二維材料層數相關的光學性質及厚度確定
二維材料的平面內化學鍵非常強，而兩層以上二維材料的層間相互作用則非常弱，一般為范德瓦爾斯相互作用。這使得二維材料可以通過機械剝離方法從其相應體材料制備而成。多層二維材料可能有多種層間堆垛方式，例如石墨烯存在AB，ABC甚至轉角的堆垛方式。二維材料按照晶格結果或堆垛方式又可以劃分為各向同性（以石墨烯，TMDs，h－BN為代表）和各向異性（以ReS2和黑磷為代表）二維材料。兩種或多種性質相似的二維材料還可以形成二維合金材料（以TMDs合金為代表），甚至還可以通過人為方式按照一定序列將不同二維材料采用水平或垂直方式組裝形成二維異質結構。以上所有這些材料和結構的能帶結構和光學性質都會隨著層數或者厚度的改變而顯著地發生改變，并且厚度是不連續的。二維材料的光學性質隨層數的變化規律可以通過各種光學方法探測，例如光學襯度譜、瑞利散射、拉曼光譜、光吸收譜、光致發光譜和二次諧波產生等。隨著二維材料層數的增加，這些光譜的峰位、強度、線寬或者線......閱讀全文
二維半導體材料家族又有“小鮮肉”
據美國猶他大學官網消息，該校工程師最新發現一種新型二維半導體材料一氧化錫（SnO），這種單層材料的厚度僅為一個原子大小，可用于制備電子設備內不可或缺的晶體管。研究人員表示，最新研究有助于科學家們研制出運行速度更快且能耗更低的計算機和包括智能手機在內的移動設備。 一氧化錫這個“小鮮肉”由猶他大學
美國發現新型二維半導體材料
近日，美國猶他大學發現一種新型二維半導體材料一氧化錫。據了解，該材料可用于制備計算機處理器和圖形處理器等電子設備內的晶體管，有助于研制出運行速度更快、更加節約能源的智能手機和計算機等電子設備。 當前，電子設備內晶體管的玻璃基板由許多層三維材料構成，如硅材料。其弊端在于當電子通過時，會在所有層內
新方法助力二維半導體材料開發
中國科學院院士、北京科技大學教授張躍及北京科技大學教授張錚團隊等提出了一種名為“二維Czochralski（2DCZ）”的方法，該方法能夠在常壓下快速生長出厘米級尺寸、無晶界的單晶二硫化鉬晶疇，這些二硫化鉬單晶展現出卓越的均勻性和高質量，具有極低的缺陷密度。1月10日，相關研究成果發表在《自然—材料
熱掃描探針光刻技術消除二維半導體材料
?? 二維半導體材料，比如二硫化鉬（MoS2），表現出了諸多新奇的特性，從而使其具有應用于新型電子器件領域的潛力。目前，研究人員常用電子束光刻的方法，在此類僅若干原子層厚的材料表面定域制備圖形化電極，從而研究其電學特性。然而，采用此類方法常遇到的問題之一是二維半導體材料與金屬電極之間為非歐姆接觸，且
新型金屬硫化物二維半導體材料性質探明
近日，中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室博士后楊圣雪、博士生李燕，在研究員李京波、中科院院士李樹深和夏建白等人的指導下，取得二維GaS超薄半導體的基礎研究中新進展，探明了新型超薄金屬硫化物二維半導體材料性質。2月7日，相關成果發表在英國皇家化學會主辦的《納米尺度》上，并被選為熱點論文。
中國科大二維磁性半導體材料研究獲進展
中國科學技術大學國家同步輻射實驗室副研究員閆文盛、孫治湖和劉慶華組成的研究小組在教授韋世強的帶領下，利用同步輻射軟X射線吸收譜學技術，在研究二維超薄MoS2半導體磁性材料的結構、形貌和性能調控中取得重要進展。該研究成果發表在《美國化學會志》上。 二維超薄半導體納米片具有宏觀上的超薄性、透明性
半導體所發現一種新的二維半導體材料——ReS2
最近，中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室由中美聯合培養的博士后Sefaattin Tongay等人在吳軍橋教授、李京波研究員、李樹深院士的團隊中，在二維ReS2 材料基礎研究中取得新進展，發現ReS2 是一種新的二維半導體材料。相關成果發表在2014年2月6日的《自然-通訊》上，
寧波材料所合成半導體型類MXene二維過渡金屬碳化物材料
隨著柔性透明電子技術的興起，二維半導體材料近年來備受關注，特別是直接帶隙特性使得這些二維結構有望應用在光電子學領域。在過去十年里，研究者們已相繼發展出MoS2和磷烯等典型的具有直接帶隙的二維半導體材料。然而，MoS2的帶隙是層數依賴性的，直接帶隙僅能在單層結構中實現，而磷烯在空氣環境中的化學性質
新型碳基二維半導體材料基本物性研究獲進展
以石墨烯為代表的碳基二維材料自發現以來受到了廣泛關注。然而，石墨烯的零帶隙半導體性質嚴重限制了其在微電子器件領域的應用。針對該情況，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究人員等自2013年開展新型碳基二維半導體材料的制備研究，2014年1月成功制備了由碳和氮原子構成的類石墨烯蜂窩狀無孔有序結構
新型碳基二維半導體材料基本物性研究獲進展
以石墨烯為代表的碳基二維材料自發現以來受到了廣泛關注。然而，石墨烯的零帶隙半導體性質嚴重限制了其在微電子器件領域的應用。針對該情況，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究人員等自2013年開展新型碳基二維半導體材料的制備研究，2014年1月成功制備了由碳和氮原子構成的類石墨烯蜂窩狀無孔有序結構
半導體所發表二維材料層數相關光學性質的綜述論文
二維材料的平面內化學鍵非常強，而兩層以上二維材料的層間相互作用則非常弱，一般為范德瓦爾斯相互作用。這使得二維材料可以通過機械剝離方法從其相應體材料制備而成。多層二維材料可能有多種層間堆垛方式，例如石墨烯存在AB，ABC甚至轉角的堆垛方式。二維材料按照晶格結果或堆垛方式又可以劃分為各向同性（以石墨
磁性半導體在三維材料中保留二維量子特性
美國賓夕法尼亞州立大學和哥倫比亞大學領導的國際團隊在新一期《自然·材料》雜志上發表了一項重要研究成果，展示了磁性半導體在三維材料中保持特殊的二維量子特性。這一突破為現實世界中的光學系統和高級計算應用提供了新的可能性。 盡管二維材料如石墨烯展示了廣泛的功能，并具有革命性的潛力，但維持其在二維極限
什么是半導體材料？常見半導體材料有哪些？
半導體材料是什么？半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1
半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
化學所在制備強熒光二維共軛聚合物半導體材料方面獲進展
二維共軛聚合物（2DCPs）是一類新型的半導體材料體系。2DCPs獨特的拓展二維共軛結構，預示著優異的光電特性，在有機電子學領域頗具應用前景。然而，目前報道的多數2DCPs材料的光電性能相對較差，以及具有強熒光特性的二維共軛聚合物半導體方面的報道較少。該類材料熒光猝滅的原因是2DCPs體系中緊密的層
半導體所等在各向異性二維材料物性研究方面取得系列進展
二維層狀晶體材料，比如石墨烯和二硫化鉬（MoS2）等，具有優良的電學性能和光學性能，因此被期待可用來發展更薄、導電速度更快的新一代電子元件、晶體管和光電器件。近幾年來，平面內各向異性的二維晶體材料，如黑磷(BP)，二硫化錸(ReS2)和二硒化錸(ReSe2)等，由于其具備的獨特性質和在納米器件方
半導體材料的概念
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
什么是半導體材料？
半導體材料（semiconductormaterial）是導電能力介于導體與絕緣體之間的物質。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。
半導體熱電材料
? 半導體熱電材料（英文名：semiconductor thermoelectric material）指具有較大熱電效應的半導體材料，亦稱溫差電材料。它能直接把熱能轉換成電能，或直接由電能產生致冷作用。? ? 1821年，德國塞貝克（see—beck）在金屬中發現溫差電效應，僅在測量溫度的溫差電偶
半導體材料的定義
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體材料的特性
半導體材料的特性：半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、
石墨烯材料探路二維材料“新世界”
盡管芯片制程已經一步步逼近物理極限，人們對集成電路性能和尺寸的要求卻絲毫沒有降低。基于新結構、新原理的二維半導體器件以其獨特的性能，有望解決硅基器件面臨的“瓶頸”。然而，二維材料超薄的厚度（原子級厚度）使其十分脆弱，加工制造過程中極易造成材料損傷或摻雜，從而導致器件實際性能與預期存在巨大差異。
2025深圳半導體展會|半導體材料展會|半導體設備展會|
「官網」2025深圳13屆國際半導體技術展「半導體展會」展會時間：2025年4月9日-11日論壇時間：2025年4月9日-11日舉辦地點：深圳福田會展中心 (深圳市福田中心區福華三路)展會規模：?面積10萬平米，展商1800余家，展位3600多個，觀眾近10萬人次展會報名：136 （李先生）中間四位
半導體展會2024半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
深圳電子元器件展，電子儀器儀表展，深圳電子儀器儀表展，電子元器件展，深圳電子設備展，電子設備展，電子元器件展覽會，電子儀器展，深圳電子儀器展，電儀器展覽會，深圳繼電器展，深圳電容器展，深圳連接器展，深圳集成電路展2024中國（深圳）國際半導體與封裝設備展覽會2024 China (Shenzhen)
半導體展會2024上海半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
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化合物半導體材料的材料優勢
化合物半導體集成電路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗輻射。以GaAs為例，通過比較可得：1.化合物半導體材料具有很高的電子遷移率和電子漂移速度，因此，可以做到更高的工作頻率和更快的工作速度。2.肖特基勢壘特性優越，容易實現良好的柵控特性的MES結構。3.本征電阻率高，為半絕緣襯底。電路工藝中便
半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
水凝膠半導體材料問世
在最新一期《科學》上，美國芝加哥大學普利茲克分子工程學院團隊展示了界面生物電子學領域的新突破：他們創造出具有強大半導體功能的新型水凝膠材料。這種新型藍色凝膠能夠在水中像海蜇一樣浮動，同時還具有出色的半導體功能，可實現生物組織與機器之間的信息傳輸。 理想的用于連接電子組件和活體組織的材料應當是柔軟、
常見的半導體材料介紹
常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。