世界第二高磁場超導磁體研制成功

　　記者日前從中科院電工所獲悉，該所超導磁體及強磁場應用研究部王秋良團隊采用自主研發的高溫內插磁體技術，研制出可產生27.2T中心磁場的超導磁體。這是由全超導磁體產生的世界第二高磁場。第一高磁場由日本理化技術研究所于2016年1月創造，測試結果為27.6T。

　　據介紹，REBCO超導體因抗拉伸強度高和高磁場下優異的載流特性，適宜于繞制極高場超導磁體。然而，REBCO帶材的結構是層狀的，在極高場條件下由于應力集中可能會出現分層現象。這會導致磁體損傷，無法穩定運行。

　　針對該問題，王秋良團隊相繼采用特制的綁扎裝置對磁體外層導線予以保護，并且調整內插磁體線圈的分層結構，以降低REBCO導線上的應力水平。同時，利用分級設計的方式提高內插磁體的安全裕度，使內插磁體的運行裕度得以大幅提高。

　　該團隊在今年5月11日獲得25.7T全超導磁體。此后，其研制的高磁場超導磁體經液氦條件測試，內插線圈運行電流達到169.2安培時，在15T的超導背場中產生了12.2T的中心磁場，實現了27.2T全超導磁體的穩定運行。這也是目前超導磁體穩定運行的最高磁場。