InGaAsSb半導體激光器歐姆接觸的研究

本文主要研究了InGaAsSb半導體激光器的歐姆接觸特性。在對課題的研究背景、國內外發展狀況進行簡單的介紹的基礎上,闡述了半導體激光器系統和Ⅲ-Ⅴ族材料的性質,并詳述了InGaAsSb半導體激光器的主要用途、優勢以及目前的研究進展。分析了金屬與半導體整流接觸及歐姆接觸的相關原理,設計了一種GaSb基半導體材料歐姆接觸的金屬化結構。論文詳細討論了n型GaSb的歐姆接觸形成機理,以及形成歐姆接觸的過程中遇到的元素原子間互擴散所引起的可靠性問題,提出在勢壘層和接觸層中加入擴散阻擋層,并用掃描隧道顯微鏡和X射線能譜儀對擴散阻擋效果進行了測試和分析。在實驗方面,分別對擴散阻擋層厚度、退火溫度對歐姆接觸影響進行了實驗,研究了樣品金屬化后樣品表面形態及各層原子間的擴散情況,重點分析了擴散阻擋層Mo對樣品表面形態變化及各層元素原子間擴散影響。在以上的工作中,我們初步看到,擴散阻擋層的添加,對歐姆接觸有著一定的改善作用。本項研究為提高InGaAsSb半導體激光器的整體性能有著積極的作用。