集成濾光窗的MEMS紅外傳感器電子封裝（四）
表3．熱機械FEA邊界條件和載荷圖13：封裝襯底、ASIC和MEMS（頂部無晶圓）翹曲（w）。結論本文介紹了一個紅外傳感器的封裝設計，產品原型表征測試結果令人滿意，測量到的FFOV角度在80°到110°之間，具體數值取決于光窗尺寸。為了降低閃光燈影響和環境噪聲，封裝頂部裝有硅基紅外濾光片，并做了表征實驗。應力模擬未在材料界面上發現臨界情況。封裝可靠性已初步達到JEDEC L3的環境應力要求。致謝特別感謝Daniela Morin負責的ST微電子分析實驗室，感謝Alexandra Colombo和Luca Privileggi在系統級封裝物理分析和3D斷層掃描方面提供的幫助。感謝Angelo Recchia和Michele Vaiana在系統電氣表征方面的提供的支持。作者團隊感謝ASE的Michael Chen、Chris YC Huang，ASE歐洲的Chen－Li、Sharon Liu和Christ......閱讀全文
集成濾光窗的－MEMS－紅外傳感器電子封裝（四）
表3．熱機械FEA邊界條件和載荷圖13：封裝襯底、ASIC和MEMS（頂部無晶圓）翹曲（w）。結論本文介紹了一個紅外傳感器的封裝設計，產品原型表征測試結果令人滿意，測量到的FFOV角度在80°到110°之間，具體數值取決于光窗尺寸。為了降低閃光燈影響和環境噪聲，封裝頂部裝有硅基紅外濾光片，并
集成濾光窗的－MEMS－紅外傳感器電子封裝（一）
摘要傳感器半導體技術的開發成果日益成為提高傳感器集成度的一個典型途徑，在很多情況下，為特殊用途的MEMS（微機電系統）類傳感器提高集成度的奠定了堅實的基礎。本文介紹一個MEMS光熱傳感器的封裝結構以及系統級封裝（SIP）的組裝細節，涉及一個基于半導體技術的紅外傳感器結構。傳感器封裝以及其與傳
集成濾光窗的－MEMS－紅外傳感器電子封裝（三）
n1和n2表示每種材料的折射率，θ1和θ2是光線在每種材料中傳播與表面法線形成的夾角（逆時針方向），并假設硅的折射率n ＝ 3．44，空氣／真空的折射率n ＝ 1。基于上述幾何假設，預期視野角度FFOV ＝ 80°－ 82°。然后開始腔體封裝的初步設計，并在封裝試生產線實驗室中制造了
集成濾光窗的－MEMS－紅外傳感器電子封裝（二）
該紅外傳感器封裝的設計和開發采用常見的并列布局，傳感器和ASIC在封裝內是并排放置（圖3）。在封裝上表面集成一個光學窗口，用于選擇紅外輻射的波長成分，這種光窗解決方案可以防止環境光輻射到達探測器感光區，從而降低總系統噪聲。構成封裝上表面和腔壁的聚合物可以視為對可見光－紅外輻射完全不透明，可歸
地質地球所發明一種MEMS傳感器的集成封裝方法
目前，電子元器件芯片朝著越來越復雜的方向發展，而傳統的IC集成器件封裝和金屬管殼封裝都會帶來困難。例如MEMS傳感器，為了提高其性能，往往需要增加可動質量塊的厚度，使用傳統的IC集成器件封裝技術和國內外標準的LCC（無引腳芯片載體）封裝管殼的腔體深度往往不能滿足MEMS厚度的要求，極大地造成了封
電子封裝展會|2024上海國際先進封裝與系統集成－展覽會「上海電子封裝展」
展會名稱：2024中國(上海)國際電子封裝測試展覽會英文名稱：China (Shanghai) International Electronic Packaging and Testing Exhibition 2024大會負責人：李經理 136 5198 3978（同微）展會時間：2024年11月
助力核心芯片發展！集成微系統封裝平臺今日蘇州揭牌
5月11日，由江蘇省納米技術產業創新中心與中科院蘇州納米所納米加工平臺共建的集成微系統封裝平臺（MSPC， Micro System and Packaging Centre）揭牌儀式在蘇州國際博覽中心舉行，第四屆MEMS創新技術應用對接會暨中國半導體行業協會MEMS分會市場年會與揭牌儀式同期召
5G推進MEMS傳感器行業增長－國產替代正當時
? ??? ? 隨著5G不斷商用，物聯網設備與設備之間的連接將變得更加順暢，傳感器也將被安裝在越來越多的設備中。相對于傳統的機械傳感器，MEMS傳感器尺寸更小、性能更高、生產成本更低，因此更受業界關注，5G推進MEMS傳感器行業增長，國產替代正當時。? ? 傳感器無處不在，微機電系統(MEMS)市場
FQFP集成電路的封裝特點
FQFP(fine pitch quad flat package)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。
MFP集成電路的封裝特點
MFP(mini flat package)小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。
OPMAC集成電路的封裝特點
OPMAC(over molded pad array carrier)模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。
QTP集成電路的封裝特點
QTP(quad tape carrier package)四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會于1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用 的 名稱(見TCP)。
QFH集成電路的封裝特點
QFH(quad flat high package)四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體制作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家采用的名稱。
DIL集成電路的封裝特點
DIL(dual in-line)DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
QIC集成電路的封裝特點
QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。
Cerdip集成電路的封裝特點
Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
QFP集成電路的封裝特點
QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本電子機械工業會標準所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(見QFP)。
QTCP集成電路的封裝特點
QTCP(quad tape carrier package)四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側面引出。是利 用 TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。
SOW集成電路的封裝特點
SOW(Small Outline Package(Wide-Jype))寬體SOP。部分半導體廠家采用的名稱。
QFI集成電路的封裝特點
QFI(quad flat I-leaded packgac)四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面 積小 于QFP。 日立制作所為視頻模擬IC 開發并使用了這種封裝。
FP集成電路的封裝特點
FP(flat package)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。
LQFP集成電路的封裝特點
LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。
PAC集成電路的封裝特點
PAC(pad array carrier)凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。
PCLP集成電路的封裝特點
PCLP(printed circuit board leadless package)印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。
SOI集成電路的封裝特點
SOI(small out-line I-leaded package)I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC(電機驅動用IC)中采用了此封裝。引 腳數 26。
QIP集成電路的封裝特點
QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP)。
CDIP集成電路的封裝特點
C－(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
SIL集成電路的封裝特點
SIL(single in-line)SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導體廠家多采用SIL 這個名稱。
MQFP集成電路的封裝特點
MQFP(metric quad flat package)按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標準對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標準QFP(見QFP)。
SQL集成電路的封裝特點
SQL(Small Out-Line L-leaded package)按照JEDEC(美國聯合電子設備工程委員會)標準對SOP 所采用的名稱(見SOP)。