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3.3.1 線性模型提取對于線性模型，通常可以使用n端口散射矩陣（S參數）來進行描述。S參數使用入射電壓波和反射電壓波的方式定義網絡的輸入、輸出關系，從而表征整個網絡的特性。S參數采用Touchstone文件格式，也被稱作SnP文件。使用矢量網絡分析儀，可以直接生成SnP文件。大多數無源器件都可以使用線性模型進行表征，如濾波器、功分器、衰減器、耦合器、巴倫、小信號激勵下的開關電路等。3.3.2 非線性模型提取對于非線性模型，如放大器、限幅器、檢波器、混頻器等，目前業界最好的模型為X參數。如條件受限不能獲得X參數，可以退而求其次，選擇P2D模型。與S參數相比，X參數可以更為完整全面的方式表示或分析射頻微波器件的非線性特性。作為S參數在大信號工作條件下的邏輯與數學范疇內的擴展，X 參數的獲取首先需要把被測器件驅動到其飽和工作狀態——這是很多器件真實的工作狀態，然后再在這樣的條件下對被測器件進行測量。在測量X參數的時候，不需要知道與被......閱讀全文
3.3.1 線性模型提取對于線性模型，通常可以使用n端口散射矩陣（S參數）來進行描述。S參數使用入射電壓波和反射電壓波的方式定義網絡的輸入、輸出關系，從而表征整個網絡的特性。S參數采用Touchstone文件格式，也被稱作SnP文件。使用矢量網絡分析儀，可以直接生成SnP文件。大多數無源器件都可以使
仿真是早期驗證最重要、最直觀的手段，也是研發過程中發現問題和優化設計的重要途徑。本文針對不同類型器件，提出了基于原理圖模型、行為級模型以及測試模型，建立射頻微波模型庫。其中，使用基于測試結果的X參數能夠成功對放大模塊、檢波器、混頻器等非線性器件進行有效建模。統一的射頻元器件模型平臺將使現有的元器件參
元器件封裝庫命名規則1)IC類IC類器件命名格式如下：IC/功能類型/型號/封裝管腳數/長寬高例如： IC/CPU/MT6226/TFBGA296/13*13*1.2 IC/POWER/MT6305BN-L/QFN48/7*7*0.9IC/RF/MT6129-L/
計算機輔助工程（CAE）軟件工具需要花點時間才能熟練使用，但通過預測不同工作條件對電路或系統的影響，這些軟件工具能夠在產品設計周期中節省大量時間。這些工具在射頻/微波設計領域中已經不是什么新生事物了，但它們有助于高效且極具性價比地滿足用戶的設計要求。了解目前可用的各類CAE軟件工具是發揮這些工具最大
三、批次信息表示方式批次，就是用同一批號的原料，在同一班次和同一生產線上生產出來的同一品種和同一規格的產品，為一個批次。相對于元器件狹義的來說就是封裝測試廠在芯片表面絲印的生產日期或者外包裝標簽上的日期。我們認為批次就是DTAE CODE簡稱D／C，一般地，元器件的批次信息表示方式：1、用單
1、高壓電容器的檢測及故障判別 可用萬用表R×10k或R×1k擋測量高壓電容器，表針應擺動一定角度后逐漸回到9～12MΩ。若導通或電阻小，表明電容擊穿或漏電，若表針不擺動即指示9～12MΩ，說明電容已開路損壞。另外測量電容兩端與外殼間電阻應為無窮大，否則表明電容與外殼絕緣不良。 另：
1、高壓電容器的檢測及故障判別 可用萬用表R×10k或R×1k擋測量高壓電容器，表針應擺動一定角度后逐漸回到9～12MΩ。若導通或電阻小，表明電容擊穿或漏電，若表針不擺動即指示9～12MΩ，說明電容已開路損壞。另外測量電容兩端與外殼間電阻應為無窮大，否則表明電容與外殼絕緣不良。 另：
適配器和終端 由于每個適配器和終端都會引入不必要的插入損耗和反射，因此仔細選擇正確的組件可以防止不必要的信號降級并可能對敏感電子設備造 適配器和終端有多種形式，通常是同軸或波導，用于高功率應用。另外，適配器可能更復雜，因為適配器任一端的尺寸和類型可能不同。此外，適
在安排測試篩選先后次序時，有兩種方案： a）方案1：將不產生連環引發效果的失效模式篩選放在前面，將可以與其他失效模式產生連環引發效果的失效模式篩選放在后面。 b）方案2：將可以與其他失效模式產生連環引發效果的失效模式篩選放在前面，將不產生連環引發效果的失效模式篩選放在后面。 如果選
從20世紀80年代開始，射頻微波電路技術的應用方向逐漸由傳統波導同軸器件轉移到微波平面PCB電路方面，微波平面電路設計一直是一項比較復雜的工作。現在的無線通信產品已經從早期的2G，逐步發展到3G、4G乃至5G。隨著應用頻率的逐步走高，再加上多頻段電路并存與產品小型化要求等，射頻電路的設計越來越難，傳