WIKI資訊
基于<111>，<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二極管：探索毫米波大氣窗最佳方向的比較研究1. IntroductionImpact avalanche transit time (IMPATT) diodes are well recognized two terminal solid-state devices to deliver sufficiently high power at both microwave and mm-wave frequency bands [1]. Silicon is the most popular base material for IMPATT diodes from the point of view of its advanced process technology [2–6]. However, GaAs is......閱讀全文
基于<111>，<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二極管：探索毫米波大氣窗最佳方向的比較研究1. IntroductionImpact avalanche transit time (IMPATT) diodes are well recogni
The appropriate restrictions in (1) have been imposed via the time varying boundary conditions at the depletion layer edges. The boundary conditio
The RF power output can be calculated from the following expression:PRF = (?)(VRF)2|Gp|Aj, (14)where V RF is the amplitu
Open in a separate windowFigure 4Static electric field profiles of (a) 35?GHz, (b) 94?GHz, (c) 140?GHz, and (d) 220?GHz DDR GaAs IMPATTs for diffe
1:開關二極管是利用二極管的單向導電性，在半導體PN結加上正向偏壓后，在導通狀態下，電阻很小（幾十到幾百歐）；加上反向偏壓后截止，其電阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用開關二極管的這一特性，在電路中起到控制電流通過或關斷的作用，成為一個理想的電子開關。開關二極管的正向電阻很小，反向電阻很大，開關速
對于高頻開關電源來說,由于頻率很高(相位變換)當正半周時二極管正篇導通此時無影響,如果肖特基二極管反向恢復比較慢時,當負半周到來由于肖特基二極管還沒有從正偏時的導通狀態變成截止相當于短路就等于是負半周的電壓與正半周的電壓疊加在肖特基二極管兩端,由于頻率很快,反向的時間就很短
一、在滿足耐壓，整流電流，沒有特殊要求情況下可以使肖特基二極管與快速恢復二極管互換。 二、肖特基二極管的簡單介紹： 肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流
肖特基二極管不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低（約
激光二極管：激光二極管是當前最為常用的激光器之一，在二極管的PN結兩側電子與空穴的自發復合而發光的現象稱為自發輻射。當自發輻射所產生的光子通過半導體時，一旦經過已發射的電子—空穴對附近，就能激勵二者復合，產生新光子，這種光子誘使已激發的載流子復合而發出新光子現象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大，
肖特基二極管的結構及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二極管，像肖特基二極管，TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被廣泛采用。除了普通PN結肖特基二