具有千個晶體管的二維半導體問世
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具有千個晶體管的二維半導體問世！重新定義數據處理的能源效率
據最新一期《自然·電子學》報道，瑞士洛桑聯邦理工學院研究人員提出了一種基于二硫化鉬的內存處理器，專用于數據處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數字信號處理和人工智能模型的實現中無處不在，其效率的提高可為整個信息通信行業節約大量的能源。 新處理器將1024個元件組合到一個一平方厘米的芯
具有千個晶體管的二維半導體問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512252.shtm
科技突破！具有千個晶體管的二維半導體問世
據最新一期《自然-電子學》報道，瑞士洛桑聯邦理工學院研究人員提出了一種基于二硫化鉬的內存處理器，專用于數據處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數字信號處理和人工智能模型的實現中無處不在，其效率的提高可為整個信息通信行業節約大量的能源。 新處理器將1024個元件組合到一個一平方厘米的芯
超越硅極限二維晶體管誕生
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/497868.shtm“在彈道輸運晶體管中，電子像子彈一樣穿過溝道沒有受到碰撞，能量沒有被散射損失掉，所以彈道率越高的器件，能量利用效率更高。”近日，北京大學電子學院研究員邱晨光向《中國科學報》解釋。隨著硅
二維材料成功集成到硅微芯片內
沙特阿卜杜拉國王科技大學科學家在27日出版的《自然》雜志上發表論文指出，他們成功將二維材料集成在硅微芯片上，并實現了優異的集成密度、電子性能和良品率。研究成果將幫助半導體公司降低制造成本，及人工智能公司減少數據處理時間和能耗。二維材料有望徹底改變半導體行業，但盡管科學家們研制出了多款類似設備，但技術
二維材料成功集成到硅微芯片內
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497276.shtm 微芯片內的設備和電路的光學顯微鏡圖像。圖片來源：《自然》雜志網站 科技日報北京3月28日電?（記者劉霞）沙特阿卜杜拉國王科技大學科學家在27日出版的《自然》雜志上發表論
超越硅基極限的二維晶體管問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/515818.shtm 稀土元素釔誘導相變歐姆接觸理論和原子級可控精準摻雜技術（北京大學供圖）芯片是信息世界的基礎核心，傳統晶體管因接近物理極限而制約了芯片的進一步發展。原子級厚度的二維半導體理論上
單層二維材料可批量制造超薄晶體管
一種叫做二硫化鉬的二維新材料可以在硅襯底上長出單層薄膜，為柔性電子器件的生產開辟了條新路。 用僅有幾個原子那么厚的薄膜做出微型、柔性的電路，一直是研究人員的夢想。然而，把這類二維薄膜生長到需要的規模，并生產出成批可靠的電子設備一直是個難題。 現在，材料科學家們已經找出一種方法，可以在直徑10
迄今速度最快能耗最低二維晶體管問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497096.shtm 本報北京3月26日電（記者晉浩天）北京大學電子學院彭練矛教授-邱晨光研究員課題組日前制備出10納米超短溝道彈道二維硒化銦晶體管，首次使得二維晶體管實際性能超過Intel商用10納
延續摩爾定律，二維晶體管潛力如何？
自20世紀60年代以來，電子電路上可容納的元器件數量每兩年便增加一倍，這種趨勢就是著名的摩爾定律。隨著晶體管越來越小，硅芯片上可容納的元器件數量在不斷增加。但目前看來，硅晶體管正接近它的物理極限。只有開發出全新類型的材料和設備，才能釋放下一代計算機的潛力。單分子厚晶體管芯片或許能用來驅動下一代計
迄今速度最快能耗最低二維晶體管問世
北京大學電子學院彭練矛教授-邱晨光研究員課題組日前制備出10納米超短溝道彈道二維硒化銦晶體管，首次使得二維晶體管實際性能超過Intel商用10納米節點的硅基鰭型晶體管，并將二維晶體管的工作電壓降到0.5V，這也是世界上迄今速度最快能耗最低的二維半導體晶體管。該研究成果以《二維硒化銦彈道晶體管》為
半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
摩爾定律難以為繼？新型二維材料有話說
近年來，半導體行業總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下。但北京大學物理學院研究員呂勁團隊與楊金波、方哲宇團隊最新研究表明，新型二維材料或將續寫摩爾定律對晶體管的預言。他們在預測出“具有蜂窩狀原子排布的碳原子摻雜氮化硼(BNC)雜化材料是一種全新二維材料”后，這次發表在《納米通訊》上的研究，通過
美國發現新型二維半導體材料
近日，美國猶他大學發現一種新型二維半導體材料一氧化錫。據了解，該材料可用于制備計算機處理器和圖形處理器等電子設備內的晶體管，有助于研制出運行速度更快、更加節約能源的智能手機和計算機等電子設備。 當前，電子設備內晶體管的玻璃基板由許多層三維材料構成，如硅材料。其弊端在于當電子通過時，會在所有層內
二維半導體材料家族又有“小鮮肉”
據美國猶他大學官網消息，該校工程師最新發現一種新型二維半導體材料一氧化錫（SnO），這種單層材料的厚度僅為一個原子大小，可用于制備電子設備內不可或缺的晶體管。研究人員表示，最新研究有助于科學家們研制出運行速度更快且能耗更低的計算機和包括智能手機在內的移動設備。 一氧化錫這個“小鮮肉”由猶他大學
上海微系統所開發出面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員狄增峰團隊在面向低功耗二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓研制方面取得進展。8月7日，相關研究成果以《面向頂柵結構二維晶體管的單晶金屬氧化物柵介質材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
上海微系統所開發出面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員狄增峰團隊在面向低功耗二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓研制方面取得進展。8月7日，相關研究成果以《面向頂柵結構二維晶體管的單晶金屬氧化物柵介質材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
科學家攻克二維半導體歐姆接觸難題
1月11日，南京大學教授王欣然、施毅帶領國際合作團隊在《自然》上以《二維半導體接觸接近量子極限》為題發表研究成果。該科研團隊通過增強半金屬與二維半導體界面的軌道雜化，將單層二維半導體MoS2的接觸電阻降低至42Ω·μm，超越了以化學鍵結合的硅基晶體管接觸電阻，并接近理論量子極限，該成果解決了二維半導
美首次制造出不使用半導體的晶體管
據美國每日科學網站6月21日報道，美國科學家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點，實現量子隧穿效應，制造出了沒有半導體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設備時代。 幾十年來，電子設備變得越來越小，科學家們現已能將數百萬個半導體集成在單個硅芯片上。該研究的領導者、密歇根理工大學的物理學家
北京大學一天宣布兩大芯片成果
《Cell》（細胞）、《Nature》（自然）和《Science》（科學）三本雜志號稱三個世界頂級學術刊物，簡稱為CNS，是科研工作者的最愛，我國每年公布的世界十大科技新聞大多來源于CNS。 其中，《Nature》雜志創刊于1869年，由Springer Nature出版社出版。150多年以來
新方法助力二維半導體材料開發
中國科學院院士、北京科技大學教授張躍及北京科技大學教授張錚團隊等提出了一種名為“二維Czochralski（2DCZ）”的方法，該方法能夠在常壓下快速生長出厘米級尺寸、無晶界的單晶二硫化鉬晶疇，這些二硫化鉬單晶展現出卓越的均勻性和高質量，具有極低的缺陷密度。1月10日，相關研究成果發表在《自然—材料
新研究打破硅基邏輯電路的底層“封印”
5月29日，我國科學家利用化學制備的系列二維材料，提出一種全新的基于界面耦合的p-摻雜二維半導體方法，打破了硅基邏輯電路的底層“封印”。相關成果在線發表于《自然》。經過數十年發展，半導體工藝制程不斷逼近亞納米物理極限，傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層
二維半導體三維集成研究取得新成果
經過數十年發展，半導體工藝制程不斷逼近亞納米物理極限，但傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路，從而獲得三維集成技術的突破，是國際半導體領域積極探尋的新路徑之一。由于硅基晶體管制備工藝采用單晶硅表面離子注入的方式，較難實現在一層離子注入
北大在Nature上演“帽子戲法”！
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/496781.shtm 3月22日晚間，Nature官網發布多篇論文 北京大學三項成果同時在線發表 上演“帽子戲法” 生命科學學院肖俊宇研究員研究組 發表成果 《FcμR受體對免疫球
北大在Nature上演“帽子戲法”！
3月22日晚間，Nature官網發布多篇論文 北京大學三項成果同時在線發表 上演“帽子戲法” 生命科學學院肖俊宇研究員研究組 發表成果 《FcμR受體對免疫球蛋白IgM的識別》 化學與分子工程學院彭海琳教授課題組 發表成果 《外延高κ柵氧化物集成型二維鰭式晶體管》 電子學院彭練
中國科大在二維器件范德華接觸研究中取得進展
近日，我校合肥微尺度物質科學國家研究中心曾華凌教授、物理學院喬振華教授和化學與材料科學學院邵翔教授在二維電學器件范德華接觸研究中取得新進展，展示了一種制備二維電學器件的“全堆疊”技術，優化了二維材料與金屬電極之間的界面接觸，為二維電學器件的制備提供了一種高效、高質量且高穩定性的普適方法。相關研究成果
半導體所發現一種新的二維半導體材料——ReS2
最近，中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室由中美聯合培養的博士后Sefaattin Tongay等人在吳軍橋教授、李京波研究員、李樹深院士的團隊中，在二維ReS2 材料基礎研究中取得新進展，發現ReS2 是一種新的二維半導體材料。相關成果發表在2014年2月6日的《自然-通訊》上，
科學家開發面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓
8月7日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所（以下簡稱上海微系統所）研究員狄增峰團隊，在面向低功耗二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓研制方面取得突破性進展，相關研究發表于《自然》。硅基集成電路是現代技術進步的基石，但在尺寸縮小方面面臨著嚴峻的挑戰。二維半導體材料具有高載流子遷移率和抑制短溝道效
國科大等：二維半導體新成果登上Nature
經過數十年發展，半導體工藝制程已逐漸逼近亞納米物理極限，傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路以實現三維集成技術的突破，已成為國際半導體領域積極探尋的新方向。由于硅基晶體管的現代工藝采用單晶硅表面離子注入的方式，難以實現在一層離子注入的
美證實二維半導體存在普適吸光規律
以往的研究表明，二維碳薄片石墨烯擁有一個通用的光吸收系數。而據物理學家組織網近日報道，現在，美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室的科學家首次證實，所有的二維半導體也同樣普遍適用于一個類似的簡單吸光規律。他們利用超薄半導體砷化銦薄膜進行的實驗發現，所有的二維半導體，包括受太陽能薄膜和光電器件行業青睞的