日本筑波大學舛本泰章教授訪問長春光機所
日本筑波大學物理學系舛本泰章(Yasuaki Masumoto)教授應邀訪問中科院長春光學精密機械與物理研究所期間，分別于11月1日和2日作了題為New artificial atoms–isoelectronic traps in GaP:N和Spin physics in semiconductor quantum dots的學術報告，重點地介紹了其所在研究小組最新工作進展，并同與會人員進行了深入討論。 在所期間，舛本泰章教授與長春光機所副所長申德振研究員商討了筑波大學物理學系和激發態物理重點實驗室之間的合作交流事宜，并表示希望長春光機所研究生到筑波大學學習深造。 舛本泰章教授一直從事半導體納米結構的激光光譜學研究，先后在Physical Review Letters，Physical Reviwe B等國際著名的期刊上發表了100余篇文章，是國際發光學會和半導體學術會議的國際委員。......閱讀全文
日本筑波大學舛本泰章教授訪問長春光機所
日本筑波大學物理學系舛本泰章(Yasuaki Masumoto)教授應邀訪問中科院長春光學精密機械與物理研究所期間，分別于11月1日和2日作了題為New artificial atoms–isoelectronic traps in GaP:N和Spin physics in
《納米快報》：一維半導體納米結構光子學
在基金委青年基金、納米重點項目和國家納米測試基金及973課題的支持下，湖南大學納米技術研究中心潘安練、鄒炳鎖教授等團隊成員和北京大學、國家納米中心以及德國馬普研究所合作，在一維半導體納米結構光子學的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半導體一維納米結構中光子輸運的概念，建立光傳播的理論模型，并在實驗
長春光機所在納米光學吸收結構研究中取得進展
近日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所應用光學國家重點實驗室的吳一輝課題組為了解決納米吸收結構對于入射角度的影響，提出了一種新型的全向偏振無關吸收結構。相關研究成果發表在Optics Express（DOI：10.1364/OE.23.00A413）上。 由于超常吸收納米結構在光電探測
日本筑波大學團隊發現睡意與腦內蛋白質有關
日本筑波大學教授柳澤正史(神經科學)的團隊在13日的英國科學雜志《自然》網絡版上發布研究成果稱，通過老鼠實驗發現大腦中的80種蛋白質活化時將導致犯困，而睡眠后又會恢復原狀。名為“單核苷酸多態性”的這些蛋白質被認為是睡意的“真面目”，似乎與睡眠本身有密切關系。圖片來源于網絡 柳澤等人認為蛋白質能
蘇州納米所陣列無機半導體納米結構研究獲系列進展
無機半導體納米結構電極在太陽能電池、光解水及能量存儲等器件中有著非常廣泛的應用。電極的比表面積以及電荷輸運能力是決定這些器件性能的關鍵因素。最近，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員封心建課題組在高性能無機半導體納米電極的研究中取得了系列新進展。 電極材料的微觀結構對其電學性能有著重要
筑波科技與Teradyne合作ETS設備－洞悉半導體車用市場趨勢
筑波科技與美商Teradyne合作，攜手推廣Eagle Test System (ETS)設備系列。本次亞太區域營銷總監黃奕茂Aik-Moh Ng訪臺交流分享ETS設備差異化優勢，針對全球功率半導體、WBG 半導體、車用半導體市場發展提供見解。 法規面而言，歐美對碳排放的要求日顯嚴苛，為減緩氣
西安光機所獲日本發明ZL授權
西安光機所“多數據率兼容型超高速自適應全光數據包速率倍增方法”獲日本發明ZL授權 6月3日獲悉，由中科院西安光學精密機械研究所張建國、趙衛、謝小平完成的“多數據率兼容型超高速自適應全光數據包速率倍增方法”項目在日本獲發明ZL授權。這是西安光機所近二十年來第二項在國外授權的ZL。 隨著互聯
西安光機所納米增透材料研究獲進展
如何簡單、高效、低成本地構筑大面積減反射增透膜層，實現高質量的寬光譜增透效能，一直是光學界面層領域的前沿研究課題。以往寬光譜增透膜層大都設計為多層膜結構，需要多次鍍膜實現，因此工藝復雜且成本高昂僅適用于高端儀器設備。 中國科學院西安光學精密機械研究所瞬態光學與光子技術國家重點實驗室郭昭龍和趙海
長春光機所半導體激光點火技術取得技術突破
中科院長春光機所發光學及應用國家重點實驗室以單肖楠副研究員為負責人的半導體激光點火研究團隊，在王立軍院士的指導下，在激光點火光路檢測技術、微型透鏡金屬化整形技術、小體積集成化封裝技術等方面取得突破。 近日，該團隊繼2008年進行某系統研制以來，應用激光點火技術開展的某項目進行了激光點火地面聯
長春光機所在卟啉分子自組裝納米結構合成方面獲新進展
近期，由中科院長春光學精密機械與物理研究所與河南大學的科研人員合作開展的卟啉分子自組裝納米結構合成，以及利用該卟啉納米結構合成中空鉑金屬納米結構的研究取得了一系列進展，相關成果未來有望應用于燃料電池的研發。 卟啉及其衍生化合物廣泛存在于生物體內和能量轉移相關的重要細胞器內，如動物體內的血紅
日本開發高精納米技術－可隨意改變分子結構
據日本共同社6月9日報道，日本自然科學研究機構分子科學研究所教授大森賢治等研究人員開發出了一種納米加工技術，可通過激光對分子的內部結構進行任意調整。 研究人員開發出了可在10萬億/1秒內連續發射兩次的激光裝置。激光發射的間隔可調節，精度為10萬萬億/1秒。用這種裝置發射激光對碘分子進行照射
半導體所在GaAs納米線結構相變研究方面取得新進展
最近，國際期刊《納米快報》（Nano Latters）報道了中科院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室趙建華研究員和博士研究生俞學哲關于通過三相線位移（triple phase line shift）調控GaAs納米線結構相變的研究成果。 作為傳統的III-V族半導體，GaAs體材料的穩
日本首次合成碳納米帶
日本名古屋大學的研究組最近首次成功合成了國際學界60年前理論上提出的筒狀碳分子“碳納米帶”。碳納米帶比同樣為筒狀結構的碳納米管(CNT)短，用于鑄模可獲得期望結構的碳納米管，將促進碳納米管的迅速普及。該成果發表在4月14日的《科學》雜志的電子版上。 研究組在合成無扭曲帶狀分子的基礎上，設計
日本成功開發磁性納米線
據《日刊工業新聞》7月3日報道，日本大阪大學大學院理學研究科附屬強磁場科學研究中心的萩原政幸教授和日本首都大學東京大學院理工學研究科的真庭豊教授共同研究，在單層碳納米管內充填氧分子，成功開發了可成為納米結構新型磁性體的納米線。磁性體納米線作為自旋電子材料可用于信息傳輸和控制等領域。 共同研
我國在大直徑半導體碳納米管手性結構實現宏量分離
從概念上講，碳納米管是由石墨烯卷曲形成的一維管狀分子，它不僅具有石墨烯優異的力學、熱學性能以及極高的載流子遷移率等特點，而且具有結構可調的能隙結構，表現出優異的電子以及光電子特性，是制備高速、低功耗、高集成度電子和光電子集成回路的理想材料。相對于傳統的Si基半導體器件，碳納米管電子器件的能效能夠
長春光機所又出新成果－全球首創“納米熒光炸彈”
近日，中科院長春光機所在國際上首次提出超級碳納米點的概念，并研制出基于超級碳納米點的水觸發“納米熒光炸彈”。復合該“納米熒光炸彈”的紙可以實現噴水熒光打印、指紋汗孔熒光采集等多種實際應用。 熒光成像可作為一種有效的技術方法，在數據存儲、數據安全和臨床診斷等領域具有重要應用。該方法很大程度上依賴
元素半導體的結構
具有半導體特性的元素，如硅、鍺、硼、硒、碲、碳、碘等組成的材料。其導電能力介乎導體和絕緣體之間。主要采用直拉法、區熔法或外延法制備。工業上應用最多的是硅、鍺、硒。用于制作各種晶體管、整流器、集成電路、太陽能電池等方面。其他硼、碳（金剛石、石墨）、碲、碘及紅磷、灰砷、灰銻、灰鉛、硫也是半導體，但都尚未
日本開發新型碳納米管
日本信州大學研究小組在碳納米管中成功植入結晶性硫原子鏈，制成導電性更加優良、在空氣中更加穩定的新型碳納米管，其導電性能更加優良，且在 300℃以下的空氣中呈現穩定狀態，可用于納米級微型導線的制作和能量儲存等領域。該成果屬世界首次，已刊載在英國《自然通訊》雜志上。 固體硫原子成環狀，不通
正式實施！日本尖端半導體出口管制生效
7月24日，外交部發言人毛寧主持例行記者會。 有記者提問，7月23日，日本針對尖端半導體制造設備的出口管制措施正式生效，請問中方對此有何評論？外交部發言人 毛寧 毛寧表示，日方不顧中方的嚴重關切，執意出臺和實施對華指向性明顯的出口管制措施，中方深感遺憾和不滿，已經在不同層級向日方提出了嚴正交
南京大學周勇教授入選英國皇家化學會會士
周勇教授于2009年9月加入南京大學環境材料與再生能源研究中心，主要研究方向為模擬自然界光合作用，利用光催化技術實現太陽燃料(Solar Fuels)合成。 目前以第一作者或通訊作者在國際重要期刊J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater.上發表論文超過110篇, 受邀在Adv.
筑波引進TeraView太赫茲時域光譜儀
?? 筑波科技近叁年來致力相關技術推廣，近日引進TeraView TeraPulse 4000型時域光譜儀，以780 nm飛秒光纖雷射及特殊ZL之光導開關，產生頻率範圍0.06 ~4.5THz之太赫茲波(1THz=1000GHz)，寬廣及穩定的太赫茲波足以提供各式材料分析及成像研究。 Te
筑波引進TeraView太赫茲時域光譜儀
筑波科技近叁年來致力相關技術推廣，近日引進TeraView TeraPulse 4000型時域光譜儀，以780 nm飛秒光纖雷射及特殊ZL之光導開關，產生頻率範圍0.06 ~4.5THz之太赫茲波(1THz=1000GHz)，寬廣及穩定的太赫茲波足以提供各式材料分析及成像研究。 TeraV
世界十大著名科技創新園區
科技創新園區是知識、技術、人才的高度集中和融科研、教育、生產為一體的科技資源開發區域。一個國家的科技尤其是技術要發展，要創新，少不了獲得政府的幫助和相關配套政策的扶持。為了更好地鼓勵科技企業進行創新，不少國家都開發出了不少集中管理的科技創新園區，讓個人、科技企業、大學和研究機構可以在園區內成立科
過程工程所等金屬半導體復合物核殼納米結構研究獲進展
金屬-半導體復合物的“等離子體協同效應”，使其在光催化，光電器件以及激光等領域都具有廣泛的應用前景。因此，如何精確地控制合成金屬-半導體復合物納米結構，已然成了研究熱點。 在雙組份復合系統中，核殼納米結構是最簡單的，也是最有效的結構。但是由于金屬與半導體之間的界面能比較大，使得半導體傾向于
半導體所等實現晶圓級高質量InAs納米結構的維度調控
最近，國際期刊《納米快報》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）報道了中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員趙建華團隊與合作者在晶圓級高質量InAs納米結構維度調控方面的最新研究成果。 InAs是一種重要的III-V
元素半導體的結構特性
元素半導體（element semiconductor）是由同種元素組成的具有半導體特性的固體材料，即電阻率約為10-5～107Ω·cm，微量雜質和外界條件變化都會顯著改變其導電性能的固體材料。周期表中，金屬和非金屬元素之間有十二種具有半導體性質的元素，硼(B)、金剛石(C)、硅(Si)、鍺(Ge)
半導體測試系統結構說明
半導體測試系統由三大部分組成，包括測量與控制、調理與路由、溫度環境。半導體測試系統測量與控制部分是整個系統的核心，主要組成硬件有LCR表，數字萬用表，耐壓儀，漏電流測試儀、示波器、信號發生器、功率發生器、精密編程電源等儀器。所有的硬件測量與控制資源通過信號調理和大規模的矩陣路由接入溫度控制環境中，
中國聚合納米薄膜應用打破日本壟斷
據中國科學院青海鹽湖研究所1日消息，該所在均三嗪二硫醇硅烷聚合納米薄膜制備及應用領域打破日本壟斷，中國成為全球第二個掌握該項技術的國家。 納米薄膜是指由尺寸為納米數量級(1-100nm)的組元鑲嵌于基體所形成的薄膜材料，它兼具傳統復合材料和現代納米材料的優越性。目前納米薄膜材料在國防、通訊、航
“納米畫筆”勾勒未來低維半導體器件
如今人們的生活節奏在加快，對電子設備的要求也越來越高。各種新款電子設備都在變著法子表明自己功能更強大、體型更輕薄。然而，電子設備的功能越豐富、性能越強大，意味著這些設備單位體積中容納的電子元件數目越多；體型越小意味著這些電子元件功能單元的體積越來越小。 就像我們每天都使用的手機，它的中央處理
長春光機所研制出發光碳納米點復合材料
近日，中國吉林網、吉刻APP記者從中科院長春光機所獲悉，曲松楠研究員課題組首次研制出基于碳納米點的超穩定、強熒光復合材料，這種復合材料在開發基于碳納米點的光電器件領域具有重要的應用前景。 曲松楠研究員對中國吉林網、吉刻APP記者說，“以往的發光材料主要是有機和無機的，有機材料通過一些小分子的合