氮化鎵功率芯片的應用領域
1）手機充電器。主要有2 個原因，①手機電池容量越來越大，從以前的可能2 000 mA·H 左右，到現在已經到5 000 mA·H。GaN 可以減少充電時間，占位體積變小。②手機及相關電子設備使用越來越多，有USB-A 口、USB-C 口，多頭充電器市場很大，這也是GaN 擅長的領域。2）電源適配器。可用于平面電視、游戲機、平板等。GaN 適配器可以做得更小、更輕，大約每年有20 億美元左右的市場。3）數據中心。據納微測算，每年GaN 功率芯片可以節省19 億美元左右的電費（如圖1）。圖1 數據中心采用GaN的能效推測（來源：納微半導體）4）太陽能發電。不僅可以把太陽能的逆變器放在家里非常小的地方，而且消費者可以用到更便宜的電力（如圖2）。5）電動汽車。由于GaN 有優異的特性，可以實現小型化。可以把汽車里的OBC（車載充電機）、DC/DC（直流/ 直流）做到更小、更輕（圖3）。圖3 電動汽車中，GaN與Si的比較可見，GaN ......閱讀全文
微電子所在氮化鎵界面態研究方面取得進展
近日，中國科學院微電子研究所高頻高壓中心研究員劉新宇團隊等在GaN界面態研究領域取得進展，在LPCVD-SiNx/GaN界面獲得原子級平整界面和國際先進水平的界面態特性，提出了適用于較寬能量范圍的界面態U型分布函數，實現了離散能級與界面態的分離。 增強型氮化鎵MIS-HEMT是目前尚未成功商用
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（二）
最近接連有消息報道，在美國和歐洲，氮化鎵和碳化硅技術除了在軍用雷達領域和航天工程領域得到了應用，在電力電子器件市場也有越來越廣泛的滲透。氮化鎵/碳化硅技術與傳統的硅技術相比，有哪些獨特優勢？ 大家最近都在談論摩爾定律什么時候終結？硅作為半導體的主要材料在摩爾定律的規律下已經走過了50多
氮化鎵植于石墨烯可制成隨意折疊變形的LED材料
目前，許多由有機材料制造的電子和光電子材料都具備良好的柔韌度，易于改變形狀。與此同時，不易形變的無機化合物在制造光學、電氣和機械元件方面展現出了強大的性能。但由于技術原因，二者卻很難優勢互補，功能優異的無機化合物半導體也因不易塑形的特點而遇到了發展障礙。 幸好，氮化鎵與石墨烯的結合，部分實現了
生物芯片的應用領域
最大用途在于疾病檢測基因表達水平的檢測 用基因芯片進行的表達水平檢測可自動、快速地檢測出成千上萬個基因的表達情況。謝納(M.Schena) 等用人外周血淋巴細胞的cDNA文庫構建一個代表1046個基因的cDNA微陣列，來檢測體外培養的T細胞對熱休克反應后不同基因表達的差異，發現有5個基因在處理后存在
蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領域取得進展
近年來，大數據、互聯網和人工智能的快速發展，對數據處理的速度和效率提出了更高的要求。人類大腦是最復雜的計算系統之一，可以通過密集協調的突觸和神經元網絡同時存儲、整合和處理大量的數據信息，兼具高速和低功耗的優勢。受人腦的啟發，人工突觸器件應運而生。人工突觸器件因具有同時處理和記憶數據的能力而備受關
氧化鎵功率電子器件領域新進展，入選ISPSD
近日，中國科大微電子學院龍世兵教授課題組兩篇論文入選第34屆功率半導體器件和集成電路國際會議（ISPSD，全稱為：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半導體器件和集成電路領域國際頂級
生物芯片應用領域
最大用途在于疾病檢測基因表達水平的檢測 用基因芯片進行的表達水平檢測可自動、快速地檢測出成千上萬個基因的表達情況。謝納(M.Schena) 等用人外周血淋巴細胞的cDNA文庫構建一個代表1046個基因的cDNA微陣列，來檢測體外培養的T細胞對熱休克反應后不同基因表達的差異，發現有5個基因在處理后存在
生物芯片應用領域
1、基因表達水平的檢測 用基因芯片進行的表達水平檢測可自動、快速地檢測出成千上萬個基因的表達情況。Schena等采用擬南芥基因組內共45個基因的cDNA微陣列（其中14個為完全序列,31個為EST），檢測該植物的根、葉組織內這些基因的表達水平，用不同顏色的熒光素標記逆轉錄產物后分別與該微陣列雜
GaN－功率芯片的特點和技術優勢
GaN（氮化鎵）的特性與傳統Si（硅）有很大區別，例如開關速度比Si 快20 倍，體積和重量更小，某些系統里可以節能約40%。這是非常可觀的，對于實現“雙碳”目標很有助益。它的功率密度可以提升3 倍，如果搭配快充方案，充電速度提升3 倍以上，而且成本也很合理，相比Si 的BOM（物料清單）方案，系統
中科院突破高效LED芯片及材料關鍵技術
在“十一五”國家863計劃新材料領域項目的支持下，由中國科學院半導體研究所承擔的“高效氮化物LED材料及芯片關鍵技術”創新團隊項目課題，通過技術輻射和轉移、人才培養以及國際交流合作等方式，實現了先進技術的引進、消化、吸收、再創新，從而提高了中國半導體照明產業的國際競爭能力，推動了中國半導體照明工
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（三）
SiC的高壓肖特基二極管應該是在幾年內在軌道交通中得到引用。而開關管的應用需要更長的系統評估。中車和國網在這方面的持續投入研發為SiC功率器件研究打下了深厚的基礎，是國家第三代半導體器件發展的中堅力量。 現在大家講第三代半導體產業往往關注于電力電子器件和射頻器件的市場，其實第三代半導體
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（四）
想要電動機啟動，可不是合上閘這么簡單。想要實現遠程控制和多點控制，需要做的還有很多。本文列舉幾個最基本的電動機控制回路，除了在生產中的機械控制需要用到外，在設計PLC電路時，這些也是必備單元。 本文將由易到難逐一講解。 電動機控制回路常用元件 按鈕▼ 按鈕分為啟動按鈕、停止按
晶能光電推進硅襯底LED產業化
在日前舉行的廣州國際照明展上，晶能光電公司展出的6英寸硅襯底LED芯片，以及聯合晶和照明推出的采用硅襯底大功率LED芯片的硅襯底模組，引起了國內外眾多行業人士的廣泛關注。 據了解，晶能光電創新性地運用“硅”代替傳統的“藍寶石”或“碳化硅”作為襯底制造氮化鎵基LED器件，在全球
射頻前端
今天，我們將帶大家認識一下?5G?的射頻技術。 5G 愿景的真正實現，還需要更多創新。網絡基站和用戶設備（例如：手機）變得越來越纖薄和小巧，能耗也變得越來越低。為了適合小尺寸設備，許多射頻應用所使用的印刷電路板（PCB）也在不斷減小尺寸。因此，射頻應用供應商必須開發新的封裝技
探索射頻前端技術
引言：2017 年，Qorvo 出版了第 1 版《5G 射頻技術 For Dummies》。該書以通俗易懂的語言，幫助業界許多人士掌握了一些圍繞 5G 技術的復雜概念。在之前，我們也做了《科普丨重新認識 5G》、《科普丨了解 5G 核心實現技術》、《科普丨發現 5G 的不同之處》、《科普丨介紹
傅里葉紅外光譜儀在第三代Sic半導體應用
據消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。當前，以碳化硅為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視，不少半導體廠商已率
中瓷電子：氮化鋁產品領域已經實現關鍵核心技術突破
集微網消息，近日，中瓷電子在接受調研時表示，公司氮化鋁產品領域已經實現關鍵核心技術突破，相關產品性能已經達到國外同類水平。產品主要包括：氮化鋁基板、氮化鋁薄膜金屬化基板、氮化鋁厚膜金屬化基板、氮化鋁覆銅板和氮化鋁多層陶瓷外殼等，已經實現批量化生產，可滿足電力電子功率模塊、大功率激光器、光通訊外殼su
國家標準氮化鎵材料中鎂含量的測定二次離子質譜法
１國家標準《氮化鎵材料中鎂含量的測定二次離子質譜法》編制說明（預審稿）一、工作簡況1.立項的目的和意義GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SiC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP
南科大在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領域取得進展
近日，南方科技大學電子與電氣工程系助理教授馬俊與瑞士洛桑聯邦理工大學教授Elison Matioli、蘇州晶湛半導體有限公司董事長程凱等團隊合作，在Nature Electronics發表了題目為“Multi-channel nanowire devices for efficient power
光電化學蝕刻可用于制造氮化鎵中高縱橫比深溝槽
日本SCIOCS有限公司和法政大學曾報導了在氮化鎵（GaN）中利用光電化學（PEC）蝕刻深層高縱橫比溝槽的進展［Fumimasa Horikiri et ?al， Appl． Phys． Express， vol11， p091001， 2018］。 該團隊希望該技術能夠在高場中能夠
首支硅襯底氮化鎵基激光器問世可大幅降低器件制造成本
中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。 隨著半導體科技的高速發展，科技工作者發現基于傳統技術路線來進行芯片與系統之間的數據通信越來越難以滿足更快的
利用－ALLOS－的－200－mm－和－300－mm－硅基氮化鎵外延片，將－microL...
利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片，將 microLED 應用于硅產業領域 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰，ALLOS 應用其獨特的應變工程技術，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片
生物芯片有哪些應用領域
1.生物制藥領域各大藥廠和生物技術公司將會使用基因芯片發現篩選新藥等。采用基因芯片技術，可以大大加快人類基因組計劃的工作進度，其可用于基因測序、基因表達檢測和新的遺傳標志等，這對尋找新的功能基因、尋找新的藥物作用靶點和開發新的基因藥物具有重要意義。新藥在實驗階段要通過人體安全性實驗，就必須觀察藥物對
2024上海國際充電產業展覽會11月誠邀參展
2024上海國際充電產業展覽會時間：2024年11月18日-20日地點：上海新國際博覽中心展會主題“新技術、新產品，打造一站式選型采購平臺”主辦單位：FREP-德國菲瑞會展集團、中國消費電子協會、中國電子信息產業協會、上海電子商會承辦單位: 德菲展覽(上海)有限公司展會概況:上海充電展，創辦至今，
2024深圳國際智能充電產業展覽會6月開展
2024深圳國際智能充電產業展覽會時間：2024年6月19日-21日地點：深圳國際會展中心展會主題“新技術、新產品，打造一站式選型采購平臺”主辦單位：FREP-德國菲瑞會展集團、中國消費電子協會、中國電子信息產業協會、深圳電子商會承辦單位: 德菲展覽(上海)有限公司展會概況:深圳智能充電展，創辦至
蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應用研究取得系列成果
氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導體，作為第三代半導體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發展完善，現已廣泛應用于光電器件領域，如激光器（LD）、發光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗輻射性能和環境穩定性，使得其在核探測領域具有很好的
氮化鎵基LED用藍寶石圖形襯底－關鍵技術研究通過驗收
3月14日，由中國科學院半導體研究所承擔的北京市科委“氮化鎵基LED用藍寶石圖形襯底關鍵技術研究”項目順利通過北京市科委組織專家組驗收。專家們一致認為：項目的實施有利于提高半導體照明行業自主創新能力和產業競爭力，對推動北京市乃至全國半導體照明行業上游關鍵材料的發展具有重要的意義。 在北京市
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（四）
經過 頻譜分析儀和LISN測試，該設計的EMI符合EN55022B標準，并通過2.2 kV共模模式和1.1 kV 差分模式的浪涌測試。輸入電壓為115 Vac和230 Vac時，系統峰值效率分別超過95%和94%。該參考設計較現有采用硅的216 W電源參考設計減小25%的尺寸，提升2%的
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（三）
設計注意事項 采用GaN設計電源時，為降低系統EMI，需考慮幾個關鍵因素：首先，對于Cascode結構的GaN，閾值非常穩定地設定在2 V，即5 V導通，0 V關斷，且提供±18 V門極電壓，因而無需特別的驅動器。其次，布板很重要，盡量以短距離、小回路為原則，以最大限度地減少元