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    敘述離子源的應用介紹

    ① 離子摻雜與離子束改性 從20世紀60年代開始,人們將一定量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中,形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子的能量來控制;摻雜的濃度可通過積分離子流強度來控制。離子注入方法的重復性、可靠性比擴散法好。離子注入摻雜在半導體大規模集成電路的生產中已成為重要環節,用離子注入法取代舊的擴散等工藝在有些器件中已成為必然趨勢。 離子注入在金屬材料的改性中獲得的結果十分引人注目。在常用金屬的離子注入改性中,可以提高金屬的硬度、抗腐蝕性能和抗疲勞強度,降低金屬的磨損率。某些絕緣材料如陶器、玻璃、有機材料經離子束照射以后,性質發生重要的變化,獲得新的用途。 離子束照射和摻雜的過程是非熱平衡過程,因此用這種方法可以獲得用一般冶金和化工方法無法得到的新材料。能量較低(50~400keV)的專門用于離子注入的小型加速器“離子注入機”,已成為一種專門設備,體積相當于一臺電子顯微鏡或高壓示波器,使用維護都很方便。在類......閱讀全文

    敘述離子源的應用介紹

      ① 離子摻雜與離子束改性  從20世紀60年代開始,人們將一定量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中,形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子的能量來控制;摻雜的濃度可通過積分離子流強度來控制。離子注入方法的重復性、可靠性比擴散法好。離子注入摻雜在半導體大規模集成電路的生產中已成為重要環節,用離子

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