基于<111>，<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二極管：探索毫米...1
基于<111>，<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二極管：探索毫米波大氣窗最佳方向的比較研究1. IntroductionImpact avalanche transit time (IMPATT) diodes are well recognized two terminal solid-state devices to deliver sufficiently high power at both microwave and mm-wave frequency bands [1]. Silicon is the most popular base material for IMPATT diodes from the point of view of its advanced process technology [2–6]. However, GaAs is......閱讀全文
基于<111>，<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二極管：探索毫米...1
基于，和取向GaAs的IMPATT二極管：探索毫米波大氣窗最佳方向的比較研究1. IntroductionImpact avalanche transit time (IMPATT) diodes are well recognized two terminal solid-state de
基于<111>，<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二極管：探索毫米...3
The RF power output can be calculated from the following expression:PRF?=?(?)(VRF)2|Gp|Aj,?(14)where?V?RF?is the amplitude of fundamental component of
基于<111>，<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二極管：探索毫米...2
The appropriate restrictions in (1) have been imposed via the time varying boundary conditions at the depletion layer edges. The boundary conditio
基于<111>，<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二極管：探索毫米...4
Open in a separate windowFigure 4Static electric field profiles of (a) 35?GHz, (b) 94?GHz, (c) 140?GHz, and (d) 220?GHz DDR GaAs IMPATTs for diffe
氫能新突破！南開團隊國際合作成果登《自然》
北京時間4月24日，國際頂級學術期刊《自然》在線發表南開大學電子信息與光學工程學院教授羅景山課題組與英國劍橋大學、瑞士洛桑聯邦理工學院團隊在光電催化水分解制氫領域取得的聯合研究進展。研究團隊基于溶液電化學外延生長技術制備了三種不同取向的單晶氧化亞銅（Cu2O）薄膜，結合飛秒瞬態反射光譜量化分析了Cu
晶體擇優取向的織構取向
織構一般用 X射線衍射法測定的極圖表示。常用的有二種形式：第一種為正極圖，它是一種對于材料中某一選定的低指數（h k l）面,表明其極點密度隨極點取向而變化的極射赤平投影圖。圖2為冷軋 08Al鋼板的極圖。圖中數字表示取向密度值，以完全無擇優取向時不同方向的取向密度為1，則取向密度大于1表示試樣中接
肖特基二極管這些性能，你都知道嘛？
??? ? ? 雖然肖特基二極管是一個簡單器件，但它卻有許多值得考慮的特性。這些特性通常取決于應用，其中一些應用包括：整流器、信號線或、晶體管關閉、續流（電感器和電機）等，當然還有專用功能如LED和基準電壓。?? 肖特基二極管正如其三角形符號所表示的，只能在一個方向上傳輸電流，在相反方向則會阻止電流
從ChatGPT看“從0到1”和“從1到100”
■呂乃基 轉眼間，OpenAI發布ChatGPT已經一年多，但圍繞其展開的話題仍然很“熱”。 “從0到1”和“從1到100”是近年來常見于媒體的表述，前者指原始創新，后者意為原始創新落到實處并在各領域得到廣泛應用。然而，究竟何為“1”？OpenAI發布ChatGPT前后的過程，其主線即“從0
從ChatGPT看“從0到1”和“從1到100”
轉眼間，OpenAI發布ChatGPT已經一年多，但圍繞其展開的話題仍然很“熱”。 “從0到1”和“從1到100”是近年來常見于媒體的表述，前者指原始創新，后者意為原始創新落到實處并在各領域得到廣泛應用。然而，究竟何為“1”？OpenAI發布ChatGPT前后的過程，其主線即“從0到100”，
基于毫米波微帶天線設計的射頻電路實驗－（一）
本文設計了一個新的射頻電路設計性實驗項目———可用于無人機高度測量的毫米波雷達微帶天線的設計與實現。該實驗項目通過讓學生完成該天線的自主設計、仿真、優化、制作和測試的過程，引導學生來深入體會實際射頻工程中的實際流程和方法，從而提高其學習興趣，進而進一步培養其工程素質、實踐能力和創新精神。
基于毫米波微帶天線設計的射頻電路實驗－（二）
2． 3 天線陣列設計 1) 天線形式確定 ? 上式中，λ 0 為中心頻率處的真空波長; f x 和 σ x為波束展寬因子; d 為輻射單元間距; N 為輻射單元數，α m 為最大輻射方向與平面陣元之間的夾角。為滿足單元副瓣抑制條件，單元間距 d 必須小于波長λ 0
超短脈沖發生器
對于超高分辨率雷達、擴頻通信技術以及其它許多需要寬帶輻射的應用來說,超短脈沖發生器是十分重要的,從某種程度上來講,超短脈沖的形成技術已成為許多寬帶應用中的核心技術。目前,有許多有關該技術的研究集中在激光二極管驅動的GaAs光開關上,但是這些器件還不能在小于200 ps的情況下正常工作,同時,激光
激光蝕刻催生GaAS太赫茲輻射
當沒有更便宜更有效的方法來批量生產太赫茲發射器（ terahertz emitters）時，激光蝕刻 不失為一個增大砷化鎵（gallium arsenide：GaAs）輸出的好辦法。GaAs是一種常見的用于這些設備的半導體材料。 日本沖繩科學技術研究所(OIST：Okinawa Institute
半導體所在砷化鎵/鍺中拓撲相研究方面獲重要發現
中國科學院半導體研究所常凱研究組提出利用表面極化電荷在傳統常見半導體材料GaAs/Ge中實現拓撲絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相，這為拓撲絕緣體的器件應用又向前推進了一步。 拓撲絕緣體是目前凝聚態物理的前沿熱點問題之一。它具有
測量激光拉曼光譜儀的靈敏度時都是怎么測量的
在測量拉曼光譜儀的靈敏度參數時，有人提出，單晶硅的三階拉曼峰的強度跟硅分子的取向(什么111，100之類)的有關，使用不同取向的硅使用與其相匹配的激光照射時，其強度嚴重不一樣，是這樣嗎?不知道大家測量激光拉曼光譜儀的靈敏度時都是怎么測量的？1.是的，硅單晶片放置的方向不同峰的強度不同。一般只觀察52
費托合成催化劑助劑的機理研究取得突破
K助劑是費托合成鐵基催化劑不可或缺的組成部分，長期以來國際上對K助劑作用機理的認識一直處于混沌的“黑箱”狀態。近日，中國科學院山西煤炭化學研究所、中科合成油技術有限公司的合成油科研團隊從理論上闡明了費托合成鐵基催化劑的關鍵助劑K對活性相表面結構的調變作用，這對高性能煤制油催化劑的研制具有重要的指
單結鈣鈦礦太陽能電池光電轉換效率達26.1％
近日，中國科學技術大學教授楊上峰團隊在鈣鈦礦太陽能電池領域取得重要進展，傳統（n-i-p）結構的單結鈣鈦礦太陽能電池實現了26.1%的光電轉換效率，第三方機構認證效率為25.8%，為目前n-i-p結構鈣鈦礦太陽能電池中最高效率之一。相關研究成果日前發表于《焦耳》。鈣鈦礦太陽能電池是以有機-無機雜化鈣
單結鈣鈦礦太陽能電池光電轉換效率達26.1％
近日，中國科學技術大學教授楊上峰團隊在鈣鈦礦太陽能電池領域取得重要進展，傳統（n-i-p）結構的單結鈣鈦礦太陽能電池實現了26.1%的光電轉換效率，第三方機構認證效率為25.8%，為目前n-i-p結構鈣鈦礦太陽能電池中最高效率之一。相關研究成果日前發表于《焦耳》。 鈣鈦礦太陽能電池是以有機-無
砷化鎵材料的材料特性
GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、
太赫茲信號源Terahertz－sources（二）
2.?Terahertz sourcesThere are many sources of terahertz radiation. A small sampling is given in table?1.伽太科技提供太赫茲信號源，頻段覆蓋至THz。主要提供：寬帶VCO源、毫米波倍頻源、毫米波耿氏
一文讀懂毫米波技術與毫米波芯片
毫米波通信、毫米波雷達等與毫米波相關的概念正快速出現在我們的日常生活中，但對于毫米波技術，并非所有人均有所了解。為極大化普及毫米波相關概念，本文中將對毫米波技術以及毫米波芯片加以講解，以增進大家對毫米波的認知深度，以下為正文部分。由于毫米波器件的成本較高，之前主要應用于軍事。然而隨著高速寬帶
半導體所制備出近全組分可調的高質量GaAs1xSbx納米線
近日，中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員趙建華團隊及合作者在《納米快報》(Nano Letters)上發表了制備出近全組分可調的高質量GaAs1-xSbx納米線的成果。 作為重要的三元合金半導體，GaAs1-xSbx具有禁帶寬度從1.42 eV (GaAs)到0.72 eV
頻域稀疏毫米波人體安檢成像處理和快速成像稀疏陣...1
頻域稀疏毫米波人體安檢成像處理和快速成像稀疏陣列設計田鶴①②,?李道京①,?祁春超③????摘要：該文研究工作包括頻域稀疏毫米波人體安檢成像數據處理和用于快速安檢成像的稀疏陣列設計兩部分。首先基于柱面掃描成像模型，采用巴克碼隨機稀疏采樣方式減少成像所需數據量；提出一種基于干涉處理和頻域壓縮感知的3維
毫米波與太赫茲技術（一）
今日推薦文章作者為東南大學毫米波國家重點實驗室主任、IEEE Fellow 著名毫米波專家洪偉教授，本文選自《毫米波與太赫茲技術》，發表于《中國科學：信息科學》2016 年第46卷第8 期——《信息科學與技術若干前沿問題評述專刊》。摘要：本文概要介紹了毫米波與太赫茲技術的研究現狀，并根據國內外發展趨
基于報告基因生物學活性探索方?法
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合肥研究院液態金屬鋰鉛腐蝕模擬研究取得新進展
近期，中國科學院合肥物質科學研究院核能安全技術研究所在結構鋼液態金屬鋰鉛腐蝕研究方面取得新進展，研究揭示了結構鋼腐蝕與晶體取向的關聯性，相關成果發表在國際核材料期刊Journal of Nuclear Materials上。 液態金屬包層是目前國際上聚變堆包層設計研究的主要方案之一。聚變堆包層
晶體擇優取向的介紹
在一般多晶體中，每個晶粒有不同于鄰晶的結晶學取向，從整體看，所有晶粒的取向是任意分布的；某些情況下，晶體的晶粒在不同程度上圍繞某些特殊的取向排列，就稱為擇優取向或簡稱織構（見晶體結構）。
5G毫米波無線電射頻技術概述
業界普遍認為，混合波束賦形（例如圖 1 所示）將是工作在微波和毫米波頻率的 5G 系統的首選架構。這種架構綜合運用數字(MIMO) 和模擬波束賦形來克服高路徑損耗并提高頻譜效率。如圖 1 所示，m 個數據流的組合分割到 n 條 RF 路徑上以形成自由空間中的波束，故天線元件總數為乘
基于RapidOxy－100氧化安定測試儀的抗氧化快速測定
氧化安定性在中國古代如云母等也是制作白色顏料的原料之一，可以為化妝品增添光澤，在口紅、散粉、腮紅中。而一些礦物油如凡士林等最初則是從石油中提煉出來的副產品，有良好的抗氧化安定性和穩定性，安全性高較為溫和，可在人肌膚外形成保護膜。今天要介紹這款安東帕的氧化安定性測試儀RapidOxy 100，也可
肖基特二極管和開關二極管的區別
1:開關二極管是利用二極管的單向導電性，在半導體PN結加上正向偏壓后，在導通狀態下，電阻很小（幾十到幾百歐）；加上反向偏壓后截止，其電阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用開關二極管的這一特性，在電路中起到控制電流通過或關斷的作用，成為一個理想的電子開關。開關二極管的正向電阻很小，反向電阻很大，開關速