寬帶隙半導體材料的特性
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣播電臺、電視臺，唯一的大功率發射管還是電子管，沒有被半導體器件代替。這種電子管的壽命只有兩三千小時，體積大，且非常耗電；如果用碳化硅的高功率發射器件，體積至少可以減少幾十到上百倍，壽命也會大大增加，所以高溫寬帶隙半導體材料是非常重要的新型半導體材料。這種材料非常難生長，硅上長硅，砷化鎵上長GaAs，它可以長得很好。但是這種材料大多都沒有塊體材料，只得用其它材料做襯底去長。比如說氮化鎵在藍寶石襯底上生長，藍寶石跟氮化鎵的熱膨脹系數和晶格常數相差很大，長出來的外延層的缺陷很多，這是最大的問題和難關。另外這種材料的加工、刻蝕也都比較困難。科......閱讀全文
寬帶隙半導體材料的特性
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
寬帶隙半導體材料的特征
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
廈大研發新型寬帶隙半導體材料－－促深紫外光子學發展
廈大自主研發的新型寬帶隙半導體材料為深紫外光子學的發展提供了新的思路和方向。它的“秘訣”在于材料純度和結構質量高，通過其中激子和光子的相互轉化特性可以輕松實現深紫外光的發射，從而大大提升激光器件的發光能效。近期，相關研究成果刊登在《自然》出版集團旗下的在線開放刊物《科學報道》上。 據了解，
半導體材料的特性
半導體材料的特性：半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
半導體材料的特性要求
半導體材料的特性參數對于材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。晶體管對材料特性的要求 ：根據晶體管的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料制成的晶體管可以工作于更高的頻率（有較好的頻率響應）。晶體缺陷會影響晶體管的特性甚至使其失效。晶體管的工作溫度
半導體材料的特性和參數
半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質后，由于雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。
半導體材料的特性要求
半導體材料的特性參數對于材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。晶體管對材料特性的要求 ：根據晶體管的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料制成的晶體管可以工作于更高的頻率（有較好的頻率響應）。晶體缺陷會影響晶體管的特性甚至使其失效。晶體管的工作溫度
低維半導體材料的特性
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，發展納米科學技術的重要目的之一，就是人們能在原子、分子或者納米的尺度水平上來控制和制造功能強大、性能優越的納米電子、光電子器件和電路，納米生物傳感器件等，以造福人類。可以預料，納米科學技術的發展和應用不僅將徹底改變人們的生產和生活方式
寬帶隙太陽能電池材料及其疊層器件研究獲進展
聚合物太陽能電池具有質量輕、柔性及低成本等獨特的優勢，近10多年來受到世界各國科學工作者的廣泛關注。如何在拓寬材料分子吸收的同時，保持高開路電壓是有機光伏領域一個重要研究內容。采用疊層器件結構將兩個具有不同吸收范圍的單結電池串聯起來，可以同時實現寬吸收光譜與高開路電壓，是提升有機太陽能電池效率的
寬帶隙太陽能電池材料及其疊層器件研究獲進展
聚合物太陽能電池具有質量輕、柔性及低成本等獨特的優勢，近10多年來受到世界各國科學工作者的廣泛關注。如何在拓寬材料分子吸收的同時，保持高開路電壓是有機光伏領域一個重要研究內容。采用疊層器件結構將兩個具有不同吸收范圍的單結電池串聯起來，可以同時實現寬吸收光譜與高開路電壓，是提升有機太陽能電池效率的
常用的半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
我國學者以MXene材料成功制備直接帶隙半導體型ScCxOH材料
隨著柔性透明電子技術的興起，二維半導體材料近年來備受關注，特別是直接帶隙特性使得這些二維結構有望應用在光電子學領域。在過去十年里，研究者們已相繼發展出MoS2和磷烯等典型的具有直接帶隙的二維半導體材料。然而，MoS2的帶隙是層數依賴性的，直接帶隙僅能在單層結構中實現，而磷烯在空氣環境中的化學性質
硫化銀半導體材料的物質特性
在1833年，電子學之父法拉第發現了硫化銀的電阻與金屬不同，隨著溫度的上升，它的電阻反而降低，即導電性增強。有雙晶結構：（1）灰黑色斜方結晶硫化銀。密度7.326g/cm3。175℃為轉變點。溶于氰化鉀、濃硫酸、硝酸，不溶于水。（2）黑色立方結晶硫化銀。密度7.317g/cm3。熔點825℃。溶于氰
新型有機半導體材料的特性及應用介紹
其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用于制造現代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管。科學家們表示，最新研究有望讓人造皮膚、智能繃帶、柔性顯示屏、智能擋風玻璃、可穿戴的電子設備和電子墻紙等變成現實。昂貴的原因主要因為電視機、電腦和手機等電子產品都由硅制成，制造成本很高;而碳基(塑料)有機電
我科學家首創出新型太陽能電池
日前，廈門大學物理與機電工程學院康俊勇教授課題組研發成功一種新型太陽能電池，即將氧化鋅和硒化鋅兩種寬帶隙半導體材料用作太陽能電池，從而大大穩定了太陽能電池的性能并使其壽命延長。這也是國際上首次實現了寬帶隙半導體在太陽能電池中的應用。近期，英國皇家化學學會的《材料化學》雜志發表了這一成果，在國際上
什么是半導體異質結
半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構異質結圖冊，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的
什么是半導體異質結
半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構異質結圖冊，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的
異質結在半導體光電子器件中有哪些作用
半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構異質結圖冊，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的
半導體的特性
半導體的導電性能比導體差而比絕緣體強。實際上，半導體與導體、絕緣體的區別在不僅在于導電能力的不同，更重要的是半導體具有獨特的性能（特性）。?1． 在純凈的半導體中適當地摻入一定種類的極微量的雜質，半導體的導電性能就會成百萬倍的增加—-這是半導體zui顯著、zui突出的特性。例如，晶體管就是利用這種特
青島能源所在超寬帶隙共軛聚合物研究中取得進展
有機半導體材料主要應用于有機場效應晶體管（OFET）、本體異質節太陽能電池（BHJ-OPV）、有機電致發光材料（OLED）以及傳感器等，其結構便于設計、性能易于調控，以及可用于制備柔性電子器件等獨特優勢，吸引了科學界的廣泛關注，是未來國家材料以及能源發展的重要方向之一。含有內酰胺官能團的異靛藍分
半導體材料硫化鉑光電特性的相關研究獲進展
記者6月20日從云南大學材料與能源學院獲悉，該學院楊鵬、萬艷芬團隊經過持續研發，解決了類石墨烯材料大面積均勻少層硫化鉑的合成及其結構和物理性能的一系列問題，為更豐富的應用場景器件開發提供支持，同時給行將終結的摩爾定律注入新的希望，提供極具潛力的半導體材料。 “微電子技術歷經半個多世紀發展，給人
半導體材料－硫化鉑光電特性研究獲新突破
記者6月20日從云南大學材料與能源學院獲悉，該學院楊鵬、萬艷芬團隊經過持續研發，解決了類石墨烯材料大面積均勻少層硫化鉑的合成及其結構和物理性能的一系列問題，為更豐富的應用場景器件開發提供支持，同時給行將終結的摩爾定律注入新的希望，提供極具潛力的半導體材料。 “微電子技術歷經半個多世紀發展，給人
新型單元素二維原子晶體材料黑磷或將成“第二個石墨烯”
科技日報訊 （記者馬愛平）記者近日從深圳大學獲悉，由深圳大學——新加坡國立大學光電協同創新中心教授張晗帶領的深圳市孔雀創新團隊首次研發了基于黑磷的光纖鎖模激光器，得到了超短脈沖激光的輸出信號。 近年來，在石墨烯產業蓬勃發展之際，另一種新型單元素二維原子晶體材料——黑磷被發現。與石墨烯類似，黑磷
線隙式過濾器的特性有哪些
線隙式過濾器的特性有哪些? 一、優點： 線隙式過濾器的濾芯，是一種用銅線或者鋁線緊密纏繞在筒形骨架上的濾芯; 線隙式過濾器的油液經過金屬線之間的孔隙，進入內部，再從上方的孔道流出; 線隙式過濾器結構簡單，通量大，特別適合于要求不間斷地精細過濾油品的場合，多用于回油過濾。 二、缺點：
異質結激光器的結構功能
中文名稱異質結激光器英文名稱heterostructure laser定 義有源區為窄直接帶隙半導體材料，限制層為寬帶隙半導體材料所形成的三層結構二極管激光器。應用學科材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科）
異質結激光器的功能介紹
中文名稱異質結激光器英文名稱heterostructure laser定 義有源區為窄直接帶隙半導體材料，限制層為寬帶隙半導體材料所形成的三層結構二極管激光器。應用學科材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科）
元素半導體的基本特性
典型的半導體材料居于Ⅳ-A族，它們都具有明顯的共價鍵；都以金剛石型結構結晶；它們的帶隙寬度隨原子序數的增加而遞減，其原因是其鍵合能隨電子層數的增加而減小。V-A族都是某一種同素異形體具有半導體性質，其帶隙寬度亦隨原子序數的增加而減小。