二次離子質譜儀同時分析非金屬元素和金屬元素
二次離子質譜（sims）和濺射中性粒子質譜（snms）是表面分析科學和材料科學中廣泛應用的分析技術。使用離子濺射固體表面能夠引起光子、電子、中性粒子和二次離子的發射。sims技術探測濺射產生二次離子，snms技術探測濺射產生中性粒子。由于二次離子的產率和基體相關，sims技術具有顯著的基體效應，需要標準樣品進行分析校正。中性粒子是濺射產物的主要組成部分，snms將中性粒子后離子化進行質譜分析，定量更加可靠。ims1280型sims通常使用o2-分析金屬元素，使用cs 分析非金屬元素，很難同時對金屬元素和非金屬元素進行分析。 中國科學院地質與地球物理研究所工程師唐國強等人在以上背景下，發明了一種使用二次離子質譜儀同時分析非金屬元素和金屬元素的系統和方法，并于近日獲得國家發明專利授權（發明名稱：使用二次離子質譜儀同時分析非金屬元素和金屬元素的系統和方法；發明人：唐國強，趙洪；專利號：zl20131*******.7）。 該發......閱讀全文
質譜干擾離子
質譜儀種類很多，不同類型的質譜儀主要差別在于離子源。離子源的不同決定了對被測樣品的不同要求，同時，所得信息也不同。質譜儀的分辨率同樣十分重要，高分辨質譜儀可給出化合物的組成式，對于未知物定性至關重要。因此，在進行質譜分析前，要根據樣品狀況和分析要求選擇合適的質譜儀。 目前，有機質譜儀主要有兩大
質譜干擾離子
質譜儀種類很多，不同類型的質譜儀主要差別在于離子源。離子源的不同決定了對被測樣品的不同要求，同時，所得信息也不同。質譜儀的分辨率同樣十分重要，高分辨質譜儀可給出化合物的組成式，對于未知物定性至關重要。因此，在進行質譜分析前，要根據樣品狀況和分析要求選擇合適的質譜儀。 目前，
離子阱質譜簡介
離子阱質譜（ITMS）是利用高電場使質譜進樣端的毛細管柱流出的液滴帶電，在氮氣氣流的作用下，液滴溶劑蒸發，表面積縮小，表面電荷密度不斷增加，直至產生的庫侖力與液滴表面張力達到雷利極限，液滴爆裂為帶電的子液滴，這一過程不斷重復使最終的液滴非常細小呈噴霧狀，這時液滴表面的電場非常強大，使分析物離子化
離子阱質譜與軌道離子阱質譜有什么區別
離子阱 ion trap軌道阱 obitrap離子阱是利用射頻電場實現對離子的束縛和彈出從而實現分離,電場是變化的.軌道阱是利用靜電場實現離子分離,電場不變.
離子阱質譜與軌道離子阱質譜有什么區別
離子阱質譜與軌道離子阱質譜有什么區別離子阱 ion trap軌道阱 obitrap離子阱是利用射頻電場實現對離子的束縛和彈出從而實現分離,電場是變化的.軌道阱是利用靜電場實現離子分離,電場不變.
離子阱質譜與軌道離子阱質譜有什么區別
離子阱質譜與軌道離子阱質譜有什么區別離子阱 ion trap軌道阱 obitrap離子阱是利用射頻電場實現對離子的束縛和彈出從而實現分離,電場是變化的.軌道阱是利用靜電場實現離子分離,電場不變.
離子阱質譜與軌道離子阱質譜有什么區別
離子阱 ion trap軌道阱 obitrap離子阱是利用射頻電場實現對離子的束縛和彈出從而實現分離，電場是變化的。軌道阱是利用靜電場實現離子分離，電場不變。
離子遷移譜和質譜的區別
離子遷移譜和質譜有相同之處，也有不同之處。都要先對目標物離子化，所以都有離子源；最終經過分離、檢測的都是離子，檢測器基本也一樣；都是既可以檢測正離子也可以檢測負離子（+/-模式）。不同的是離子分離的原理：離子遷移利用離子的淌度不同分離離子，在離子遷移管中完成，離子的淌度與離子的電荷數、離子的體積大小
離子阱質譜相關簡介
離子阱質譜（ITMS）是利用高電場使質譜進樣端的毛細管柱流出的液滴帶電，在氮氣氣流的作用下，液滴溶劑蒸發，表面積縮小，表面電荷密度不斷增加，直至產生的庫侖力與液滴表面張力達到雷利極限，液滴爆裂為帶電的子液滴，這一過程不斷重復使最終的液滴非常細小呈噴霧狀，這時液滴表面的電場非常強大，使分析物離子化
離子阱質譜的應用
利用離子阱作為分析器的質譜儀稱為離子阱質譜儀。使用最多的是由高頻率電場進行離子封閉的保羅阱。由一個雙曲面截面的環形電極和上下一對端電極構成。封閉在真空池內的離子，通過高頻電壓掃描，將離子按m/z從池中引出進行檢測。? 離子阱質譜儀是一種低分辨時間可以進行msn的測定。而且價格比其它類型的串聯質譜