譜儀操作模式的介紹

      SIMS大致可以分為“動態二次離子質譜”(D-SIMS)"和“靜態二次離子質譜“(S-SIMS)兩大類。雖然工作原理上它們并無本質差別,但是兩種模式的應用特點卻有所不同。一次離子束流密度大小是劃分兩種模式的主要標準。一般在S-SIMS模式下,一次離子束流被控制在1013離子/cm2,常用飛行時間

    二次離子質譜儀對分析物的要求

      在二次離子的常規檢測中,可以用于分析的樣品可以固體,也可以是粉末、纖維、塊狀、片狀、甚至液體(微流控裝置)。如果從導電性考慮,這些樣品可以是導電性好的材料,也可以是絕緣體或者半導體。從化學組成上來分,可以是有機樣品,如高分子材料、生物分子,也可以是無機樣品,如鋼鐵、玻璃、礦石等。

    簡述二次離子質譜儀的應用領域

      當前二次離子質譜領域發展迅速,在半導體制造中元素摻雜,薄膜的組分測量和其他無機材料,宇宙中同位素比例,地球中微量元素等領域具有非常重要應用。  通過二次離子質譜的深度剖析來分析材料薄膜結構是一種獨特的分析手段,尤其是對于分析不同薄層中的材料,以及相鄰兩層之間材料的相互影響 分析亞微米尺度下的特征

    二次離子質譜法的簡介

    二次離子質譜法是指當初級離子束(Ar+,O2+,N2+, O-,F-,N -或Cs+等) 轟擊固體試樣表面時,它可以從表面濺射出各種類型的二次離子,利用離子在電場,磁場或自由空間中的運動規律,通過質量分析器,可以使不同質荷比的離子分開,經分別計數后可得到二次離子強度-質荷比關系曲線的分析方法。

    等離子體質譜儀簡介

    等離子體質譜儀指標信息1.元素分析范圍在85種以上,同時測定?2.檢出限在ppf及亞ppq數量級?3.精度≤1% 4.線性范圍寬在108內?5.同時測定主成分和微量成分等離子體質譜儀儀器類別0303071402 /儀器儀表?/成份分析儀器?/質譜儀等離子體質譜儀機組簡介包括三大類,具體檢測項目如下:

    飛行時間二次離子質譜儀(TOFSIMS)

    飛行時間二次離子質譜儀(TOF-SIMS)介紹美信檢測失效分析實驗室?【摘要】飛行時間二次離子質譜儀(Time FlightSecondary Ion Mass Spectrometry, TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術,通過用一次離子激發樣品表面,打出極其微 量的二次離子,根據二次

    質譜儀離子分子反應質譜儀技術原理及特點

    技術特點?  1) 利用三種低能級的源離子(Hg+、Xe+、Kr+),避免了樣品氣體分子的碎片化?  2) 具有優異的選擇性,極大的消除了不同成分間的交叉干擾,特別適用于復雜混合物的實時連續動態檢測?  3) 能夠同時檢測ppb、ppm濃度級別的氣體組分和百分比級別的氣體組分,寬動態范圍內的在線氣體

    二次離子譜儀的簡介

    中文名稱二次離子譜儀英文名稱secondary ion spectrometer定  義適用于元素的表面分布、深度分布的微區分析的能譜儀。應用學科機械工程(一級學科),分析儀器(二級學科),能譜和射線分析儀器-能譜和射線分析儀器儀器和附件(三級學科)

    離子分子反應質譜儀技術原理

    技術原理?  離子分子反應質譜儀采用軟電離方法,利用帶有不連續能級的帶電離子與樣品氣體分子發生離子分子反應,帶正電荷的原子離子與包含待測分子的中性氣流中的分子發生低能量碰撞,碰撞所產生的分子離子后續通過四極質量過濾器進行分離,通常的質量范圍為7至519amu。?  在電離過程中,為了能夠使樣品氣體分

    質譜儀器的原理簡介

      用來測量質譜的儀器稱為質譜儀,可以分成三個部分:離子化器、質量分析器與偵測器。其基本原理是使試樣中的成分在離子化器中發生電離,生成不同荷質比的帶正電荷離子,經加速電場的作用,形成離子束,進入質量分析器。在質量分析器中,再利用電場或磁場使不同質荷比的離子在空間上或時間上分離,或是透過過濾的方式,將

    二次離子質譜儀器核心技術項目通過驗收

      2011年6月21日,由中國地質科學院地質研究所北京離子探針中心牽頭,聯合了中國計量科學研究院、復旦大學、中國科學院大連化學物理研究所和北京普析通用儀器有限責任公司等單位共同承擔的國家科技支撐計劃課題“二次離子質譜儀器核心技術及關鍵部件研究與開發”(編號:2006BAK03A21)在京

    幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術

    幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術?本文簡要敘述法國CAMECA公司,德國IONTOFGmbH 公司新型的NanoSIMS50 IMSWFIMSSCUITRATOFSIMSIV 型二次離子質譜的特色,著重介紹這些儀器改進過的和新增加的 儀器部件的原理、性能及功用。關鍵詞?二次離子質譜?飛行時間二次

    關于飛行時間二次離子質譜儀的介紹

      飛行時間二次離子質譜儀(ToF-SIMS)。在此類質譜儀中,二次離子被提取到無場漂移管,二次離子沿既定飛行路徑到達離子檢測器。由于給定離子的速度與其質量成反比,因此它的飛行時間會相應不同,較重的離子到達檢測器的時間會比較輕的離子更晚。此類質譜儀可同時檢測所有給定極性的二次離子,并具有極佳質量分辨

    幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術

    幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術 本文簡要敘述法國CAMECA公司,德國IONTOFGmbH 公司新型的NanoSIMS50 IMSWFIMSSCUITRATOFSIMSIV 型二次離子質譜的特色,著重介紹這些儀器改進過的和新增加的 儀器部件的原理、性能及功用。關鍵詞 二

    二次離子質譜的原理

    ??? 二次離子質譜是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器,它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面,使樣品表面的分析吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,通過質量分析器收集、分析這些二次離子,就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。它利用電子光學方法把惰性氣體等初級離子加速并聚焦成細小的高能離子束轟擊樣品表

    關于四級桿二次離子質譜儀器的介紹

        由于這些儀器的質量分辨率相對有限(單位質量分辨率不能解決每超過一個峰值的質量),因此這些儀器越來越稀有。四級桿利用一個共振電場,其中只有特定質量的離子才能穩定通過震蕩場。與扇形磁場儀器相類似的是,這些儀器需要在高一次離子電流下操作,且通常被認為是“動態二次離子質譜”儀器(比如用于濺射深度剖析

    一單位880萬采購飛行時間二次離子質譜儀

      某單位飛行時間二次離子質譜儀采購項目公開招標公告  項目概況 某單位飛行時間二次離子質譜儀采購項目 招標項目的潛在投標人應在http://www.oitccas.com/獲取招標文件,并于2023年10月30日13點30分(北京時間)前遞交投標文件。  一、項目基本情況  項目編號:OITC-G

    等離子體質譜儀之機組簡介

    等離子體質譜儀之機組簡介包含三大類:  1、等離子體質譜儀之材料類:  a、室內裝飾、裝修材料中的可溶性重金屬、游離甲醛、揮發性有機化合物、苯、甲苯、二甲苯等;  b、電子、通訊材料還有別的包裝材料中的無機污染物以及有機污染物;  c、醫療器械還有別的包裝材料中的有害物質以及化學成分。?  2、等離

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