上海微系統所在三維垂直型存儲器設計領域取得進展
近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所相變存儲器課題組針對三維垂直型存儲器，從理論上總結了芯片速度受限的原因和偏置方法的相關影響，提出了新型的偏置方法和核心電路，相關成果以研究長文的形式發表在2018年7月的國際超大規模集成電路期刊IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems [vol. 26, no. 7, pp. 1268-1276]上。審稿人認為，該論文首次將動態仿真應用于三維垂直型存儲器。 三維集成電路是維持集成電路產業高速發展的關鍵，而三維存儲器更是三維集成技術中的領跑者。三維新型非易失存儲器因其獨特的速度、密度和壽命優勢，被寄予革新現有計算架構的厚望，是國際上的競爭焦點。作為三維新型非易失存儲器的兩種主流陣列結構之一，當前三維垂直型陣列結構的研究主要集中在器件和陣列層面。但是，三維存儲器在垂直方向的集成、新型偏置方法和新的存......閱讀全文
上海微系統所在三維垂直型存儲器設計領域取得進展
近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所相變存儲器課題組針對三維垂直型存儲器，從理論上總結了芯片速度受限的原因和偏置方法的相關影響，提出了新型的偏置方法和核心電路，相關成果以研究長文的形式發表在2018年7月的國際超大規模集成電路期刊IEEE Transactions on Very Larg
SOT型磁性存儲器研究領域
近日，中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術重點實驗室在SOT型磁性存儲器（MRAM）研究領域取得進展。 實現低功耗、高穩定的數據寫入操作是MRAM亟需解決的關鍵問題之一，其中，消除寫入電流的非對稱性對于實現寫入過程的穩定可控以及簡化供電電路設計十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
上海微系統所三維存儲器設計取得進展
近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所相變存儲器課題組在三維存儲器設計領域取得進展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM為題，發表在IEEE Transaction
科學家開發出三維垂直場效應晶體管
科技日報北京6月14日電 （記者張夢然）通過鐵電柵極絕緣體和原子層沉積氧化物半導體通道，日本科學家制造了三維垂直場效應晶體管，可用來生產高密度數據存儲器件。此外，通過使用反鐵電體代替鐵電體，他們發現擦除數據只需要很小的凈電荷，從而提高了寫入的效率。發表在2022年IEEE硅納米電子研討會上的該
微電子所在SOT型磁性存儲器研究領域獲進展
近日，中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術重點實驗室在SOT型磁性存儲器（MRAM）研究領域取得進展。 實現低功耗、高穩定的數據寫入操作是MRAM亟需解決的關鍵問題之一，其中，消除寫入電流的非對稱性對于實現寫入過程的穩定可控以及簡化供電電路設計十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
GGCC型分液漏斗垂直振蕩器技術特點
GGC-C型分液漏斗垂直振蕩器技術參數GGC-C系列分液漏斗垂直振蕩器可自動搖動分液漏斗，完成液液萃取、樣品混勻等實驗過程；所有核心部件均采用原裝進口產品，振幅大、速度快，工作時間可設定，頻率可調；批量處理樣品，高效率，高回收率；最大限度減少操作人員接觸化學試劑，保護人身安全！運行平穩可靠、噪音低；
“超級光盤”存儲器問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大學光子芯片研究院顧敏院士、中國科學院上海光學精密機械研究所阮昊研究員、上海理工大學光電信息與計算機工程學院文靜教授等合作，在國際上首次利用雙光束調控聚集誘導發光超分辨光存儲技
我國科學家在阻變存儲器集成應用研究獲進展
中國科學院微電子研究所劉明團隊在1Mb 28nm嵌入式阻變存儲器測試芯片以及8層堆疊的高密度三維阻變存儲器陣列研究方面取得新進展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版圖；（b）28nm RRAM單元TEM界面圖8層堆疊RRAM截面圖 以RRAM和MRAM為代表的新型存儲器被認為是28nm及后
垂直U型管換熱器周圍土壤溫度場的數值模擬
目的分析地下U型埋管周圍土壤的溫度分布情況,了解埋管周圍土壤溫度隨時間的變化規律.方法在夏季制冷工況下,對地埋管換熱器中的單U型管建立了非穩態數學模型,應用數學軟件MATLAB中的PDETOOL進行求解,對地埋管周圍土壤的溫度分布狀況進行了模擬.結果隨著熱泵的不斷運行,埋管周圍的溫度越來越高,熱作用
垂直鑒別率
垂直鑒別率??? 垂直鑒別率又稱景深，定義為在固定相點的情況下，成象面沿軸向移動仍能保持圖象清晰的范圍。表征物鏡對應位于不同平面上目的物細節能否清晰成象的一個性質，垂直鑒別率的大小由滿意成象的平面的兩個極限位置（位于聚焦平面之前和之后）間的距離來量度。??? 如果人跟分辨能力為0.15～0.30mm
阻變存儲器是什么？
伴隨著科學的發展和技術的進步，新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會，在今天，電阻存儲器的研究已經非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點，具體地說，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝，也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造，所以它具
阻變存儲器是什么？
伴隨著科學的發展和技術的進步，新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會，在今天，電阻存儲器的研究已經非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點，具體地說，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝，也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造，所以它具有非
CZF5型水平垂直燃燒測定儀火焰校準裝置的使用
北京鑫生卓銳科技有限公司CZF-5型水平垂直燃燒測定儀火焰校準裝置的使用 CZF-5型水平垂直燃燒測定儀，是根據標準GB-T2408-2008而研制的，完全滿足國家標準GB/T2408規定的技術要求。與專用的式樣支架配合可在同一臺儀器進行塑料水平燃燒和垂直燃燒兩種方法的試驗，自動記錄試驗時
復旦大學構建三維比率型熒光探針新方法
復旦大學高分子科學系朱亮亮課題組利用單分子熒光延遲熒光雙發射構建了三維比率型熒光探針新方法。相關成果近日發表于《自然—通訊》，并申請了發明ZL。 在化學和物理檢測中，熒光信號可視化傳感是重要方法之一。除了在傳統應用中識別目標物質，將熒光探針應用到微環境中檢測化學或生命科學過程中的環境行為變化也
基于自旋軌道力矩效應全電學操控磁矩翻轉和信息寫入
如何利用全電學方法實現磁性薄膜的確定性磁矩翻轉，一直是研發自旋電子學器件的挑戰性難題之一。隨著研究的不斷深入，實現磁矩確定性翻轉的方式發生了階躍性的變化，極大地推動了自旋電子學核心器件——磁隨機存儲器(MRAM)更新換代式的遞進發展。磁隨機存儲器是最具大規模產業化前景的新一代非易失性存儲器之一，
基于自旋軌道力矩效應全電學操控磁矩翻轉和信息寫入
如何利用全電學方法實現磁性薄膜的確定性磁矩翻轉，一直是研發自旋電子學器件的挑戰性難題之一。隨著研究的不斷深入，實現磁矩確定性翻轉的方式發生了階躍性的變化，極大地推動了自旋電子學核心器件——磁隨機存儲器(MRAM)更新換代式的遞進發展。磁隨機存儲器是最具大規模產業化前景的新一代非易失性存儲器之一，
激光讓玻璃變身新式存儲器
據英國《每日電訊報》8月15日（北京時間）報道，英國科學家首次研發出了玻璃存儲器。這種存儲器塊頭小，存儲能力強，而且，壽命長達幾千年，大型機構和公司的海量信息今后可以長時間安全存儲其中。相關研究發表在最新一期《應用物理學快報》雜志上。 英國南安普敦大學的科學家使用激光讓玻璃塊
自旋分子存儲器研究獲進展
經典的馮·諾依曼計算機架構中，數據存儲與處理分離。由于指令、數據在存儲器和處理器之間的高頻轉移，導致計算機發展的“存儲墻瓶頸”與“功耗墻瓶頸”。能否模仿人類的大腦，構建新型器件實現計算和存儲一體化，完成低功耗的復雜并行計算？ 理論提出的自旋場效應晶體管（自旋FET）同時具有實現數據存儲和處理的
耐600℃高溫存儲器問世
科技日報北京5月5日電?（記者劉霞）美國賓夕法尼亞大學科學家研制出一款可在600℃高溫下持續工作60小時的存儲器。這一耐受溫度是目前商用存儲設備的兩倍多，表明該存儲器具有極強的可靠性和穩定性，有望在可導致電子或存儲設備故障的極端環境下大顯身手，也為在惡劣條件下進行密集計算的人工智能系統奠定了基礎。相
細菌DNA序列可作信息“存儲器”
阿根廷科學家近日成功將該國國歌旋律以人工基因編碼形式植入某種細菌染色體中。這一方法不僅可以用來存儲音樂旋律，還可能發展為一種擁有巨大應用潛力的信息存儲方式。 據阿根廷媒體報道，主持研究的阿根廷信息生物學家費德里克·普拉達介紹說，生物的DNA(脫氧核糖核酸)由四種脫氧核苷酸組成，即腺嘌呤、胸
存儲器大突破，迄今密度最高！
機構預計今年上半年存儲周期觸底復蘇，行業存儲龍頭有望迎業績反轉。 迄今最高存儲密度器件面世 據科技日報，美國南加州大學電氣和計算機工程教授楊建華及合作者在最新一期《自然》雜志上刊發論文稱，他們已經為邊緣人工智能（便攜式設備內的人工智能）開發出了迄今存儲密度最高的新型器件和芯片，有望在便攜式設
關于CZF5A型水平垂直燃燒試驗儀的自動化優點嗎
水平垂直燃燒試驗儀的適用范圍，用于測試塑料類及非金屬材料類物質燃燒性能的試驗儀器。適用于塑料和非金屬材料試樣處于50W火焰條件下，水平或垂直方向燃燒性能的試驗室測定方法。 二、產品功能特點 1.觸摸屏（鑫生卓銳用）+PLC控制； 2.自動化程度高：自動記錄試驗時間，自動顯試結果
納米限制結構相變存儲器成功開發
近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究團隊基于12英寸集成工藝，開發出納米限制結構相變存儲器。該團隊通過優化器件集成工藝，在12英寸晶圓上制備出嵌入式納米加熱電極，實現了超過1.0×1011次的器件循環擦寫次數，較傳統器件結構提升了1000倍，刷新了蘑菇型結構相變存儲器的循環擦寫紀錄。科研人
儲存和存儲器的不同特性比較
目前最廣泛使用的數字儲存裝置是硬盤（HDD），但它受歡迎的程度正迅速下滑…數字數據儲存正歷經強大的成長態勢，2016年即已增加到超過10，000艾位元組（Exabyte；EB）或10皆位元組（Zettabyte；ZB）的電子數據。值得一提的是，在位元的次方單位表中，目前只剩下“佑位元組”（Y
關于傅里葉變換的存儲器控制介紹
因FFT是為時序電路而設計的，因此，控制信號要包括時序的控制信號及存儲器的讀寫地址，并產生各種輔助的指示信號。同時在計算模塊的內部，為保證高速，所有的乘法器都須始終保持較高的利用率。這意味著在每一個時鐘來臨時都要向這些單元輸入新的操作數，而這一切都需要控制信號的緊密配合。 為了實現FFT的流形
微型垂直電泳槽
微型垂直電泳槽微型垂直電泳槽是用來對少量核酸及蛋白質樣品進行垂直電泳的裝置，玻璃板與墊條的一體化設計確保墊條表面及墊條制膠密封端的平整，徹底防止漏液。備選多種厚度間隔的墊條玻璃板和制膠梳子( 0.75mm/1.0mm/1.5mm )，滿足不同上樣量需要。可同時運行二塊 8.3 × 7.3cm 膠，做
水平垂直燃燒檢驗儀
水平垂直燃燒測試儀適用范圍：主要用于測定塑料、橡膠或薄膜在規定火源下燃燒性能，以判斷其耐火等級。不但適用于照明設備、低壓電器、家用電器、電機、工具、儀表等設備以及電氣連接件等電工電子塑料或橡膠產品及其組件部件的研究、生產和質檢部門，也適用于絕緣材料、工程塑料、防火封堵材料型式認可或其它固體可燃材料?
水平與垂直的問題
垂直炬：最早采用的觀測形式。 優點：儀器結構簡單，可做高鹽樣品，高達30%(除特殊行業，一般不會這樣操作);動態線性范圍更寬; 問題：多年來的研究工作，靈敏度已達到極限，經常在測量環保如水樣和土壤樣中Hg、Pb、Al、As、Se、P、Na、K等元素(ppb水平)時，常常無能為力。
水平垂直燃燒測試標準
適用范圍：主要用于測定塑料、橡膠或薄膜在規定火源下燃燒性能，以判斷其耐火等級。不但適用于照明設備、低壓電器、家用電器、電機、工具、儀表等設備以及電氣連接件等電工電子塑料或橡膠產品及其組件部件的研究、生產和質檢部門，也適用于絕緣材料、工程塑料、防火封堵材料型式認可或其它固體可燃材料技術參數：校準目的及
水平垂直燃燒測試標準
水平垂直燃燒測試儀適用范圍：主要用于測定塑料、橡膠或薄膜在規定火源下燃燒性能，以判斷其耐火等級。不但適用于照明設備、低壓電器、家用電器、電機、工具、儀表等設備以及電氣連接件等電工電子塑料或橡膠產品及其組件部件的研究、生產和質檢部門，也適用于絕緣材料、工程塑料、防火封堵材料型式認可或其它固體可燃材料技