大分子碳結構有機半導體問世
據美國物理學家組織網8月29日報道，一個國際科研團隊首次研制出了一種含巨大分子的有機半導體材料，其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用于制造現代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管。科學家們表示，最新突破將會讓以塑料為基礎的柔性電子設備“遍地開花”。相關研究發表在材料科學領域最著名的雜志《先進材料》上。 美國維克森林大學物理學副教授奧納·祖切斯庫和來自美國斯坦福大學、肯塔基大學、阿巴拉契亞州立大學、英國倫敦帝國理工學院等各個專業領域的科學家攜手合作，研制出了這種有機半導體材料。科學家們表示，最新研究有望讓人造皮膚、智能繃帶、柔性顯示屏、智能擋風玻璃、可穿戴的電子設備和電子墻紙等變成現實。 科學家們指出，在目前的消費市場上，電子產品都很昂貴，主要因為電視機、電腦和手機等電子產品都由硅制成，制造成本很高；而碳基（塑料）有機電子產品不僅制造方便、成本低廉，而且輕便柔韌可彎曲，代表了“電子設備無處......閱讀全文
晶體管新材料讓電子設備“溫柔體貼”
手套變成體征隨身監測器，智能手機可以疊成小塊、平板電腦可以卷進口袋……日前，天津大學李榮金、胡文平教授團隊首次利用“二維有機單晶可控制備”新技術，研制出新型高性能有機晶體管材料，為下一步制造高性能柔性紅外探測器奠定了材料基礎，也這意味著“薄如蟬翼、溫柔體貼”的可穿戴電子設備夢想距離實現又前進一大
大分子碳結構有機半導體問世
據美國物理學家組織網8月29日報道，一個國際科研團隊首次研制出了一種含巨大分子的有機半導體材料，其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用于制造現代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管。科學家們表示，最新突破將會讓以塑料為基礎的柔性電子設備“遍地開花”。相關研究發表在材料科學
美國發現新型二維半導體材料
近日，美國猶他大學發現一種新型二維半導體材料一氧化錫。據了解，該材料可用于制備計算機處理器和圖形處理器等電子設備內的晶體管，有助于研制出運行速度更快、更加節約能源的智能手機和計算機等電子設備。 當前，電子設備內晶體管的玻璃基板由許多層三維材料構成，如硅材料。其弊端在于當電子通過時，會在所有層內
美科學家擬研制新式真空晶體管突破摩爾定律限制
據物理學家組織網近日報道，美國科學家在近日出版的《自然—納米技術》雜志上宣稱，他們打算用真空替代硅電子設備作為電子傳輸媒介，據此研發出的新式真空管有望突破摩爾定律的藩籬，徹底改變電子學的面貌。 科學家們于1947年研制出了半導體晶體管，以替代笨重且低效的真空管。此后，科學家們一直在不斷研制
新型有機半導體材料的特性及應用介紹
其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用于制造現代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管。科學家們表示，最新研究有望讓人造皮膚、智能繃帶、柔性顯示屏、智能擋風玻璃、可穿戴的電子設備和電子墻紙等變成現實。昂貴的原因主要因為電視機、電腦和手機等電子產品都由硅制成，制造成本很高;而碳基(塑料)有機電
常見的半導體材料特點
常見的半導體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導體材料。有以下共同特點：1．半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間2．半導體受外界光和熱的刺激時，其導電能力將會有顯著
美研制出能在室溫工作的石墨烯變頻器
美國科學家首次制造出能在室溫下工作的石墨烯變頻器，克服了用石墨烯制造電子設備時的重要障礙——能帶隙。最新研究有望讓科學家們用石墨烯制造出數字晶體管，從而大大擴展石墨烯在電子設備領域的應用。 石墨烯是從石墨材料中剝離出來、由碳原子組成的二維晶體，只有一層碳原子的厚度，是迄今最薄
美研制出最快有機薄膜晶體管－為透明電子設備鋪路
這個郵票大小的玻璃上的透明晶體管，運行速度已經能夠媲美某些硅晶體管。 據物理學家組織網1月9日(北京時間)報道，美國內布拉斯加林肯大學和斯坦福大學的科學家，制造出了目前世界上運行最快的有機薄膜晶體管，證明了該技術在制造高清顯示設備以及透明電子設備上的巨大潛力。相關論文發表在1月8日出版的《
美首次制造出不使用半導體的晶體管
據美國每日科學網站6月21日報道，美國科學家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點，實現量子隧穿效應，制造出了沒有半導體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設備時代。 幾十年來，電子設備變得越來越小，科學家們現已能將數百萬個半導體集成在單個硅芯片上。該研究的領導者、密歇根理工大學的物理學家
量子隧穿效應“孵出”能效更高的隧穿晶體管
據美國物理學家組織網3月27日(北京時間)報道，美國圣母大學和賓夕法尼亞州立大學的科學家們表示，他們借用量子隧穿效應，研制出了性能可與目前的晶體管相媲美的隧穿場效應晶體管(TFET)。最新技術有望解決目前芯片上晶體管生熱過多的問題，在一塊芯片上集成更多晶體管，從而提高電子設備的計算能力。
美科學家研制出新型隧穿場效應晶體管
據美國物理學家組織網3月27日(北京時間)報道，美國圣母大學和賓夕法尼亞州立大學的科學家們表示，他們借用量子隧穿效應，研制出了性能可與目前的晶體管相媲美的隧穿場效應晶體管(TFET)。最新技術有望解決目前芯片上晶體管生熱過多的問題，在一塊芯片上集成更多晶體管，從而提高電子設備的計算能力。
碳納米管晶體管極具抗輻射能力
美國海軍研究實驗室電子科技工程師18日表示，他們發現由單壁碳納米管制作的晶體管(SWCNT)具有在苛刻太空環境中生存的能力。目前他們正在研究電離子輻射對晶體結構的影響，以及支持開發以SWCNT為基礎的用于太空輻射環境的納米電子設備。 實驗室材料研究工程師科里·克瑞斯表示，環繞地球外圍的電粒
塑料基底晶體管在美研制成功
晶體管中的電介質柵被換成一種雙層分子材料 晶體管制造一般是用玻璃作基底材料，這有利于在多變的環境下保持穩定，從而保證用電設備所需的電流。據美國物理學家組織網1月27日報道，美國佐治亞理工大學研究人員最近開發出一種雙層界面新型晶體管，性能極為穩定，還能在可控的環境中，以低于150攝氏
全碳電子產品可靈活集成到各種物體表面
韓國蔚山國立科學技術研究所和韓國電工研究所的研究人員采取一種新方法合成出完整的全碳電子設備，包括晶體管、電極、連接線及傳感器，大大簡化了它們的形成過程。這些價廉的電子設備可被附著在各種物體表面上，包括植物、昆蟲、紙、布及人的皮膚。該研究成果刊登在《納米快報》上。 新方法利用碳獨特的原子幾何形狀
全碳電子產品可靈活集成到各種物體表面
韓國蔚山國立科學技術研究所和韓國電工研究所的研究人員采取一種新方法合成出完整的全碳電子設備，包括晶體管、電極、連接線及傳感器，大大簡化了它們的形成過程。這些價廉的電子設備可被附著在各種物體表面上，包括植物、昆蟲、紙、布及人的皮膚。該研究成果刊登在《納米快報》上。 新方法利用碳獨特的原子幾何形狀
具有千個晶體管的二維半導體問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512252.shtm
美國：全新“負電容”晶體管－為高效晶體管研發帶來希望
2008年，美國普渡大學的一個研究團隊曾提出利用負電容原理制造新型低功耗晶體管的概念。近日，加州大學伯克利分校的研究人員通過實驗對這一概念進行了驗證演示。研究人員利用一層極薄的二硫化鉬二維材料半導體層作為臨近晶體管柵極的溝道。然后，利用鐵電材料氧化鋯鉿制作新型負電容柵極的關鍵組件。該研究內已于2
二維半導體材料家族又有“小鮮肉”
據美國猶他大學官網消息，該校工程師最新發現一種新型二維半導體材料一氧化錫（SnO），這種單層材料的厚度僅為一個原子大小，可用于制備電子設備內不可或缺的晶體管。研究人員表示，最新研究有助于科學家們研制出運行速度更快且能耗更低的計算機和包括智能手機在內的移動設備。 一氧化錫這個“小鮮肉”由猶他大學
高性能氮化鎵晶體管研制成功
據美國物理學家組織網9月22日（北京時間）報道，法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。此前，氮化鎵只能用于（111）-硅上，而目前廣泛使用的由硅制成的互補性金屬氧化半導體（CMOS）芯片一般
可在p型與n型間轉換的新式晶體管問世
據美國物理學家組織網12月21日（北京時間）報道，德國科學家研制出一種新式的通用晶體管，其既可當p型晶體管又可當n型晶體管使用，最新晶體管有望讓電子設備更緊湊；科學家們也可用其設計出新式電路。相關研究發表在最新一期的《納米快報》雜志上。 目前，大部分電子設備都包含兩類不同的場效應晶體管：
半導體的基本化學特征
半導體的基本化學特征在于原子間存在飽和的共價鍵。作為共價鍵特征的典型是在晶格結構上表現為四面體結構,所以典型的半導體材料具有金剛石或閃鋅礦(ZnS)的結構。?由于地球的礦藏多半是化合物，所以最早得到利用的半導體材料都是化合物,例如方鉛礦(PbS)很早就用于無線電檢波，氧化亞銅(Cu2O)用作固體整流
科技突破！具有千個晶體管的二維半導體問世
據最新一期《自然-電子學》報道，瑞士洛桑聯邦理工學院研究人員提出了一種基于二硫化鉬的內存處理器，專用于數據處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數字信號處理和人工智能模型的實現中無處不在，其效率的提高可為整個信息通信行業節約大量的能源。 新處理器將1024個元件組合到一個一平方厘米的芯
首塊納米晶體“墨水”制成的晶體管問世
晶體管是電子設備的基本元件，但其構造過程非常復雜，需要高溫且高度真空的條件。美韓科學家在《科學》雜志上報告了一種新型制造方法，將液體納米晶體“墨水”按順序放置。他們稱，這種效應晶體管或可用3D打印技術制造出來，有望用于物聯網、柔性電子和可穿戴設備的研制。 據賓夕法尼亞大學官網消息，研究人員在
砷化銦可替代硅制造未來電子設備
據美國物理學家組織網11月23日（北京時間）報道，美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室和加州大學伯克利分校的科學家成功地將厚度僅為10納米的超薄半導體砷化銦層集成在一個硅襯底上，制造出一塊納米晶體管，其電學性能優異，在電流密度和跨導方面也表現突出，可與同樣尺寸的硅晶體管相媲美。該研究結
美國科學家在碳納米管晶體管制造技術上獲得一項突破
美國威斯康星大學麥迪遜分校的科學家日前在碳納米管晶體管制造技術上獲得了一項突破。由其開發出的新型高性能碳納米管晶體管成功突破了純度和陣列控制兩大難題，在開關速度上獲得了比普通硅晶體管快1000倍，比此前最快的碳納米管晶體管快100倍的成績。碳納米管晶體管向正式商用邁出了關鍵一步。相關論文發表在《
新方法“刻”出最快柔性硅晶體管
美國威斯康星大學麥迪遜分校的科研團隊，在4月20日出版的《科學報告》雜志上撰文稱，他們使用一種獨特方法，研制出了處理速度最快的柔性硅基晶體管，能無線傳輸數據和能量，有望用在包括可穿戴電子設備和傳感器等在內的諸多領域。 目前這一柔性硅晶體管的截止頻率為創紀錄的38吉赫茲（GHz），而模擬表明，其
我國科研人員為氧化鎵晶體管找到新結構方案
26日，記者從中國科學技術大學獲悉，該校微電子學院龍世兵教授課題組聯合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。相關研究成果日前分別在線發表于《應用物理通信》《IEEE電子設備通信》上。 作為新一代功率半導體材料，氧化鎵的p型摻雜目前
擴大功率半導體產能，全球再添一座12英寸晶圓廠
近日，東芝電子元件及存儲裝置公司（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）宣布，將在日本石川縣的主要分立半導體生產基地（加賀東芝電子公司）建造一座新的300毫米晶圓制造工廠，用于生產功率半導體。Source：東芝官網 據介紹，該晶圓廠的
世界最小！美國麻省理工學院團隊研制出全新納米級3D晶體管
美國麻省理工學院團隊利用超薄半導體材料，成功研制出一種全新的納米級3D晶體管。這是迄今已知最小的3D晶體管，其性能和功能可比肩甚至超越現有硅基晶體管，將為高性能節能電子產品的研制開辟新途徑。相關論文發表于5日出版的《自然·電子學》雜志。 新型晶體管的“藝術照”。圖片來源：美國麻省理工學院官網
自旋電子器件制造工藝獲新突破
美國明尼蘇達雙城大學研究人員和國家標準與技術研究院（NIST）的聯合團隊開發了一種制造自旋電子器件的突破性工藝，該工藝有可能成為半導體芯片新的行業標準。半導體芯片是計算機、智能手機和許多其他電子產品的核心部件，新工藝將帶來更快、更高效的自旋電子設備，并且使這些設備比以往更小。研究論文發表在最近的《先