郭光燦院士率先在冷原子系統中模擬曲面量子霍爾效應
我校郭光燦院士團隊在量子模擬方面取得重要進展，該團隊周正威教授研究組與美國萊斯大學、加州大學圣迭戈分校、中科院物理所合作，提出了一種在冷原子系統中模擬磁單極場的新方案，從而為在冷原子系統中研究曲面上的量子霍爾效應及尋找新的奇異量子態提供了理論指導。相關研究成果3月29日發表在《物理評論快報》上 [Phys. Rev. Lett. 120, 130402 (2018)]。左圖表示方案中利用磁單極場實現的球面束縛勢阱，R表示球面的半徑。右圖表示在考慮到中性原子相互作用后，形成的球面上的渦漩分布圖樣；圖中每個藍點對應一個渦漩核心，其分布圖樣與球面上等數目電子的穩定構型（經典Thomson問題）是一樣的，反應了該系統中渦漩和電子的對偶特征。 如何在冷原子系統中模擬有效規范場，從而實現中性原子的量子霍爾效應，一直是超冷氣體量子模擬中面臨的一個重要課題。此前的方法中，研究者們發現通過旋轉一團束縛的超冷量子氣體，可以在中性原子中模擬等效......閱讀全文
郭光燦院士率先在冷原子系統中模擬曲面量子霍爾效應
我校郭光燦院士團隊在量子模擬方面取得重要進展，該團隊周正威教授研究組與美國萊斯大學、加州大學圣迭戈分校、中科院物理所合作，提出了一種在冷原子系統中模擬磁單極場的新方案，從而為在冷原子系統中研究曲面上的量子霍爾效應及尋找新的奇異量子態提供了理論指導。相關研究成果3月29日發表在《物理評論快報》上
室溫非線性霍爾效應
最新Nature Nanotechnology：室溫非線性霍爾效應 幾何相位和拓撲之間的緊密聯系使得基于霍爾效應的現象已成為現代材料和物理學的主要研究重點之一，這促使了人們對物質拓撲態的探索和許多相應實際應用的開發。在線性響應方式下，霍爾電導率需要通過磁化或外部磁場來打破時間反演對稱性。但最近
反常霍爾效應研究取得進展
反常霍爾效應是最基本的電子輸運性質之一。雖然反常霍爾效應早在1881年就被Edwin Hall發現，但其微觀機制的建立卻經歷了一百余年的漫長歷程。本世紀初，牛謙等人的理論工作揭示了反常霍爾效應的內稟機制與材料能帶結構的貝里曲率有關，并得到了廣泛的實驗支持，反常霍爾效應也因此成為當今凝聚態物理研究
霍爾效應測試儀簡介
霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。 霍爾效應測試儀介紹 該儀器為性能穩定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體
霍爾效應實驗儀的性能特點
1. 把勵磁電流、霍爾傳感器工作電流和霍爾電壓接口采用不同規格的插座和專用連接線，接線互換是插不到插座中的，完全消除了接線錯誤的可能性，防止損壞霍爾片和設備確保儀器安全。 2. 勵磁電流、霍爾傳感器的工作電流換向均用繼電器控制，取代了過去傳統的雙刀雙擲開關，最大的優點是大大提高了儀器的可靠性，
關于霍爾效應實驗儀的概述
霍爾效應實驗儀可形象地觀察到霍爾電勢的產生、了解霍爾傳感器的道理。線圈的勵磁電流、霍爾傳感器的工作電流換向可用閘刀控制，也可選用繼電器控制。繼電器取代雙刀雙擲開關，大大提高了儀器的可靠性，減少故障。FB510 A 型霍爾效應實驗儀用亥姆霍茲線圈或螺線管產生穩恒磁場，線圈的勵磁電流、霍爾傳感器的
FeSe單晶的高壓霍爾效應研究獲進展
費米面拓撲結構及其與磁性的相互關聯，被認為是理解鐵基高溫超導機理的關鍵。大多數FeAs基高溫超導體的能帶結構包含位于布里淵區中心的空穴型費米面和位于布里淵區頂角的電子型費米面，因此，空穴和電子費米面之間的散射被普遍認為是鐵基超導電子配對的重要機制。但是，在FeSe基高溫超體系中，包括AxFe2-
“量子反常霍爾效應”研究取得重大突破
由中國科學院物理研究所和清華大學物理系的科研人員組成的聯合攻關團隊，經過數年不懈探索和艱苦攻關，最近成功實現了“量子反常霍爾效應”。這是國際上該領域的一項重要科學突破，該物理效應從理論研究到實驗觀測的全過程，都是由我國科學家獨立完成。 量子霍爾效應是整個凝聚態物理領域最重要、最
FeSe單晶的高壓霍爾效應研究獲進展
費米面拓撲結構及其與磁性的相互關聯，被認為是理解鐵基高溫超導機理的關鍵。大多數FeAs基高溫超導體的能帶結構包含位于布里淵區中心的空穴型費米面和位于布里淵區頂角的電子型費米面，因此，空穴和電子費米面之間的散射被普遍認為是鐵基超導電子配對的重要機制。但是，在FeSe基高溫超體系中，包括AxFe2-
霍爾效應測試儀的技術參數
1、變溫，常溫和液氮溫度(77K)下測量； 阻抗:10-6 to 107 載流子濃度(cm-3):107 ?-1021 2、樣品夾具： 彈簧樣品夾具(免去制作霍爾樣品的麻煩)； 3、測量材料：所有半導體材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型