第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（三）
設計注意事項 采用GaN設計電源時，為降低系統EMI，需考慮幾個關鍵因素：首先，對于Cascode結構的GaN，閾值非常穩定地設定在2 V，即5 V導通，0 V關斷，且提供±18 V門極電壓，因而無需特別的驅動器。其次，布板很重要，盡量以短距離、小回路為原則，以最大限度地減少元件空間，并分開驅動回路和電源回路，而且需使用解調電容。對于硬開關橋式電路，使用磁珠而不是門極電阻，不要用反向二極管，使用解調母線電容。 此外，必須使用 浪涌保護器件，并通過適當的散熱確保熱性能，并行化可通過匹配門極驅動和電源回路阻抗完成，當以單個點連接時，要求電源和信號元件獨立接地。 一體化工作站正變得越來越輕薄，要求更輕和更小的 電源轉換器，這通常通過提高開關頻率來實現。傳統Si MOSFET在高頻工作下的開關和驅動損耗是一個關鍵制約因素。GaN HEMT提供較傳統MOSFET更低的門極電荷和導通電阻，從而實現高頻條件下......閱讀全文
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（三）
設計注意事項 采用GaN設計電源時，為降低系統EMI，需考慮幾個關鍵因素：首先，對于Cascode結構的GaN，閾值非常穩定地設定在2 V，即5 V導通，0 V關斷，且提供±18 V門極電壓，因而無需特別的驅動器。其次，布板很重要，盡量以短距離、小回路為原則，以最大限度地減少元
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（四）
經過 頻譜分析儀和LISN測試，該設計的EMI符合EN55022B標準，并通過2.2 kV共模模式和1.1 kV 差分模式的浪涌測試。輸入電壓為115 Vac和230 Vac時，系統峰值效率分別超過95%和94%。該參考設計較現有采用硅的216 W電源參考設計減小25%的尺寸，提升2%的
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（二）
Cascode相當于由GaN HEMT和低壓MOSFET組成：GaN HEMT可承受高電壓，過電壓能力達到750 V，并提供低導通電阻，而低壓MOSFET提供低門極驅動和低反向恢復。HEMT是高電子遷移率晶體管的英文縮寫，通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。圖1：GaN內部架構及
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（一）
第三代 半導體材料——氮化鎵( GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在 電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于 功率因數校正(PFC)、軟開關 DC-DC等電源系統設計，以及電源適配器、光伏 逆變器或 太陽能逆變器、服務
氮化鎵半導體材料的優點與缺陷
①禁帶寬度大（3.4eV），熱導率高（1.3W/cm-K），則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強；②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；③GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷
氮化鎵半導體材料的應用前景
對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發LED的 7年規劃，其目標是
第三代半導體有望寫入下月十四五規劃－成國產替代希望
近日，有媒體報道稱，權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。國信證券研報中指出半導體第三代是指半導體材料的變化，從第一代、
第三代半導體產研院成立
本報南京10月19日電 （記者王偉健）如何讓半導體器件更小、耐受更高電壓、具備更低導通電阻和更快的開關速度？以氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體將成為發展方向。日前，江蘇華功第三代半導體產業技術研究院成立，致力于第三代半導體技術的產業化。 硅半導體材料和器件在材料質量、器件設計、工藝優化等
科技部：第三代半導體器件制備及評價技術獲突破
從科技部公布的信息了解到，近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件制備及評價技術”項目驗收會。項目重點圍繞第三代半導體技術中的關鍵材料、關鍵器件以及關鍵工藝進行研究，開發出基于新型基板的第三代半導體器件封裝技術，并實現智能家居演示系統的試制。 專家介紹
氮化鎵半導體材料光電器件應用介紹
GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
傅里葉紅外光譜儀在第三代Sic半導體應用
據消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。當前，以碳化硅為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視，不少半導體廠商已率
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（二）
最近接連有消息報道，在美國和歐洲，氮化鎵和碳化硅技術除了在軍用雷達領域和航天工程領域得到了應用，在電力電子器件市場也有越來越廣泛的滲透。氮化鎵/碳化硅技術與傳統的硅技術相比，有哪些獨特優勢？ 大家最近都在談論摩爾定律什么時候終結？硅作為半導體的主要材料在摩爾定律的規律下已經走過了50多
半導體兩大原材料淺析
半導體原料共經歷了三個發展階段：第一階段是以硅 （Si）、鍺 （Ge） 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵 （GaAs）、磷化銦 （InP） 等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化鋅 （ZnSe） 等寬帶半導體原料為主。第三代半導體原料具有
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（三）
SiC的高壓肖特基二極管應該是在幾年內在軌道交通中得到引用。而開關管的應用需要更長的系統評估。中車和國網在這方面的持續投入研發為SiC功率器件研究打下了深厚的基礎，是國家第三代半導體器件發展的中堅力量。 現在大家講第三代半導體產業往往關注于電力電子器件和射頻器件的市場，其實第三代半導體
氮化鎵半導體材料的反應方程式
GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學反應實現的，其可逆的反應方程式為：Ga+NH3=GaN+3/2H2生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。人們通常采用的方法有常規MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等離子體增強MOCVD（PE—MOCVD
我國第三代半導體材料制造設備取得新突破
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。 通常，國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高
GaN：實現－5G－的關鍵技術
日前，由 EETOP 聯合 KEYSIGHT 共同舉辦的“2020 中國半導體芯動力高峰論壇”隆重舉行。Qorvo 無線基礎設施部門高級應用工程師周鵬飛也受邀參與了這次盛會，并發表了題為《實現 5G 的關鍵技術—— GaN》的演講。 首先，周鵬飛給我們介紹了無線基礎設施的發展。他表示
第三代半導體外延材料的產業化應用之路
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517721.shtm手機電腦快充器件、新能源車載電源、5G基站、MicroLED、深紫外LED……這些設備都離不開氮化鎵外延材料，這也讓該材料成為資本市場關注的“寵兒”。根據相關市場調研機構的預測顯示，到
微電子所等研制出國際先進的氮化鎵增強型MISHEMT器件
近日，中國科學院微電子研究所氮化鎵（GaN）功率電子器件研究團隊與香港科技大學教授陳敬團隊，西安電子科技大學教授、中科院院士郝躍團隊合作，在GaN增強型MIS-HEMT器件研制方面取得新進展，成功研制出具有國際先進水平的高頻增強型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半導體材料氮化鎵具有高禁帶
氮化鎵襯底晶片實現“中國造”
蘇州納維生產的4 英寸GaN 單晶襯底 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵（GaN）襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司（以下簡稱蘇州納維）的主打產品。 “不會游泳的
采用界面調控成功制備低位錯半絕緣GaN材料
1月19日，記者從廣東省科學院半導體研究所獲悉，該所研究團隊采用界面工程調控實現藍寶石襯底上低位錯半絕緣氮化鎵（GaN）材料制備。相關研究發表于《合金與化合物雜志》（Journal of Alloys and Compounds）。廣東省科學院半導體研究所高級工程師張康為該論文第一作者，
采用界面調控成功制備低位錯半絕緣GaN材料
1月19日，記者從廣東省科學院半導體研究所獲悉，該所研究團隊采用界面工程調控實現藍寶石襯底上低位錯半絕緣氮化鎵（GaN）材料制備。相關研究發表于《合金與化合物雜志》（Journal of Alloys and Compounds）。廣東省科學院半導體研究所高級工程師張康為該論文第一作者，陳志濤博士和
首支硅襯底氮化鎵基激光器問世可大幅降低器件制造成本
中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。 隨著半導體科技的高速發展，科技工作者發現基于傳統技術路線來進行芯片與系統之間的數據通信越來越難以滿足更快的
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應用研究取得系列成果
氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導體，作為第三代半導體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發展完善，現已廣泛應用于光電器件領域，如激光器（LD）、發光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗輻射性能和環境穩定性，使得其在核探測領域具有很好的
香山科學會議聚焦寬禁帶半導體
“隨著第三代半導體材料、器件及應用技術不斷取得突破，甚至可能在21世紀上半葉，導致一場新的信息和能源技術革命。”在11月8日召開的以“寬禁帶半導體發光的發展戰略”為主題的第641次香山科學會議上，與會專家指出，寬禁帶半導體核心技術一旦解決，必將引起應用格局的巨大改變。 如今，半導體發展已經歷了
下一代半導體的寬與窄
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體步入產業化階段，對新一代半導體材料的探討已經進入大眾視野。走向產業化的銻化物，以及國內外高度關注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導體。 超寬禁帶
氮化鎵是實現－5G－的關鍵技術
? 日前，與 SEMICON CHINA 2020 同期的功率及化合物半導體國際論壇 2020 在上海隆重舉行，Qorvo FAE 經理荀穎也在論壇上發表了題為《實現 5G 的關鍵技術—— GaN》的演講。 ?
2024深圳國際新能源汽車功率半導體展覽會
2024深圳國際新能源汽車功率半導體展覽會Shenzhen?New?Energy?Vehicle?Power?Semiconductor?Technology?Exhibition基本信息時間：2024年12月4-6日地點：深圳國際會展中心展會簡介?????“2024深圳國際新能源汽車功率半導體技術