幾種半導體材料的光電子能譜研究
ZnO薄膜的光電子能譜研究表明:1)對某些條件下生長的薄膜,光致發光譜中存在的綠光發光峰來源于薄膜中介于Vo和Oi中間價態的氧;2)對首次利用濺射夾層GaAs方法制備的As摻雜的ZnO薄膜,O2下退火比較容易控制As的價態,有利于形成p型摻雜。首次采用ErF3到Alq3中的方法制作了1.53μm電發光的有機發光二極管,在相同電流的情況下采用ErF3摻雜方法所制備的OLED器件其近紅外區的電致發光強度是Er(DBM)3Phen基器件的4倍。并采用光電子能譜對ErF3和LiF摻雜的Alq3進行了對比研究,結果表明LiF摻雜的Alq3中LiF與Alq3之間產生了激子; ErF3摻雜的Alq3中生成了Erq3和AlF3。在商用變溫光電子能譜儀上,配合自主創新設計的微量進氣槍,使光電子能譜儀具有氣體傳感器在線檢測的功能,并對SnO2基CO氣體進行了在線研究。XPS測試結果顯示,元件在與氣體作用時,吸附氧的含量明顯減少,U PS測試結果顯示......閱讀全文
幾種半導體材料的光電子能譜研究
ZnO薄膜的光電子能譜研究表明:1)對某些條件下生長的薄膜,光致發光譜中存在的綠光發光峰來源于薄膜中介于Vo和Oi中間價態的氧;2)對首次利用濺射夾層GaAs方法制備的As摻雜的ZnO薄膜,O2下退火比較容易控制As的價態,有利于形成p型摻雜。首次采用ErF3到Alq3中的方法制作了1.53μm電發
CMIC：幾種主要半導體材料的應用與發展現狀
20世紀中期，單晶硅和半導體晶體管的發明及硅集成電路的研制成功，引發了電子工業革命；20世紀70年代初，石英光導纖維材料和GaAs激光器的發明，促進了光纖通信技術的跨越式發展并逐步形成高新技術產業……隨著科技發展，半導體材料越來越多，其在各行業中的應用，深刻地改變著人們的生活方式。那么，現階段幾
半導體所等在半導體材料“異構外延”研究中獲進展
半導體產業經過長期發展，已進入“后摩爾時代”，“超越摩爾定律”迎來了高潮，未來半導體產業的發展需跳出原有框架尋求新的路徑。面對這些機遇和挑戰，寬禁帶先進半導體等基礎材料的制備也在孕育突破，新材料、新工藝和異構集成等將成為后摩爾時代的重要技術路線（圖1）。 近期，中國科學院半導體研究所照明研發中
什么是半導體材料？常見半導體材料有哪些？
半導體材料是什么？半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1
半導體材料的定義
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體材料的特性
半導體材料的特性：半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、
半導體材料的概念
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體高效光催化材料研究獲突破
從浙江省科技廳獲悉，浙江師范大學與香港大學以及新加坡南洋理工大學合作成立了專項課題組，在半導體納米復合光催化材料的設計與合成方面取得突破性進展，開發出一種碳包覆硫化鎘(CdS)新納米結構。相關研究成果發表在《德國應用化學》，并被評選為VIP文章。 課題組通過一步溶劑熱合成法在CdS納米結構
半導體材料硫化鉑光電特性的相關研究獲進展
記者6月20日從云南大學材料與能源學院獲悉，該學院楊鵬、萬艷芬團隊經過持續研發，解決了類石墨烯材料大面積均勻少層硫化鉑的合成及其結構和物理性能的一系列問題，為更豐富的應用場景器件開發提供支持，同時給行將終結的摩爾定律注入新的希望，提供極具潛力的半導體材料。 “微電子技術歷經半個多世紀發展，給人
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
常見的半導體材料介紹
常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
半導體材料的應用介紹
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，
常見的半導體材料特點
常見的半導體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導體材料。有以下共同特點：1．半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間2．半導體受外界光和熱的刺激時，其導電能力將會有顯著
半導體材料的提純方法
提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分凝現象，當此熔區從一端至另一端重復移動多次
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的制備方法
不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上 ，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，一
常用的半導體材料介紹
常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素制成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、 Ⅳ-Ⅵ族
半導體材料的提純方法
半導體材料的提純“主要是除去材料中的雜質。提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分
半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
化合物半導體材料的材料優勢
化合物半導體集成電路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗輻射。以GaAs為例，通過比較可得：1.化合物半導體材料具有很高的電子遷移率和電子漂移速度，因此，可以做到更高的工作頻率和更快的工作速度。2.肖特基勢壘特性優越，容易實現良好的柵控特性的MES結構。3.本征電阻率高，為半絕緣襯底。電路工藝中便
研究團隊成功開發高耐久柔性突觸半導體材料
據韓國成均館大學消息稱，該校電子電氣工學系研究團隊成功開發了高耐久性柔性突觸半導體元件。研究成果刊登在國際學術期刊《科學觀察》上。 近年來，物聯網技術在便攜式智能設備領域應用需求迅速增加，特別是柔性電子(Flexible Electronics)在機器人工程及智慧保健醫療領域的應用備受關注。研
研究團隊成功開發高耐久柔性突觸半導體材料
據韓國成均館大學消息稱，該校電子電氣工學系研究團隊成功開發了高耐久性柔性突觸半導體元件。研究成果刊登在國際學術期刊《科學觀察》上。 近年來，物聯網技術在便攜式智能設備領域應用需求迅速增加，特別是柔性電子(Flexible Electronics)在機器人工程及智慧保健醫療領域的應用備受關注。研
半導體材料－硫化鉑光電特性研究獲新突破
記者6月20日從云南大學材料與能源學院獲悉，該學院楊鵬、萬艷芬團隊經過持續研發，解決了類石墨烯材料大面積均勻少層硫化鉑的合成及其結構和物理性能的一系列問題，為更豐富的應用場景器件開發提供支持，同時給行將終結的摩爾定律注入新的希望，提供極具潛力的半導體材料。 “微電子技術歷經半個多世紀發展，給人
什么是半導體材料？
半導體材料（semiconductormaterial）是導電能力介于導體與絕緣體之間的物質。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。
半導體熱電材料
? 半導體熱電材料（英文名：semiconductor thermoelectric material）指具有較大熱電效應的半導體材料，亦稱溫差電材料。它能直接把熱能轉換成電能，或直接由電能產生致冷作用。? ? 1821年，德國塞貝克（see—beck）在金屬中發現溫差電效應，僅在測量溫度的溫差電偶
2025深圳半導體展會|半導體材料展會|半導體設備展會|
「官網」2025深圳13屆國際半導體技術展「半導體展會」展會時間：2025年4月9日-11日論壇時間：2025年4月9日-11日舉辦地點：深圳福田會展中心 (深圳市福田中心區福華三路)展會規模：?面積10萬平米，展商1800余家，展位3600多個，觀眾近10萬人次展會報名：136 （李先生）中間四位
基于化合物半導體材料高速光開關的研究2
?高速光開關及光開關陣列是全光交換的核心器件. 首先給出全內反射型光波導光開關器件的理論分析模型, 并基于GaAs 材料中的載流子注入效應, 采用GaAs-AlGaAs 雙異質結結構,研制了工作波長在1.55 μm 的X 結全內反射型和馬赫曾德干涉型兩種結構的光開關. 測試結果表明, 開關的消光比均
掃描探針顯微鏡對幾種納米材料的結構表征研究
? ? ?1982年，Gerd Binning及其合作者在IBM公司蘇黎世實驗室共同研制成功了第一臺掃描隧道顯微鏡(scanning tunneling microscope，STM)，其發明人Binning 因此獲得1986 年的諾貝爾物理獎。掃描隧道顯微鏡的工作原理是：當探針與樣品表面間距小到納