微波混合集成電路電路射頻裸芯片封裝的方法（二）
用 E5071C 矢量網絡分析儀對低噪聲放大器進行噪聲系數曲線和增益曲線測試，測試結果如圖 4 和圖 5 所示。 圖 4 表面封裝前后 Ku 頻段低噪聲放大器的噪聲系數曲線 圖 5 表面封裝前后 Ku 頻段低噪聲放大器的增益曲線 從圖 4 和圖 5 可以看出，EGC-1700 無色防潮保護涂層封裝后低噪聲放大器的常溫噪聲有一定程度上升，增益均有一定程度的下降，其中噪聲上升約 0.3 dB，增益下降約 0.4 dB。但噪聲系數曲線和增益曲線的走勢與封裝前較一致。 2.2 交變濕熱后的低噪聲放大器性能 按照 GJB150.9A-2009 軍用裝備實驗室環境試驗方法第 9 部分：濕熱試驗，對 EGC-1700 無色防潮保護涂層封裝后的低噪聲放大器進行交變濕熱試驗，結束后用 E5071CC 網絡矢量分析儀對低噪聲放大器的噪聲系數和增益進行測試......閱讀全文
微波混合集成電路電路射頻裸芯片封裝的方法－（二）
用 E5071C 矢量網絡分析儀對低噪聲放大器進行噪聲系數曲線和增益曲線測試，測試結果如圖 4 和圖 5 所示。 圖 4 表面封裝前后 Ku 頻段低噪聲放大器的噪聲系數曲線 圖 5 表面封裝前后 Ku 頻段低噪聲放大器的增益曲線 ? 從圖 4 和圖 5 可以看出，E
微波混合集成電路電路射頻裸芯片封裝的方法－（一）
對微波混合集成電路射頻裸芯片表面封裝工藝進行了研究。研究結果發現，通過對關鍵工藝點的控制，具有良好性能的 EGC-1700 無色防潮保護涂層可以實現在 X 波段的應用。對射頻裸芯片的表面采用 EGC-1700 無色防潮保護涂層涂覆的低噪聲放大器進行了濕熱試驗和高低溫貯存試驗，發現其關鍵
射頻芯片工作原理、射頻電路分析－（二）
? 3)濾波器： ? 結構：手機中有高頻濾波器、中頻濾波器。 作用：濾除其他無用信號，得到純正接收信號。后期新型手機都為零中頻手機;因此，手機中再沒有中頻濾波器。 ? 4)高放管(高頻放大管、低噪聲放大器)： ? 結構：手機中高放管有兩個：900M高放管、180
射頻芯片工作原理、射頻電路分析－（一）
一部可支持打電話、發短信、網絡服務、APP應用的手機，通常包含五個部分：射頻、基帶、電源管理、外設、軟件。 ? 射頻：一般是信息發送和接收的部分; 基帶：一般是信息處理的部分; 電源管理：一般是節電的部分，由于手機是能源有限的設備，所以電源管理十分重要; 外設：一般包括LC
無線產品射頻電路設計的科學方法（二）
3、PCB聯合仿真階段：原理圖設計其實是一種很理想的狀況，它并沒有考慮到器件的寄生效應以及PCB微帶線的耦合效應。因此科學的做法是需要將設計好的PCB導入到ADS Momentum里面進行電磁場仿真，并重新調整優化匹配元件值。根據RF sister多年的經驗，如果模型和仿真設置得足夠正常的話
射頻典型電路講解及分析（二）
基本構成電路分析 鑒相器（Phase Detector） 電荷泵——環路低通濾波器 （Charge Pump——Loop Filter ） 壓控振蕩器（Voltage Controlled Oscillator） 分頻器（DIV） VCO的選擇要素 Hi
如何提高芯片級封裝集成電路的熱性能？
在便攜式電子市場，電源管理集成電路（PMIC）正在越來越多地采用球柵陣列（BGA）封裝和芯片級封裝（CSP），以便降低材料成本，改進器件的電性能（無焊線阻抗），并且實現更小的外形尺寸。但是這些優勢的取得并不是沒有其他方面的妥協。芯片級封裝的硅片不再直接與用于導電和導熱的較大散熱板（E-P
射頻芯片與基帶芯片的工作原理及關系－（二）
原理： ? a. 供電：900M/1800M 兩個高放管的基極偏壓共用一路，由中頻同時路提供;而兩管的集電極的偏壓由中頻 CPU 根據手機的接收狀態命令中頻分兩路送出;其目的完成 900M/1800M 接收信號切換。 ? b. 經過濾波器濾除其他雜波得到純正 935M-960M
射頻電路設計常見問題盤點（二）
2）RF 與 IF 走線應盡可能走十字交叉，并盡可能在它們之間隔一塊地：? ? 正確的 RF 路徑對整塊 PCB 板的性能而言非常重要，這也就是為什么元器件布局通常在手機 PCB 板設計中占大部分時間的原因。? ? 在手機 PCB 板設計上，通常可以將低噪音放大器電路放在 PC
開關電源芯片內部電路解析（二）
最后詳細的電路設計圖，如圖5。?圖5?這里有個技術難點是在電流模式下的斜坡補償，針對的是占空比大于50%時為了穩定斜坡，額外增加了補償斜坡，我也是粗淺了解，有興趣同學可詳細學習。??誤差放大器??誤差放大器的作用是為了保證輸出恒流或者恒壓，對反饋電壓進行采樣處理。從而來調節驅動MOS管的PWM，如圖
高速數字電路封裝電源完整性分析（二）
從圖4的測量結果，我們可以考到三種結構的GBN行為有很大的差異。首先考慮只有單一Pkg時的S參數，在1.3Ghz之前的行為像一個電容，在1.5Ghz后才有共振模態產生；考慮單一PCB，在0.5Ghz后就有共振模態產生，像0.73Ghz（TM01）、0.92Ghz(TM10)、1.17Gh
芯片產業鏈上市公司盤點之封裝測試與封測設備篇
一、封裝測試及所需設備在全產業鏈中所處位置半導體產業鏈可大致分為設計、晶圓制造與封裝測試三大環節，芯片設計環節產出各類芯片的設計版圖，晶圓制造環節根據設計版圖進行掩膜制作，形成模版，并在晶圓上進行加工，封裝測試環節對生產出來的合格晶圓裸晶進行切割、焊線、塑封，并對封裝完成的芯片進行性能測試。早期多數
BGA集成電路的封裝特點
BGA(ball grid array)集成電路球形觸點陣列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點用 以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陣列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得
Cerdip集成電路的封裝特點
Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
Cerquad集成電路的封裝特點
Cerquad集成電路，表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm
DFP集成電路的封裝特點
DFP(dual flat package)雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。
DIP集成電路的封裝特點
DIP(dual in-line package)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為
DICP集成電路的封裝特點
DICP(dual tape carrier package)集成電路雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI，但多數為 定制品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于
FQFP集成電路的封裝特點
FQFP(fine pitch quad flat package)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。
JLCC集成電路的封裝特點
JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。
LCC集成電路的封裝特點
LCC(Leadless chip carrier)無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
MFP集成電路的封裝特點
MFP(mini flat package)小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。
MQUAD集成電路的封裝特點
MQUAD(metal quad)美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司于1993 年獲得特許開始生產 。
MSP集成電路的封裝特點
MSP(mini square package)QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。
OPMAC集成電路的封裝特點
OPMAC(over molded pad array carrier)模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。
PAC集成電路的封裝特點
PAC(pad array carrier)凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。
PCLP集成電路的封裝特點
PCLP(printed circuit board leadless package)印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。
PFPF集成電路的封裝特點
PFPF(plastic flat package)塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名稱。
PGA集成電路的封裝特點
PGA(pin grid array)集成電路陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用于高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了
QFP集成電路的封裝特點
QFP(quad flat package)四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器，門陳列等