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  • 發布時間:2009-05-04 03:22 原文鏈接: X射線光電子能譜儀

      X射線光電子能譜儀  儀器名稱:X射線光電子能譜儀  產品型號:Kratos AXIS Ultra DLD  生產廠家:日本島津-KRATOS公司
      儀器介紹:
      Kratos AXIS Ultra DLD型號的X射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS),可使用單色化Al靶X射線源及雙陽極Al/Mg靶X射線源,包括大面積XPS,微區XPS及XPS平行成像,場發射俄歇電子能譜(Auger Electron Spectroscopy,AES);紫外光電子能譜(Ultra-violet electron Spectroscopy,UPS)。
      Kratos AXIS Ultra DLD可以提供有關樣品表面和界面1-10nm的化學信息。可以一次全分析除氫、氦以外的所有原子百分比(at%)大于0.1%的元素,并可以對元素相對含量進行半定量分析(準確度約10%)。最具有特色的是可以測定元素的化學價態及化學環境的影響,并通過角度關系XPS (Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy,ARXPS)可以提供約10nm的無損深度剖析(non-destructive depth profiling);此外,Ar離子剝離法可以提供約100nm的有損深度剖析(destructive depth profiling)和樣品表面清潔。
      主要特點:  1. 采用平均半徑165mm的半球型扇形能量分析器(Hemispherical Sector Analyzer,HSA)和180°球鏡能量分析器(Spherical Mirror Analyzer,SMA)。提高光電子的傳輸效率,增加能量分辨率。  2.羅蘭圓直徑500mm的大束斑Al單色X射線源和內置掃描板的多組元靜電透鏡。不移動X射線照射束斑和樣品,通過直接改變光電子的采集區域達到選區分析的目的。只要保證加在掃描板上的偏壓電路保持穩定,則采樣區域的重復就可以得到保證。  3.專利的磁沉浸透鏡和專利的低能電子荷電中和系統。由于大面積的X射線照射使得光電子發射相對分散,而且螺旋狀升降的電子云會全方位地補償荷電效應,從而可以在操作上只需設置一個“普適”的中和參數,就可以適用于99%以上的絕緣樣品。  4.采用了新一代的128通道的高效率檢測器——延遲線檢測器(Delay-Line Detector,DLD),使得該儀器可以超快速分析,實現收譜、成像、快拍(Snap Shot)功能。成像模式能夠提供256×256像素、空間分辨率小于3μm的二維圖像。
      性能指標:  1.X射線源
    • 靶:單色化Al靶、雙陽極Al/Mg靶
    • 功率:450W(最大)
      2.真空系統
    • 樣品分析室(SAC):小于5×10-10 Torr(最低壓強)
    • 樣品處理室(STC):小于5×10-9 Torr(最低壓強)
      3.大面積XPS分析區域
    • 單色器Al靶:700×300μm
    • 雙陽極Al/Mg靶:2000×800μm
      4.微區XPS分析區域
    • 110μm,55μm,27μm和15μm
      5.離子槍
    • 離子源:Ar
    • 束流:5μA(最大)
      6.UPS
    • 光源:He紫外光源
    • He(I)/He(II)比例: 4:1
    • 功率:30W(最大)
      7.AES
    • 電子槍:Schottky場發射
    • 電子能量:10keV(最大)

      技術參數:
      1.XPS
    • 能量分辨率:0.48eV/(Ag 3d5/2)
    • 0.68eV/(C 1s)
    • 最小分析區域(收譜) <15μm
    • 靈敏度:大面積 11,800kcps;110μm 1,800kcps;27μm 100kcps
    • 成像空間分辨率:小于3μm
      2.UPS
    • 能量分辨率:Ag表面費米邊在20%到80%結合能差不高于120meV
    • 靈敏度:Ag 4d峰不低于1,000kcps
      3.AES
    • 靈敏度: 大于500kcps(10kV/5nA時Cu的LMM峰)
    • 信噪比:500:1
      4.SEM
    • 分辨率:在10kV/5nA時優于100nm
    • 在3kV/5nA時優于300nm

      主要功能及應用領域:  主要用于固體材料的表面元素成份及價態的定性、半定量分析,固體表面元素組成的深度剖析及成像。可應用于金屬、無機材料、催化劑、聚合物、涂層材料礦石等各種材料的研究,以及腐蝕、摩擦、潤滑、粘接、催化、包覆、氧化等過程的研究。  主要附件:UPS、AES、SEM
      送樣要求:
      1.樣品分析面確保不受污染,可使用異丙醇,丙酮,正己烷,或三氯甲烷溶液(均為分析純)清洗以達到清潔要求。  2.使用玻璃制品(如表面皿、稱量瓶等)或者鋁箔盛放樣品,禁止直接使用塑料容器、塑料袋或紙袋,以免硅樹脂或纖維污染樣品表面。  3.制備或處理樣品時使用聚乙烯手套,禁止使用塑料手套和工具以免硅樹脂污染樣品表面。
      放置地點:朝暉校區圖書館東一樓  聯系電話: 0571-88871096  Email:huanzhou@zjut.edu.cn

      X射線光電子能譜分析(XPS)送樣須知
      1.氫、氦元素不能檢測;  2.樣品要求:  (a) 無磁性;  (b) 無放射性;  (c) 無毒性;  (d) 無揮發性物質(如單質Na, K, S, P, Zn, Se, As, I, Te, Hg或者有機揮發物),避免對高真空系統造成污染;不大量放氣(尤其腐蝕性氣體);若含有高揮發性分子或者coating,請務必先自行烘烤抽除;  (e) 厚度小于2mm;  (f) 固體薄膜或塊狀固體樣品切割成面積大小為5mm×8 mm;  (g) 粉末樣品最好壓片(直徑小于8mm),如無法成形,粉末要研細,且不少于0.1g;
      3.樣品處理注意事項:
      (a) 樣品分析面確保不受污染,可使用異丙醇,丙酮,正己烷,或三氯甲烷溶液(均為分析純)清洗以達到清潔要求;  (b) 使用玻璃制品(如表面皿、稱量瓶等)或者鋁箔盛放樣品,禁止直接使用塑料容器、塑料袋或紙袋,以免硅樹脂或纖維污染樣品表面;  (c) 制備或處理樣品時使用聚乙烯手套,禁止使用塑料手套和工具以免硅樹脂污染樣品表面;
      4.有關檢測結果的分析,中心提供分析軟件和手冊,指導用戶根據樣品情況自行處理。
      5.送樣前請先根據樣品測試要求填好“XPS樣品信息登記表”,表格下載從中心網站表格下載處下載。

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