常磁阻的概念
常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)對所有非磁性金屬而言，由于在磁場中受到洛倫茲力的影響，傳導電子在行進中會偏折，使得路徑變成沿曲線前進，如此將使電子行進路徑長度增加，使電子碰撞機率增大，進而增加材料的電阻。磁阻效應最初于1856年由威廉·湯姆森，即后來的開爾文爵士發現，但是在一般材料中，電阻的變化通常小于5%，這樣的效應后來被稱為“常磁阻”......閱讀全文
常磁阻的概念
常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)對所有非磁性金屬而言，由于在磁場中受到洛倫茲力的影響，傳導電子在行進中會偏折，使得路徑變成沿曲線前進，如此將使電子行進路徑長度增加，使電子碰撞機率增大，進而增加材料的電阻。磁阻效應最初于1856年由威廉·湯姆森，即后來的開爾文爵士發
磁阻效應的概念
磁阻效應(Magnetoresistance Effects)的定義:是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。金屬或半導體的載流子在磁場中運動時,由于受到電磁場的變化產生的洛倫茲力作用,產生了磁阻效應。
巨磁阻的概念
巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)所謂巨磁阻效應，是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象。巨磁阻是一種量子力學效應，它產生于層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關的
超巨磁阻的概念
超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)超巨磁阻效應（也稱龐磁阻效應）存在于具有鈣鈦礦(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻變化隨著外加磁場變化而有數個數量級的變化。其產生的機制與巨磁阻效應(GMR)不同，而且往往大上許多，所以被稱為“超巨磁阻”。 如同
異向磁阻的概念
異向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR)有些材料中磁阻的變化，與磁場和電流間夾角有關，稱為異向性磁阻效應。此原因是與材料中s軌域電子與d軌域電子散射的各向異性有關。由于異向磁阻的特性，可用來精確測量磁場。
穿隧磁阻效應的概念
穿隧磁阻效應(Tunnel Magnetoresistance,TMR)穿隧磁阻效應是指在鐵磁-絕緣體薄膜(約1納米)-鐵磁材料中，其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應。此效應首先于1975年由MichelJulliere在鐵磁材料(Fe)與絕緣體材料(Ge)發現；室溫穿隧磁阻效應則于19
常染色質的概念和特征
常染色質是指間期細胞核內染色質纖維折疊壓縮程度低，相對處于伸展狀態，用堿性染料染色時著色淺的那些染色質。在常染色質中，DNA組裝比為1/2 000~1/1 000，即DNA實際長度為染色質纖維長度的1 000~2 000倍。構成常染色質的DNA主要是單一序列DNA和中度重復序列DNA。常染色質并非所
磁阻效應的應用
磁阻效應廣泛用于磁傳感、磁力計、電子羅盤、位置和角度傳感器、車輛探測、GPS導航、儀器儀表、磁存儲(磁卡、硬盤)等領域。磁阻器件由于靈敏度高、抗干擾能力強等優點在工業、交通、儀器儀表、醫療器械、探礦等領域得到廣泛應用，如數字式羅盤、交通車輛檢測、導航系統、偽鈔檢別、位置測量等。其中最典型的銻化銦（I
磁阻效應的分類
若外加磁場與外加電場垂直，稱為橫向磁阻效應；若外加磁場與外加電場平行，稱為縱向磁阻效應。一般情況下，載流子的有效質量的馳豫時時間與方向無關，則縱向磁感強度不引起載流子偏移，因而無縱向磁阻效應。磁阻效應主要分為：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，異向磁阻，穿隧磁阻效應等常磁阻(OrdinaryMagnetor
磁阻效應的主要種類
磁阻效應主要分為：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，異向磁阻，穿隧磁阻效應等。
磁阻效應的發展經歷
材料的電阻會因為外加磁場而增加或減少，則稱電阻的變化稱為磁阻（MR）。磁阻效應是1857年由英國物理學家威廉·湯姆森發現的，它在金屬里可以忽略，在半導體中則可能由小到中等。從一般磁阻開始，磁阻發展經歷了巨磁阻（GMR）、龐磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直沖磁阻（BMR）和異常磁阻（EMR）。
磁阻效應的實驗原理
一定條件下，導電材料的電阻值R隨磁感應強度B的變化規律稱為磁阻效應。如圖1所示，當半導體處于磁場中時，導體或半導體的載流子將受洛侖茲力的作用，發生偏轉，在兩端產生積聚電荷并產生霍耳電場。如果霍耳電場作用和某一速度載流子的洛侖茲力作用剛好抵消，那么小于或大于該速度的載流子將發生偏轉，因而沿外加電場方向
假常染色體區段的概念和功能
中文名稱假常染色體區段英文名稱pseudoautosomal region segment定 義在人類的X和Y染色體的長臂端部及短臂遠端有高度同源的DNA序列的區段，在這個區域內發生減數分裂配對和染色體互換。應用學科遺傳學（一級學科），細胞遺傳學（二級學科）
什么叫做磁阻效應
1、磁阻效應(Magnetoresistance Effects)的定義：是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。金屬或半導體的載流子在磁場中運動時，由于受到電磁場的變化產生的洛倫茲力作用，產生了磁阻效應。2、霍耳傳感器它將霍耳元件固定于彈性敏感元件上，在壓力的作用下霍耳元件隨彈性敏
常染色體隱性遺傳病（AR）的概念和特點
常染色體隱性遺傳病（AR）常染色體隱性遺傳病是指由位于常染色體上的隱性致病基因只有在純合子時（aa）才發病，雜合子（Aa）狀態時，由于正常的顯性基因A的作用可以掩蓋致病基因a的作用，故Aa并不發病。這種帶有致病基因但不發病的個體稱致病基因攜帶者。攜帶者Aa可以把a基因傳給下一代。如果一對夫婦一位是a
常染色體顯性遺傳病（AD）的概念和特點
常染色體顯性遺傳病指位于常染色體上的顯性致病基因引起的疾病。人類體細胞有22對常染色體和1對性染色體。成對的常染色體的相同位點上有等位基因，他們有顯性（A）和隱性（a）之分。由于決定顯性性狀A基因是致病基因，所以，只要帶有A基因的個體都是病人，包括AA、Aa兩種基因型的人，基因型aa的個體是正常的。
石墨烯呈現創紀錄高磁阻
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/498393.shtm 科技日報北京4月12日電 （記者張佳欣）據最新一期《自然》雜志上發表的論文，英國曼徹斯特大學研究人員報告了在環境條件下石墨烯中出現的創紀錄的高磁阻。 在磁場下能強烈改變電阻率
隧道磁阻技術（TMR）及其應用簡介（三）
五、TMR磁傳感器產品在各個領域中的實際應用TMR磁傳感器產品的應用非常廣泛，包括工業控制、金融器具、生物醫療、消費電子、汽車領域等，其典型特征是低功耗、小尺寸、高靈敏度。1、在流量計領域中，智能水表、智能熱量表一般都采用電池供電，因此對傳感器的功耗要求非常苛刻。當前水表方案采用干簧管、低功耗霍爾器
隧道磁阻技術（TMR）及其應用簡介（二）
5、抗干擾性——很多領域里傳感器的使用環境沒有任何評比，就要求傳感器本身具有很好的抗干擾性。包括電子羅盤、金融磁頭等。（1）電子羅盤：大多數電路板產生的雜散磁場為地磁場的50倍以上；（2）金融磁頭：內部的各種電機產生的磁場的強度為磁性油墨磁場的50倍以上；（3）POS機磁頭：手機信號的磁場為磁頭磁場
隧道磁阻技術（TMR）及其應用簡介（一）
一、概述1、磁阻概念：材料的電阻會因外加磁場而增加或減少，電阻的變化量稱為磁阻（Magnetoresistance）。物質在磁場中電阻率發生變化的現象稱為磁阻效應。同霍爾效應一樣，磁阻效應也是由于載流子在磁場中受到洛倫茲力而產生的。從一般磁阻開始，磁阻發展經歷了巨磁阻（GMR）、龐磁阻（CMR）、異
常居DNA的定義
中文名稱: 常居DNA英文名稱: resident DNA定義:同一細胞內不同類型DNA的總稱。包括細胞核DNA、質粒DNA和噬菌體DNA。
磁阻元件的阻值變化為什么受溫度影響大
在圖中可看到，在0～t1這區間里電阻R隨溫度升高而減小；在t1～t2這區間里電阻R隨溫度的升高而增大；在t2～t3這區間里電阻R隨溫度的升高而減小．在家庭電路中電壓不變，電熱器的電功率P=U2R，可知電阻器的發熱功率與電阻成反比．在溫度升到t1前，電阻R隨溫度的升高而減小，功率增大，溫度升高更快；溫
科學家揭示產生巨磁阻效應的全新物理機制
近日，記者從哈爾濱工業大學深圳校區了解到，該校教授陳曉彬團隊在磁隧道結領域中取得新進展，揭示了產生巨磁阻效應的全新物理機制。相關成果發表在《物理評論快報》上。 磁阻器件在磁傳感和數據存儲技術中應用廣泛，實現高磁阻是提高磁阻器件靈敏度的關鍵。半金屬材料僅有一種自旋通道，用于半金屬器件中可自然實現
石墨烯在室溫下呈現出創紀錄磁阻
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/498413.shtm石墨烯是一種從石墨中提取的二維材料，呈蜂窩狀結構，已知比金剛石更堅硬，比銅更能導電。在石墨烯被發現近20年后，研究表明它是人們所知的最具磁阻的材料。現在，英國曼徹斯特大學的Andre
脫敏反應常采用的方法
常采用的方法有三種：注射脫敏治療過敏原注射脫敏治療是指用過敏原提取物進行皮內注射。脫敏注射從小劑量開始，逐漸增加劑量，以增加對過敏原的耐受性。脫敏治療一般至少需要2～3 年，長期的注射會帶來一定痛苦。舌下含服脫敏治療舌下含服脫敏治療是將誘發過敏的物質(如塵螨活性蛋白)制成不同濃度的脫敏液，用患者能適
常通舒顆粒的概述
常通舒顆粒是一種中成藥，主要用于治療習慣性便秘、老年性便秘及產后便秘。它的成分包括何首烏、當歸、赤芍、火麻仁和桑椹，這些成分共同作用，有助于滋陰養血和潤腸通便。
常壓過濾的相關介紹
此法最為簡便和常用，使用玻璃漏斗和濾紙進行過濾。過濾時，把圓形濾紙或方形濾紙折疊成四層，然后將濾紙撕去一角，把濾紙撐開成圓錐體，一邊為單層，一邊為三層，放于漏斗內。漏斗的錐角應為60，這樣濾紙可以完全貼在漏斗壁上。如果漏斗的錐角大于60，應適當改變濾紙的折疊角度，使之與漏斗的錐角相適應。然后用食
常染色質的功能
常染色質區域的基因可以被轉錄為信使RNA。常染色質區域非折疊的結構允許基因調控蛋白和RNA聚合酶與其上的DNA序列結合，從而開啟轉錄過程。在轉錄過程中，并非所有的常染色質都會被轉錄，但基本上非轉錄的部分會折疊為異染色質以保護暫時其上不用的基因。因此細胞的活性與細胞核中的常染色質數目有直接關系。常染色
常染色質的定義
常染色質是染色質（由DNA、RNA和蛋白質組成）的一種松散聚集的形式，這種聚集方式在基因中大量存在，并且相應的片段通常處于活躍的轉錄當中（但并非必要，即常染色質部分不一定都是高表達的序列）。常染色質構成了細胞核基因組中表達最活躍的一部分。
磁阻原件的阻值變化為什么受溫度的影響比較大
因為它是半導體元件。常見的磁阻元件為銻化銦材料，由于它的禁帶寬度低（0.18eV），所以導致它受溫度的影響就大，這是半導體物理性質決定的（學過半導體物理就知道了），實驗也證明如此。例如砷化鎵（1.47eV）的溫度系數就比硅（1.21eV）的小，這是因為它禁帶寬度比硅大。