基于新型碳納米管的薄膜晶體管問世
據美國物理學家組織網2月17日（北京時間）報道，最近，科學家研制出了金屬性和半導體性之間平衡達到最優化的新式碳納米管，并使用這種納米管制造出了薄膜晶體管（TFT），未來有望研制出諸如電子書和電子標簽等高性能、透明的柔性設備。 日本名古屋大學的科學家孫東明（音譯）和同事以及芬蘭阿爾托大學科學家在最新一期《自然·納米技術》雜志上，介紹了用這種新碳納米管制造薄膜晶體管和柔性集成電路的研究。 碳納米管的電子屬性可以分為金屬性和半導體性兩種，且這兩種屬性的碳納米管相互“粘連”成繩索狀或束狀，這時金屬性比半導體性還要強，而只有半導體性的納米管才可用作晶體管，這就使碳納米管的用途大打折扣。盡管金屬性可增加晶體管載荷子的運動能力，但它也能降低晶體管的開關頻率。 最新研究中，科學家研發出了一種制造碳納米管的新方式，讓納米管的金屬性和半導體性之間的平衡達到了最優化。新納米管網絡中包含有直的、相對較長（10微米）......閱讀全文
基于新型碳納米管的薄膜晶體管問世
據美國物理學家組織網2月17日（北京時間）報道，最近，科學家研制出了金屬性和半導體性之間平衡達到最優化的新式碳納米管，并使用這種納米管制造出了薄膜晶體管（TFT），未來有望研制出諸如電子書和電子標簽等高性能、透明的柔性設備。 日本名古屋大學的科學家孫東明（音譯）和同事以及芬
美開發出無缺陷半導體納米晶體薄膜
據物理學家組織網8月21日(北京時間)報道，美國麻省理工學院的研究人員利用電子束光刻技術和剝離過程開發出無缺陷半導體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料，可廣泛應用并開辟潛在的重點研究領域。相關報告發表在近期出版的《納米快報》雜志網絡版上。 半導體納米晶體的大小決定了它們的電子和光學性質
半導體集成電路的厚膜電路和薄膜電路相關介紹
從整個集成電路范疇講，除半導體集成電路外，還有厚膜電路與薄膜電路。 ①厚膜電路。以陶瓷為基片，用絲網印刷和燒結等工藝手段制備無源元件和互連導線，然后與晶體管、二極管和集成電路芯片以及分立電容等元件混合組裝而成。 ②薄膜電路。有全膜和混合之分。所謂全膜電路，就是指構成一個完整電路所需的全部有源
蘇州納米所印刷碳納米管薄膜晶體管研究取得進展
印刷電子技術是最近5年來才在國際上蓬勃發展起來的新興技術與產業領域，印刷電子技術成為當今多學科交叉、綜合的前沿研究熱點。高性能新型印刷電子墨水的研制成為印刷電子技術最關鍵的技術之一。半導體碳納米管與其他半導體材料相比不僅尺寸小、電學性能優異、物理和化學性質穩定性好，而且碳納米管構建的晶體管等電子
蘇州納米所印刷碳納米管晶體管與CMOS電路研究獲進展
由于碳納米管具有獨特的電學性能、機械性能、優越的物理和化學穩定性以及容易墨水化，使得碳納米管成為印刷薄膜晶體管，尤其是印刷柔性薄膜晶體管最理想的半導體材料之一。盡管半導體碳納米純化技術已日趨成熟，但高純度半導體碳納米管的可印刷墨水批量化制備、碳納米管的準確定位和高性能n型印刷碳納米管晶體管的構建
半導體集成電路概述
半導體集成電路（英文名：semiconductor integrated circuit），是指在一個半導體襯底上至少有一個電路塊的半導體集成電路裝置。 半導體集成電路是將晶體管，二極管等等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯，“集成”在一塊半導體單晶片上，從而完成特定的電路
納米所在高純度半導體型碳納米管分離應用方面獲進展
半導體型單壁碳納米管（s-SWNTs）具有獨特的電學、力學和光學特性，被認為是最有希望取代硅延續摩爾定律的半導體材料之一。但是，目前通過常規制備手段所制備的SWNTs均是不同導電屬性的SWNTs混合物，極大地阻礙了其優異電子性能的發揮及在諸多高端科技領域里的潛在應用。因此，如何有效地獲得高純度、
蘇州納米所單手性碳納米管高純度分離技術研究獲進展
單手性碳納米管是一種頗具前途的電子和光電子材料，具有確定的能帶結構和近紅外吸收發射特性，在碳基集成電路、紅外光探測器與量子光源等方面有廣泛的應用前景，有望成為下一代碳基電子的核心材料。已有較多方法（如梯度密度離心法、凝膠色譜法、雙水相法）可分離得到多種單手性碳管，但這些單手性碳管的直徑基本在1.
半導體集成電路的分類概述
集成電路如果以構成它的電路基礎的晶體管來區分，有雙極型集成電路和MOS集成電路兩類。前者以雙極結型平面晶體管為主要器件（如圖2），后者以MOS場效應晶體管為基礎。圖3表示了典型的硅柵N溝道MOS集成電路的制造工藝過程。一般說來，雙極型集成電路優點是速度比較快，缺點是集成度較低,功耗較大；而MOS
半導體集成電路的制造工藝
集成電路在大約5mm×5mm大小的硅片上，已集成了一臺微型計算機的核心部分，包含有一萬多個元件。集成電路典型制造過程見圖1。從圖1,可以看到，已在硅片上同時制造完成了一個N+PN晶體管,一個由 P型擴散區構成的電阻和一個由N+P結電容構成的電容器,并用金屬鋁條將它們連在一起。實際上,在一個常用的
半導體集成電路的工藝保障
1)原材料控制。包括對掩膜版、化學試劑、光刻膠、特別對硅材料等原材料的控制。控制不光采用傳統的單一檢驗方式，還可對關鍵原材料采用統計過程控制(statisticalprocesscontrol，SPC)技術，確保原材料的質量水平高，質量一致性好。 2)加工設備的控制。除采用先進的設備進行工藝加
半導體集成電路的設計保障
1) 常規可靠性設計技術。包括冗余設計、降額設計、靈敏度分析、中心值優化設計等。 2) 針對主要失效模式的器件設計技術。包括針對熱載流子效應、閂鎖效應等主要失效模式，合理設計器件結構、幾何尺寸參數和物理參數。 3) 針對主要失效模式的工藝設計保障。包括采用新的工藝技術，調整工藝參數，以提高半
IBM新型碳納米管芯片：單芯片上制造上萬晶體管
??????? 美國IBM公司使用標準的主流半導體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確放置在了一顆芯片內，并且通過了測試。多年來，我們的芯片都根據摩爾定律發展：從以前的微米單位到現在的納米單位，從以往的90納
彭練矛院士：沒有芯片，就沒有中國未來的現代化
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511473.shtm當前，云、大數據、人工智能、個性化醫療和健康監控領域，未來數字化和智慧化的發展，都離不開芯片。毫不夸張地說，芯片就是現代技術的驅動力，中國未來如果沒有芯片，就沒有中國未來的現代化。集
我國科學家在超低功耗集成電路晶體管領域取得突破
集成電路的發展目標已經由提升性能和集成度轉變為降低功耗，其最有效的方法即降低工作電壓。目前，互補金屬氧化物半導體（CMOS）集成電路（14/10納米技術節點）工作電壓已經降低到了0.7V，而金屬氧化物半導體場效應晶體管中亞閾值擺幅（60毫伏/量級）的熱激發限制導致其工作電壓不能低于0.64V。因
半導體集成電路的發展趨勢
就lC產業技術發展的實際情況來看，lC集成度增長速度的降低，并不會導致微電子行業的停滯不前，IC產業可以在產品的多樣性方面以及產品性能方面實現現代化發展。隨著IC產業的不斷發展，IC產品能夠更加滿足市場的實際需求，IC產業設計人員可以結合行業客戶的實際需求來對IC產品進行設計和制造，進而推出多樣
北京碳納米管集成電路研制取得重大進展
碳納米管器件和集成電路因速度、功耗等方面優勢，被認為是未來最有可能替代現有硅基集成電路，延續摩爾定理的信息器件技術之一。經過近20年的研究，碳納米管電子學在器件物理、器件制備和優化、簡單集成電路和系統演示方面取得長足進展。 然而，受限于材料和加工工藝問題，碳納米管晶體管的制備規模、成品率和均勻
日本開發成功全碳素集成電路
日本名古屋大學與芬蘭阿爾托大學共同研究、開發成功全碳素集成電路。屬世界首次。 研究小組采用碳納米管(CNT)制作電極和配電材料、用丙烯樹脂制作絕緣材料，合成透明的全碳素集成電路。經測試，其電子移動速度達1000平方米/秒伏特，是一般在樹脂基板上嵌入薄膜晶體管而成的集成電路的20倍以上。制品
美國科學家在碳納米管晶體管制造技術上獲得一項突破
美國威斯康星大學麥迪遜分校的科學家日前在碳納米管晶體管制造技術上獲得了一項突破。由其開發出的新型高性能碳納米管晶體管成功突破了純度和陣列控制兩大難題，在開關速度上獲得了比普通硅晶體管快1000倍，比此前最快的碳納米管晶體管快100倍的成績。碳納米管晶體管向正式商用邁出了關鍵一步。相關論文發表在《
薄膜晶體管的概念概述
TFT是在基板 (如是應用在液晶顯示器，則基板大多使用玻璃) 上沉積一層薄膜當做通道區。 大部份的TFT是使用氫化非晶硅 (a-Si:H) 當主要材料，因為它的能階小于單晶硅 (Eg =1.12eV)，也因為使用a-Si:H當主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介電、電極及內部
使用石英晶體微天平研究薄膜生長
引言Gamry公司的eQCM 10M電化學石英晶體微天平的一個用途就是研究薄膜的生長。下面舉一個關于薄膜生長影響電極電化學性能的例子。固體接觸（SC）離子選擇性電極（ISEs）是常用作測量醫學及環境應用中離子濃度的一種傳感器。SC ISEs的電化學特性取決于在電子傳導基底（例如，金，鉑）和離子傳導膜
薄膜晶體管的原理簡介
薄膜晶體管是一種絕緣柵場效應晶體管.它的工作狀態可以利用 Weimer 表征的單晶硅 MOSFET 工作原理來描 述.以 n 溝 MOSFET 為例,物理結構如圖 2. 當柵極施以正電壓時,柵壓在柵絕緣層中產生電場,電力線由柵電極指向半導體表面,并在表面處產生感應電 荷.隨著柵電壓增加,半導體表
盤點十大最具潛力新材料：石墨烯顛覆世界
《新材料產業“十二五”規劃》為許多的材料在中國未來的發展指明了方向，理財周報本期將沉淀前段時間一直以來材料科學的調查研究精華，為跨越三個階段的新材料研究列出期終榜單。 本期梳理的十大未來最具潛力的材料，包括：石墨烯、碳纖維、輕型合金、碳納米管、超導材料、半導體材料、功能薄膜、智能材料、生物材料
2024半導體展會2024北京國際半導體及集成電路產業展
2024中國（北京）國際半導體展覽會時 間：2024 年 9 月 5 一 7 日地 點：中國·北京 · 北人亦創國際會展中心參展咨詢：021-5416 3212大會負責人：李經理 136 5198 3978（同微）地點：北京 · 北人亦創國際會展中心2024中國（北京）國際半導體博覽會”將于2024
Science：IBM科學家造出世界上最小的晶體管
巨頭英特爾（Intel）創始人之一Gordon Moore在1965年提出了業界著名的“摩爾定律（Moore's Law）”，大意為：集成電路上的元器件（例如晶體管）數目，每隔18個月至兩年便會增加一倍，性能也將提升一倍。摩爾定律在一定程度上反映了現代電子工業的飛速發展，但時至今日，隨著
以碳納米管為基礎的全晶片數字電路首次研制成功
據物理學家組織網6月15日(北京時間)報道，最近，美國斯坦福和南加州大學工程師開發出一種設計碳納米管線路的新方法，首次能生產出一種以碳納米管為基礎的全晶片數字電路，即使在許多納米管發生扭曲偏向的情況下，整個線路仍能工作。 碳納米管(CNTs)超越了傳統的硅技術，在能效方面有望比硅基線路提高
首個10納米以下碳納米管晶體管問世
據美國物理學家組織網2月2日(北京時間)報道，來自IBM、蘇黎世理工學院和美國普渡大學的工程師近日表示，他們構建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管，而這種尺寸正是未來十年計算技術所需的。這種微型晶體管能有效控制電流，在極低的工作電壓下，仍能保持出眾的電流密度，甚至可超過同尺
特殊材料取代硅造出半導體薄膜
美國麻省理工學院（MIT）工程師最近開發出一種新技術，他們用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半導體薄膜。新技術為科學家提供了一種制造柔性電子器件的低成本方案，且得到的電子器件的性能將優于現有硅基設備，有望在未來的智慧城市中“大展拳腳”。 如今，絕大多數計算設備都由硅制成，硅是地球上含量第二豐
半導體晶體中發現新型準粒子
英國《自然》旗下《通訊·物理》雜志日前發表了一項物理學新成果：德國科學家描述了一種在高質量半導體晶體中發現的新型準粒子——“Collexon”，其可以印證準粒子存在的材料所表現出的獨特光學特征，以及不同尋常的物理特性，而這些特點對基礎科學和應用科學都非常重要。 在由許多不同粒子組成的微觀系統
碳納米管晶體管極具抗輻射能力
美國海軍研究實驗室電子科技工程師18日表示，他們發現由單壁碳納米管制作的晶體管(SWCNT)具有在苛刻太空環境中生存的能力。目前他們正在研究電離子輻射對晶體結構的影響，以及支持開發以SWCNT為基礎的用于太空輻射環境的納米電子設備。 實驗室材料研究工程師科里·克瑞斯表示，環繞地球外圍的電粒