碲化鈮展現下一代存儲器材料前景
美國東北大學研究人員驗證了濺射技術在制造大面積二維范德華四硫屬化物方面的潛在用途。利用這項技術，他們制造并鑒定了一種非常有前途的材料——碲化鈮，它具有約447℃（起始溫度）的超低熔點。這一成果發表在最近的《先進材料》雜志上。 相變存儲器是一種非易失性存儲器，它利用相變材料從非晶態（原子無序排列）轉變為晶態（原子緊密堆積在一起）的能力。這種變化產生了可逆的電特性，可用于存儲和檢索數據。近年來，二維范德華過渡金屬二硫屬化物已成為一種有前景的相變材料，可用于相變存儲器。 雖然這一領域還處于起步階段，但相變存儲器由于其高存儲密度和更快的讀寫能力，有望徹底改變數據存儲。但與這些材料相關的復雜開關機制和制造方法，仍然給大規模生產帶來了挑戰。 研究人員表示，濺射是一種廣泛使用的技術，涉及將材料薄膜沉積到基板上，從而能夠精確控制薄膜的厚度和成分。此次新研究所沉積的碲化鈮薄膜最初......閱讀全文
碲化鈮展現下一代存儲器材料前景
????? 美國東北大學研究人員驗證了濺射技術在制造大面積二維范德華四硫屬化物方面的潛在用途。利用這項技術，他們制造并鑒定了一種非常有前途的材料——碲化鈮，它具有約447℃（起始溫度）的超低熔點。這一成果發表在最近的《先進材料》雜志上。 相變存儲器是一種非易失性存儲器，它利用相變材料從非晶態（原子
磁控濺射技術應用的現狀
磁控濺射技術不僅是科學研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術，經過多年的不斷完善和發展，該技術也已經成為重要的工業化大面積真空鍍膜技術之一，廣泛應用于玻璃、汽車、醫療衛生、電子工業等工業和民生領域。例如，采用磁控濺射工藝生產鍍膜玻璃，其膜層可以由多層金屬或金屬氧化物祖成，允許任意調節能量通過
離子濺射儀器的技術指標
（1）樣品室大小：直徑120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直徑57mm×厚度0.1mm； （3）樣品臺：可以裝載12個SEM樣品座，高度可調范圍為50mm； （4）濺射控制：程序化數字控制，最大電流40mA； （5）濺射頭：低電壓平面磁
離子濺射儀器的技術指標
離子濺射儀器是一種用于交通運輸工程領域的分析儀器，于2016年06月28日啟用。 技術指標 （1）樣品室大小：直徑120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直徑57mm×厚度0.1mm； （3）樣品臺：可以裝載12個SEM樣品座，高度
磁控濺射技術的工藝歷史發展
1852年，格洛夫發現了陰極濺射，由于該方法要求工作氣壓高、基體溫升高和沉積速率低等，陰極濺射在生產中并沒有得到廣泛的應用。20世紀三十年代，J.Chapin發明了平衡磁控濺射，使高速、低溫濺射成為現實，磁控濺射真正意義上發展起來。 上世紀五十年代Schneider等采用離化濺射和平衡磁控濺射
碲化鎘的結構和用途
碲化鎘是由碲和鎘構成的一種重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半導體材料。分子式為CdTe，其晶體結構為閃鋅礦型，具有直接躍遷型能帶結構，晶格常數0.6481nm，熔點1092℃，密度5.766g/cm3，禁帶寬度1.5eV(25℃)，能帶構造為直接型，電子遷移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴遷移率(2
離子濺射儀濺射工作原理簡介
直流冷陰極二極管式，靶材處于常溫，加負高壓1-3kv，陽極接地。當接通高壓，陰極發射電子，電子能量增加到1-3kev，轟擊低真空中（3-10pA)的氣體，使其電離，激發出的電子在電場中被加速，繼續轟擊氣體，產生聯級電離，形成等離子體。離子以1-3kev的能量轟擊陰極靶，當其能量高于靶材原子的結合
碲化鋅的制備方法和用途
制備方法由鋅與碲在真空中加熱至800～900℃制得。用途碲化鋅可用作磷光體、半導體中光電導體。
碲化鋅理化性質和用途
理化性質碲化鋅是灰色或棕紅色粉末。通過升華可得寶石紅立方系晶體。在干燥空氣中穩定。熔點1238.5℃，相對密度6.3415。遇水則分解，放出有惡臭和有毒的碲化氫氣體。用途：作半導體中光電導體。理化性質化學式ZnTe。分子量192.97。灰色Chemicalbook或棕紅色粉末或紅色立方晶體。有毒!通
多晶碲化鎘合成方法介紹
碲化鎘的主要結構缺陷是填隙鎘原子，它提供n型電導，而鎘空位提供p型電導。用純度為99.9999%的碲和鎘按元素質量比1：1稱量，并將料裝入涂碳石英管內，在真空度小于4×10-4Pa下進行物料脫氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封Chemicalbook石英管。然后將密封好的石英管放入合成爐內進行
碲化鎘太陽能電池
CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體，帶隙1.5eV，與太陽光譜非常匹配，最適合于光電能量轉換，是一種良好的PV材料，具有很高的理論效率（28%），性能很穩定，一直被光伏界看重，是技術上發展較快的一種薄膜電池。碲化鎘容易沉積成大面積的薄膜，沉積速率也高。CdTe薄膜太陽電池通常以CdS ／CdT e異質結
我國率先實現鈮酸鋰單晶薄膜產業化
濟南晶正電子科技有限公司現已研制出鈮酸鋰單晶薄膜產品并量產，此舉使我國具有了全球領先產業化生產鈮酸鋰單晶薄膜的能力，標志著我國在光電新材料領域實現重大突破。 鈮酸鋰晶體是集電光、聲光、壓電、光彈、非線性、光折變及激光活性等效應于一身的人工合成晶體。濟南晶正電子科技有限公司采用離子注入及直接