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最近，中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室由中美聯合培養的博士后Sefaattin Tongay等人在吳軍橋教授、李京波研究員、李樹深院士的團隊中，在二維ReS2 材料基礎研究中取得新進展，發現ReS2 是一種新的二維半導體材料。相關成果發表在2014年2月6日的《自然-通訊》上，即Nature Communication, 2014,5, Article number:3252, doi:10.1038/ncomms4252。該論文以半導體所超晶格國家重點實驗室為第一單位。 近年來，二維半導體材料因擁有新穎的物理性質而成為納米科學的研究熱點，除石墨烯以外，過渡金屬硫屬化合物(比如MoS2等二維材料)也受到了廣泛的關注。這類材料由厚度僅為數個原子的二維單層堆積而成，層與層之間為范德瓦耳斯作用。在人們的傳統觀念中，當這類層狀材料的層數逐漸減少直至單層的過程中，其電子結構和物理性質往往發生很大的改變，比如......閱讀全文
二維層狀晶體材料，比如石墨烯和二硫化鉬（MoS2）等，具有優良的電學性能和光學性能，因此被期待可用來發展更薄、導電速度更快的新一代電子元件、晶體管和光電器件。近幾年來，平面內各向異性的二維晶體材料，如黑磷(BP)，二硫化錸(ReS2)和二硒化錸(ReSe2)等，由于其具備的獨特性質和在納米器件方