氮化鋅的基本性質
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氮化鋅－用途與合成方法
生產方法將裝有約7g鋅粉的瓷舟放置在石英玻璃管內，急速通入氨氣，同時加熱該管。在500℃時，通氨氣17h；在550℃Chemicalbook時，通氨氣8h；最后在600℃時，再通氨氣16h。在這一過程中，約有3g鋅由于蒸發而損失掉，其余的鋅變成了Zn3N2。
氮化銦制備方法
步驟S1、提供一襯底，在所述襯底上沉積一層介電薄膜；步驟S2、對所述介電薄膜進行圖案化，得到均勻排列的多個介電凸臺；步驟S3、提供一反應室，將所述形成有介電凸臺的襯底放入反應室中并將所述反應室抽真空；步驟S4、在所述介電凸臺及襯底上Chemicalbook生長緩沖層，在介電凸臺的阻擋下，所述緩沖層的
氮化鉻生產方法
生產方法1.將低碳鉻鐵在真空加熱爐于1150℃氮化得到粗氮化鉻鐵，再經硫酸處理，除去鐵雜質。經過濾、水洗、干燥，即得氮化鉻。也可由氨和鹵化鉻反應制得。2.將高純度電解鉻粉末，在150mmHg(1mmHg=133.322Pa)柱的氮氣流中，于1060℃下加熱160h之后，排出氮氣并進行急冷，則制得Cr
氮化銦－用途簡介
氮化銦(InN)發展成為新型的半導體功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半導體材料中，氮化銦具有良好的穩態和瞬態電學傳輸特性，它有最大的電子遷移率、最大的峰值速率、最大的飽和電子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的帶隙、最小的電子有效質量等優異的性質，這些使Chemicalbook得氮化銦相對于氮化鋁(AlN)
氮化銦的應用特點
氮化銦是一種新型的三族氮化物材料。這種材料的引人之處在于它的優良的電子輸運性能和窄的能帶，有望應用于制造新型高頻太拉赫茲通信的光電子器件。氮化銦(InN)是氮化物半導體材料的一種。常溫常壓下的穩定相是六方纖鋅礦結構,是一種直接帶隙半導體材料。
氮化銦的結構特點
氮化銦是一種新型的三族氮化物材料。這種材料的引人之處在于它的優良的電子輸運性能和窄的能帶，有望應用于制造新型高頻太拉赫茲通信的光電子器件。氮化銦納米結構是研制相關量子器件的基礎。然而，一直以來，InN納米材料的生長往往要利用銦的氧化物或氯化物，這會在氮化銦納米材料中引入許多雜質，致使材料的光學、電學
氮化銦的基本特性
利用金屬有機化學氣相淀積生長的氮化銦薄膜的光致發光特性，由于氮化銦本身具有很高的背景載流子濃度，費米能級在導帶之上，通過能帶關系圖以及相關公式擬合光致發光圖譜可以得到生長的氮化銦的帶隙為0.67cV,并且可以計算出相應的載流子濃度為 n = 5.4×10cm，從而找到了一種聯系光致發光譜與載流子濃度
氮化鋁的應用歷史
氮化鋁于1877年首次合成。至1980年代，因氮化鋁是一種陶瓷絕緣體(聚晶體物料為70-210W?m?1?K?1，而單晶體更可高達275W?m?1?K?1)，使氮化鋁有較高的傳熱能力，至使氮化鋁被大量應用于微電子學。與氧化鈹不同的是氮化鋁無毒。氮化鋁用金屬處理，能取代礬土及氧化鈹用于大量電子儀器。氮