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閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架構/顆粒/接口/可靠性全面解析 閃存最明顯特點就是穩定性能，低時延和高隨機IOPS。對于閃存，在評估性能時，我們一般主要關注90% IO落入規定的時延范圍(性能是一個線性范圍，而不是某一個點)。數據保護等追求所有軟件特性都基于Inline實現，如Inline重刪、壓縮、Thin-Provisioning(尤其是重刪，一方面SSD價格還是偏高，重刪壓縮可以節約投入成本；另一方面也減少了IO下盤次數提高SSD壽命)。但對于閃存，我們所關注的特性和技術指標遠遠不止這些。 閃存架構 閃存的Scale out能力：橫向擴展能力是應對并發訪問和提升性能容量的最基本特性，所以閃存是必須具備的功能。目前XtremIO支持16控，solidfire已經支持但100個控制器節點。 控制器對稱A/A 能力：閃存的主要應用場景如OLTP等，傳統的A/P、ALUA陣列在主控制器......閱讀全文
據美國《每日科學》網站3月25日報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。 &nb
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片將計算機運行速度提高一百倍科技日報北京3月26日電（記者劉霞）據美國《每日科學》網站25日報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備
據美國《每日科學》網站25日報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。 北京大學現代光學所陳建軍研究員對科技日報記者說，到目前為止，研制
嵌入式閃存支持EEPROM功能傳統的EEPROM架構支持字節寫操作，因而常常被需要頻繁更新數據的應用程序所用。通常，嵌入式閃存是按一定規則排列的一組存儲單元，又稱為扇區。扇區需要在寫入新數據前完全擦除。幸運的是，我們可以使用SRAM緩沖器在整個嵌入式閃存區的一小部分上模擬EEPROM功能，既
SSD接口技術 我們知道閃存磁盤是在HDD以后出現的，由于SSD優異的隨機性能、越來越大的容量和越來越低的成本等優勢，使得閃存熱度上升、乃至替換HDD的趨勢。由于歷史繼承性等原因，SSD在設計是也是借鑒了部分HDD技術，包含接口技術，現在絕大多數SSD都是采用SATA/SAS接口。SATA接口
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片根據科技日報消息，據美國《每日科學》網站報道，以色列科學家利用金屬氧化氮氧化硅（MONOS）結構設計出一種新型集成光子回路制備技術。該技術在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將目前標準的8—16千兆赫計算
Flash顆粒解析 學習過模擬電路的同學都知道，在模電原理里三極管分兩種，一種是雙極性三極管，主要基于載流子用來做電流放大，另一種叫做CMOS場效應三極管，通過電場控制的金屬氧化物半導體。NAND Flash就是基于場效應P/N溝道和漏極、柵極技術通過浮柵Mosfet對柵極充電
閃存技術有望帶來太赫茲量級光子芯片 將計算機速度提高百倍據科技日報報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。分析稱，新研究有助科學家研制出新的
11月28日，寧波時代全芯科技有限公司在寧波現場發布了自主研發的55納米相變存儲芯片。這一成果的發布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術自主知識產權的企業，業內人士認為這將有利于打破存儲器芯片生產技術被國外公司壟斷的局面。 目前靜態隨機存儲技術、
據科技日報報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。分析稱，新研究有助科學家研制出新的、功能更強大的無線設備，大幅提高數據傳輸速度——這是改變
多年來，汽車行業的發展和創新一直推動著半導體行業的發展。根據IHS的數據可知，汽車半導體市場的年收入已經超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數字還將不斷上升。目前，每輛豪華車內部半導體元件的總價值約為1000美元，而中檔車內部半導體元件的總價值約為350美元，
導讀： 經過三年的研究，耶路撒冷希伯來大學(HU)物理學家烏利埃爾·利維博士和他的團隊發明了一種全新的芯片技術。這種被稱為太赫茲微芯片可以使我們的計算機和所有的光學通信設備能夠以更快的速度來
據美國物理學家組織網近日報道，美國新興公司Lyric半導體公司推出了一種新型芯片，該芯片的運算主要基于概率而非傳統的二進制邏輯。它仍由晶體管制成，但它輸入輸出的值是概率而非0或1，公司表示，這種新型芯片更適用于用來解決現代社會中各種紛繁復雜的問題。 該公司最新公布的首款基于概率技術的閃存糾錯芯
據香港中通社報道，臺灣“國研院”納米（臺稱“奈米”）組件實驗室領先全球，開發出全球最小的9納米功能性電阻式內存(R-RAM)數組晶胞；這個新內存在幾乎不需耗電的情況下，1平方厘米面積內可儲存1個圖書館的文字數據，將讓信息電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性，這項技術預計在5到10年內
經過三年的研究，耶路撒冷希伯來大學(HU)物理學家烏利埃爾·利維博士和他的團隊發明了一種全新的芯片技術。這種太赫茲微芯片可以使我們的計算機和所有的光學通信設備能夠以更快的速度來運行。到目前為止，兩大挑戰阻礙了太赫茲微芯片的制造，即過熱和可擴展性。然而,本周在“激光與光電子評論”上發表的一篇論文中，N
2010年10月29日消息，中共中央政治局常委、國務院總理溫家寶在漢調研當前經濟運行狀況期間，專程來到武漢光電國家實驗室(籌)考察，聽取光電國家實驗室和學校的科技成果匯報，勉勵科研人員加大自主創新步伐，為提升我國光電子產業國際競爭力提供強有力的科技支撐;并希望我校學子刻苦學習，勇于實踐
北京市政府辦公廳下發通知，授予220項科研項目北京科學技術獎，包括 “超大規模集成電路先進閃存存儲器成套工藝與產品技術研發及產業化”等30項一等獎，60項二等獎和130項三等獎。 市政府辦公廳下文表示，根據《北京市科學技術獎勵辦法》的規定，經市科學技術獎勵評審委員會評審，市政府批準，授予“超
AI 、5G渴望新內存材料的支持對于所有類型的系統設計者來說，新興存儲技術都變得極為關鍵。AI和物聯網IoT芯片開始將它們用作嵌入式存儲器。大型系統已經在改變其架構，以采用新興的存儲器來替代當今的標準存儲器技術。這種過渡將挑戰行業，但將帶來巨大的競爭優勢。今天，業界仍在尋找通用存儲器，隨著S
9月11日，中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱中芯國際）宣布38納米NAND閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可生產NAND產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠對高質量、低密度NAND閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。
據物理學家組織網報道，IBM蘇黎世研發中心的科學家17日宣布，他們在相變存儲（PCM）技術領域取得重大突破——首次實現了單個相變存儲單元存儲3個比特的數據。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其產業化步伐，最終為物聯網時代呈指數級增長的數據提供一種簡單且快速的存儲方式。 目前的存儲器種類包
上世紀60年代，英特爾公司創始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律：集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進一步小型化遇到越來越多的技術局限。在傳統硅芯片技術上所能取得的進步受到物理法則和資金的限制也越來越嚴重，有人以為看到了集成電路技
上世紀60年代，英特爾公司創始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律：集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進一步小型化遇到越來越多的技術局限。在傳統硅芯片技術上所能取得的進步受到物理法則和資金的限制也越來越嚴重，有人以為看到了集成電
據美國物理學家組織網近日報道，IBM的科學家演示了最新的多位相變存儲器，其每個存儲格都能長時間可靠地存儲多個字節的數據。最新技術讓人們朝成本更低、速度更快、更耐用的存儲技術前進了一大步，可廣泛應用于包括手機在內的消費電子設備、云存儲以及對性能要求更高的企業數據存儲中。 相變存
英國新一期《自然》雜志刊載新研究說，科研人員開發出一種分子材料，可克服傳統電子元件造成的閃存空間限制問題，使常用的相機、手機等存儲卡提升存儲能力。 閃存是一種很普遍的數據存儲技術，但由于現有的數據單元設計問題，這種存儲方式有著物理上的局限性。目前閃存裝置采用金屬氧化物半導體，而用這種材料很難生
面對持續了近兩個月的中美貿易摩擦，尤其是“中興事件”發生后，國內各界越發意識到高端芯片產業長期受制于人的殘酷事實，同時也深刻地意識到核心技術不能受制于人，必須掌握在自己手中的重要性。 那么，集成電路產業下一步的發展方向有哪些？政府應當如何引導？還需要多長時間才能擺脫“卡脖子”的被動局面？ 5
趙迪，張征(北京七星華創流量計有限公司，北京市 100176) 摘要：本文介紹了基于Profibus-DP現場總線的氣體質量流量控制器硬件設計、軟件設計及產品測試。用戶可以通過Profibus主站對氣體質量流量控制器的安全狀態、報警選項、軟啟動、瞬時流量和累計流量單位、設定源和閥控模式等多
日前頒出的2014年北京市科學技術獎，共220項科技成果獲獎。從超大規模集成電路、“云殺毒”，到地下水利用與污染防控、空氣質量遙感監測，一批獲獎成果聚焦引領產業轉型升級、具有產業競爭力的“高精尖”領域，同時也為破解“城市病”困局提供了技術支撐。 “高精尖”成果助推北京經濟結構轉型 比同類芯片
本報訊據美國物理學家組織網1月20日報道，美國北卡羅萊納州立大學研究人員開發出一種新器件，該技術被認為是計算機內存研發領域取得的重大進步，將使大規模服務器群更節能，并使計算機的啟動變得更快。 計算機存儲器件傳統上具有兩種類型。慢速內存器件通常被用于諸如閃存這樣的持久性數據存
#aabbccdd5 td{border:1px solid #666666;} #aabbccdd5{border:1px solid #666666} 2019年度高等學校科學研究優秀成果獎（科學技
從去年下半年開始，固態硬盤、內存條、以及閃存卡等存儲產品的價格就緩步增長，而在三星Note7接連自燃事件之后，固態硬盤、內存條的價格更是堪稱瘋漲。在去年第四季度，動態隨機存取記憶體（DRAM）現貨價持續攀高，DDR44Gb存儲芯片最近的現貨均價已達3.347美元，漲幅達18%，創18個月來新高。