金屬有機框架材料的電致阻變效應研究獲系列進展
基于電致阻變效應的電阻型隨機存儲器（RRAM）具有非易失性、結構簡單、低功耗、高密度、快速讀寫等優勢，被認為是最具發展潛力的新興存儲技術之一。同時，隨著可穿戴電子器件的快速發展，研發柔性電致阻變材料和柔性阻變存儲器尤其值得關注。 中國科學院磁性材料與器件重點實驗室（寧波材料技術與工程研究所）研究員李潤偉領導的研究團隊早期分別研究了無機和有機材料的阻變效應及其機理，比如在BiFeO3【Appl. Phys. Lett. 97, 042101(2010)】、ZnO【Adv. Mater., 24, 3941 (2012)】、HfO2【Adv. Funct. Mater. 24, 2110（2014）】、氧化石墨烯【Appl. Phys. Lett. 95，232101(2009)， J. Mater. Chem. 22, 16422(2012)】、聚西佛堿（PA-TsOH）【J. Am. Chem. Soc, 134, 174......閱讀全文
金屬有機框架材料的電致阻變效應研究獲系列進展
基于電致阻變效應的電阻型隨機存儲器（RRAM）具有非易失性、結構簡單、低功耗、高密度、快速讀寫等優勢，被認為是最具發展潛力的新興存儲技術之一。同時，隨著可穿戴電子器件的快速發展，研發柔性電致阻變材料和柔性阻變存儲器尤其值得關注。 中國科學院磁性材料與器件重點實驗室（寧波材料技術與工程研究所）研
金屬有機框架材料的電致阻變效應研究獲系列進展
基于電致阻變效應的電阻型隨機存儲器（RRAM）具有非易失性、結構簡單、低功耗、高密度、快速讀寫等優勢，被認為是最具發展潛力的新興存儲技術之一。同時，隨著可穿戴電子器件的快速發展，研發柔性電致阻變材料和柔性阻變存儲器尤其值得關注。 中國科學院磁性材料與器件重點實驗室（寧波材料技術與工程研究所）研
阻變存儲器是什么？
伴隨著科學的發展和技術的進步，新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會，在今天，電阻存儲器的研究已經非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點，具體地說，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝，也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造，所以它具
阻變存儲器是什么？
伴隨著科學的發展和技術的進步，新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會，在今天，電阻存儲器的研究已經非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點，具體地說，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝，也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造，所以它具有非
關于壓阻式傳感器的壓阻效應的介紹
當力作用于硅晶體時，晶體的晶格產生變形,使載流子從一個能谷向另一個能谷散射,引起載流子的遷移率發生變化，擾動了載流子縱向和橫向的平均量，從而使硅的電阻率發生變化。這種變化隨晶體的取向不同而異，因此硅的壓阻效應與晶體的取向有關。硅的壓阻效應不同于金屬應變計（見電阻應變計），前者電阻隨壓力的變化主要
溫室效應“禍首”變能源
全球排放的大量二氧化碳導致了溫室效應等問題,科學界一直在探索如何將空氣中過量的二氧化碳回收并轉化。上海高研院研制相關高科技裝置，讓甲烷與二氧化碳“攜手重生”，變廢為寶。近日，全球首套萬方級甲烷二氧化碳自熱重整制合成氣裝置，在山西潞安集團煤制油基地實現穩定運行超過1000小時，日產合成氣高達20多
阻變材料探索與機理研究方面取得系列進展
基于電致電阻效應的電阻型隨機存儲器(RRAM)是一種極具發展潛力的新興存儲技術，具有非易失性、低功耗、超高密度、快速讀寫等優勢。目前開展穩定的新型電致電阻材料的探索以及阻變機理研究非常重要，也是當前的一個研究熱點。 中科院寧波材料技術與工程研究所李潤偉研究團隊較早地開展了阻變材料
快速溫變試驗典型的物理、化學效應
快速溫變試驗適用于電子元氣件的安全性能測試提供可靠性試驗、產品篩選試驗等?同時通過此試驗?可提高產品的可靠性和進行產品的質量控制。快速溫變試驗是航空、汽車、家電、科研等領域必備的測試考核和確定電工、電子、汽車電器、材料等產品在進行高低溫試驗的溫度環境沖擊變化后的參數及性能使用的適應性，適用于學校、工
微電子所揭示阻變存儲器失效機制
近日，中國科學院微電子研究所劉明課題組在阻變存儲器（RRAM）研究方向取得新進展，揭示了陽離子基阻變存儲器復位失效現象的微觀機制，通過增加離子阻擋層，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日發表在《先進材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201
心理所發現心理臺風眼效應的“卷入”變式
據2013年美國地質調查報告（USGS, 2013）顯示，中國是世界上最大的鉛、鋅生產國。然而，鉛鋅礦的開采和冶煉活動亦是重金屬污染的重要來源(Horvath & Gruiz, 1996； Tong, Schirnding, & Prapamontol, 2000)，對環境健康構成重大威脅。令人
新憶阻器可在電阻開關自整流效應和電容相互切換
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519871.shtm探索基于硬件的加密方法是增強數據安全性的途徑之一，憶阻器具有強大的邏輯計算能力、更高的集成密度和極低的功耗，被認為是最有前途的下一代電子器件之一。西安交通大學前沿科學技術研究院邵金友教
物理所等在阻變存儲器研究中取得進展
阻變存儲器是利用薄膜材料在電激勵條件下薄膜電阻在不同電阻狀態（高阻態和低阻態）之間的互相轉換來實現數據存儲的，具有單元尺寸小、讀寫速度快、功耗低、制備工藝和器件結構簡單等優點。理解高低組態相互轉化的微觀機制對于設計和優化阻變存儲器是至關重要的。目前，對于導電橋類型的阻變存儲器的阻態翻轉機理，如導
阻變存儲器存算一體芯片研究取得進展
邊緣端人工智能（AI）硬件憑借其低延遲、高能效和強隱私性等優勢，得到廣泛關注與應用。在功耗嚴格受限的邊緣端部署AI硬件，不僅需要高能效以滿足功耗約束，還需要高并行度以提升實時性能。基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體和近閾值計算作為兩種高效能計算范式，有望在實現高能效、高并行的AI硬件中發揮關鍵
熱阻濕阻測試儀測試織物材料熱阻濕阻解析
熱濕舒適性是人們除了基本的遮體、保暖、防寒以外對織物較高的要求。熱阻濕阻作為衡量織物舒適性的指標具有重要的意義。熱阻能夠表征材料的熱量傳遞性能，熱阻大的面料具有較好的防寒作用。而夏天我們傾向于選擇濕阻較小的衣物，這樣的衣服穿著時，能及時將人體排出的濕氣散去，給人干爽的感覺。 熱阻濕阻測試儀
微電子所在阻變存儲器研究中取得新進展
近日，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術研究室在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學協會ACS Nano雜志在線報道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R
中科院金屬所研發出新型門可調阻變存儲器
近期，中國科學院金屬研究所（以下簡稱金屬所）沈陽材料科學國家研究中心與國內多家單位合作，研究團隊通過設計二維半導體與二維鐵電材料的特殊能帶對齊方式，將金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝，首次構筑了基于垂直架構的門電壓可編程的二維鐵電存儲器。相關研究成果11
蠶絲蛋白注入－讓新型的光響應性阻變存儲器可降解
高等研究院周曄研究員以蠶絲蛋白為材料主體，水溶性碳量子點為光調控單元，并結合簡易的三明治器件結構，構筑了一種新型的光響應性阻變存儲器。 該存儲器展現出存儲窗口大（106）、耐受性好、穩定性好（106 s）等優點。同時，在紫外光照射條件下，存儲器的開啟電壓會顯著下降（1.2 V），見圖1。圖1.
我國科學家在阻變存儲器集成應用研究獲進展
中國科學院微電子研究所劉明團隊在1Mb 28nm嵌入式阻變存儲器測試芯片以及8層堆疊的高密度三維阻變存儲器陣列研究方面取得新進展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版圖；（b）28nm RRAM單元TEM界面圖8層堆疊RRAM截面圖 以RRAM和MRAM為代表的新型存儲器被認為是28nm及后
微電子所在阻變存儲器研發與平臺建設方面取得進展
日前，中科院微電子研究所在阻變存儲器與大生產CMOS工藝集成研究上取得進展。 阻變存儲器（RRAM）是近些年興起的新型不揮發存儲技術，具有單元尺寸小、速度快、功耗低、工藝及器件結構簡單和可嵌入功能強等優點，是國際上公認的32nm節點以下主流存儲器技術的有力競爭者之一。微電子所納
微電子所在阻變存儲器微觀機制研究中取得系列進展
日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）在阻變存儲器微觀機制研究中取得系列進展。 阻變隨機存儲器(RRAM)具有結構簡單、高速、低功耗、易于3D集成等優勢，是下一代高密度非易失性存儲器的有力競爭者之一。然而，阻變機制的不清晰阻礙了RRAM的快速發展。從最基
微電子所在阻變存儲器與鐵電FinFET研究中取得進展
近日，2018國際電子器件大會（IEDM）在美國舊金山召開。會上，中國科學院院士、中國科學院微電子研究所研究員劉明團隊展示了28納米嵌入式阻變存儲器可靠性優化以及基于HfZrO鐵電FinFET器件的最新研究成果。 對于新型存儲器RRAM，初始電形成過程會增加電路設計復雜度，帶來可靠性問題，一直
我國學者在阻變器件電流保持特性調控研究中取得新進展
近日，中國科學院微電子研究所劉明院士團隊及其合作者（中國科學院上海微系統與信息技術研究所狄增峰課題組、武漢大學肖湘衡課題組等）在陽離子基阻變器件電流-保持特性調控上取得重要進展。圖1：石墨烯缺陷工程調控所得高驅動電流、低保持特性易失性選擇器及低操作電流、高保持特性非易失性存儲器的特征I-V曲線
熱阻濕阻測試儀的相關介紹
熱阻濕阻測試儀用于測試服裝紡織品的耐熱性能，通過測試，以確保最終產品在出汗情況下依然穿著舒適。 人體皮膚模擬試驗板、自動供水系統、風速穩定系統、試驗主機和氣候箱采用完全分離設計，更便于控制。 在測試過程中，可根據測試樣品的厚度自動調整加熱板的高度，以確保加熱板保持水平。 連接軟件后，可進行
微電子所在面向應用的阻變存儲器研究中取得新進展
日前，中國科學院微電子研究所在面向應用的阻變存儲器研究上取得新進展。 阻變存儲器(RRAM)是非揮發性存儲器的一種重要的替代方案，具有工藝及器件結構簡單、微縮性好、高速、低功耗、可嵌入功能強等優點。微電子所納米加工與新器件集成技術研究室科研人員在前期建立新材料、新結構及與大生產CMOS集成
鉤狀效應的效應
前帶、后帶效應從圖中可見，曲線的高峰部分是抗原抗體分子比例合適的范圍，稱為抗原抗體反應的等價帶（zone of equivalence）。在此范圍內，抗原抗體充分結合，形成的沉淀物最多，表明抗原與抗體濃度的比例最為合適，稱為最適比（optimalratio）。在等價帶前后分別為抗體、抗原過剩則影響沉
電光效應的效應特點
某些晶體，特別是壓電晶體，在外加電場的作用下，改變了原先各向異性的性質（如沿原先光軸的方向產生了附加的雙折射效應），這種電光效應稱為普克耳斯效應。普克爾斯效應與克爾效應相比，有以下特點：a）具有泡克耳斯效應的透明介質一般為晶體；b）普克爾斯效應是線性電光效應，由附加雙折射效應所引起的o光和e光的相位
電光效應的效應特點
某些晶體，特別是壓電晶體，在外加電場的作用下，改變了原先各向異性的性質（如沿原先光軸的方向產生了附加的雙折射效應），這種電光效應稱為普克耳斯效應。普克爾斯效應與克爾效應相比，有以下特點：a）具有泡克耳斯效應的透明介質一般為晶體；b）普克爾斯效應是線性電光效應，由附加雙折射效應所引起的o光和e光的相位
阻旋式料位計
阻旋式料位計，即阻旋式料位控制器，有簡稱“料位器”、“料位計”、“料位開關”、“物位開關”、“料位儀”、“料位傳感器”等，主要用于各種物料（如粉狀、顆粒狀或塊狀）料倉極限料位的自動檢測與控制，不同型號的料位器可滿足不同工況的要求，在冶金、糧食、面粉，建材，水泥、電力、煤炭、化工、鑄造、橡膠、環保
鉗形接阻儀與樁式地阻儀優勢
鉗形接地電阻測試儀廣泛應用于電力、電信、氣象、油田、建筑及工業電氣設備等的接地電阻測量、回路電阻測量。在測量有回路的接地系統時，不需斷開接地引下線，不需輔助電極，快速可靠。ETCR鉗形接地電阻測試儀能測量出用傳統方法無法測量的接地故障，能應用于傳統方法無法測量的場合。可以測量傳統方法無法測量的接地故
伏阻法，安阻法測電阻為什么會產生誤差
準確的說兩者都要用，在伏安法中，不論是內接電流表還是外接電流表，都會有誤差。在內接電流表中，電流表也有分壓的作用，使電壓表的示數大于電阻兩端的電壓，而電流表是準確，則使r偏大；外接電流表中緝乏光何叱蠱癸坍含開，電壓表是準確，但電壓表有分流作用，使電流表示數為通過電壓表與電阻的電流之和，使電流表示數大