固態硬盤閃存顆粒分哪幾類
分為三種顆粒，MLC,TLC,SLCSLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。......閱讀全文
固態硬盤閃存顆粒是什么
閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單位，而不是以單個的字節為單位。因其，體積小，耐抗性強，存儲穩定等優勢，目前開始大規模運用在電子產品中。其中，固態硬盤產品的由來，就得益于閃存顆粒的大發展而誕生。與此同時，近年來手機、平板等電子
固態硬盤閃存顆粒分哪幾類
分為三種顆粒，MLC,TLC,SLCSLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（一）
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架構/顆粒/接口/可靠性全面解析 閃存最明顯特點就是穩定性能，低時延和高隨機IOPS。對于閃存，在評估性能時，我們一般主要關注90% IO落入規定的時延范圍(性能是一個線性范圍，而不是某一個點)。數據保護等追求所有軟件特性都基于Inlin
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（二）
SSD接口技術 我們知道閃存磁盤是在HDD以后出現的，由于SSD優異的隨機性能、越來越大的容量和越來越低的成本等優勢，使得閃存熱度上升、乃至替換HDD的趨勢。由于歷史繼承性等原因，SSD在設計是也是借鑒了部分HDD技術，包含接口技術，現在絕大多數SSD都是采用SATA/SAS接口。SATA接口
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（二）
Flash顆粒解析 學習過模擬電路的同學都知道，在模電原理里三極管分兩種，一種是雙極性三極管，主要基于載流子用來做電流放大，另一種叫做CMOS場效應三極管，通過電場控制的金屬氧化物半導體。NAND Flash就是基于場效應P/N溝道和漏極、柵極技術通過浮柵Mosfet對柵極充電
石墨烯聯手輝鉬礦催生新型閃存
據物理學家組織網近日報道，瑞士洛桑聯邦理工學院的科學家通過將石墨烯和輝鉬礦(分子式為MoS2)兩種具有優越電性能的材料相結合，制成了新型閃存的原型，在性能、尺寸、柔性和能耗等方面都很具前景。相關研究報告發表在近期出版的《美國化學學會?納米》雜志上。 輝
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片將計算機運行速度提高一百倍科技日報北京3月26日電（記者劉霞）據美國《每日科學》網站25日報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片
據美國《每日科學》網站25日報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。 北京大學現代光學所陳建軍研究員對科技日報記者說，到目前為止，研制
閃存技術有望帶來太赫茲量級光子芯片
據科技日報報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。分析稱，新研究有助科學家研制出新的、功能更強大的無線設備，大幅提高數據傳輸速度——這是改變
2D－NAND和3D－NAND間有哪些區別和聯系？
如果用一個詞來描述2016年的固態硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產引發固態漲價，閃存顆粒的制程問題引發的廠商競爭，以及“日經貼”般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。那么，到底什么是閃存顆？2D NA
復旦團隊實現納秒級編程閃存規模集成
本報訊（記者顏維琦）人工智能的飛速發展迫切需要高速非易失存儲技術。當前主流非易失閃存的編程速度普遍在百微秒級，無法支撐應用需求。復旦大學周鵬-劉春森團隊的前期研究表明，二維半導體結構能夠將其速度提升1000倍以上，實現顛覆性的納秒級超快存儲閃存技術。然而，如何實現規模集成、走向真正實際應用仍極具挑戰
復旦團隊實現納秒級編程閃存規模集成
人工智能的飛速發展迫切需要高速非易失存儲技術。當前主流非易失閃存的編程速度普遍在百微秒級，無法支撐應用需求。復旦大學周鵬-劉春森團隊的前期研究表明，二維半導體結構能夠將其速度提升1000倍以上，實現顛覆性的納秒級超快存儲閃存技術。然而，如何實現規模集成、走向真正實際應用仍極具挑戰。 記者獲悉，
“記憶閃存法”或可增強孤獨癥患者學習能力
以色列政府新聞辦公室1日發布公報稱，該國近期一項研究發現“記憶閃存法”或能增強孤獨癥患者的視覺識別及學習能力，相關論文已發表在美國《當代生物學》雜志上。 孤獨癥（也稱自閉癥）患者常常存在感知和記憶障礙，改善孤獨癥患者的認知能力一般需要長期繁瑣的訓練。由以色列特拉維夫大學和內蓋夫本-古里安大學合作
“記憶閃存法”或可提高孤獨癥患者學習能力
以色列政府新聞辦公室1日發布公報稱，該國近期一項研究發現“記憶閃存法”或能增強孤獨癥患者的視覺識別及學習能力，相關論文已發表在美國《當代生物學》雜志上。孤獨癥（也稱自閉癥）患者常常存在感知和記憶障礙，改善孤獨癥患者的認知能力一般需要長期繁瑣的訓練。由以色列特拉維夫大學和內蓋夫本-古里安大學合作完成的
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片應用案例一
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片根據科技日報消息，據美國《每日科學》網站報道，以色列科學家利用金屬氧化氮氧化硅（MONOS）結構設計出一種新型集成光子回路制備技術。該技術在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將目前標準的8—16千兆赫計算
中芯國際推出自主研發38納米NAND閃存工藝
9月11日，中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱中芯國際）宣布38納米NAND閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可生產NAND產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠對高質量、低密度NAND閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。
新研究將推動超快閃存技術的產業化應用
8月12日，復旦大學微電子學院教授周鵬，集成芯片與系統全國重點實驗室、芯片與系統前沿技術研究院研究員劉春森團隊，在國際上首次實現最大規模1Kb納秒超快閃存陣列集成驗證，并證明了其超快特性可延伸至亞10納米，將推動超快顛覆性閃存技術的產業化應用。相關研究發表于《自然-電子學》。隨著人工智能的飛速發展，
英研發分子材料存儲裝置－可客服閃存空間限制問題
英國新一期《自然》雜志刊載新研究說，科研人員開發出一種分子材料，可克服傳統電子元件造成的閃存空間限制問題，使常用的相機、手機等存儲卡提升存儲能力。 閃存是一種很普遍的數據存儲技術，但由于現有的數據單元設計問題，這種存儲方式有著物理上的局限性。目前閃存裝置采用金屬氧化物半導體，而用這種材料很難生
關于嵌入式閃存的一些錯誤觀念（一）
多年來，汽車行業的發展和創新一直推動著半導體行業的發展。根據IHS的數據可知，汽車半導體市場的年收入已經超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數字還將不斷上升。目前，每輛豪華車內部半導體元件的總價值約為1000美元，而中檔車內部半導體元件的總價值約為350美元，
突破極限！復旦大學研發納秒級超快閃存技術
在人工智能技術迅猛發展的今天，對高速非易失存儲技術的需求日益增長。當前，主流非易失閃存技術的編程速度大多停留在百微秒級，難以滿足應用需求。近日，復旦大學周鵬-劉春森團隊在二維半導體結構領域取得了重大突破，實現了納秒級超快存儲閃存技術。 據悉，該研究團隊基于界面工程技術，首次在國際上實現了1Kb
關于嵌入式閃存的一些錯誤觀念（二）
嵌入式閃存支持EEPROM功能傳統的EEPROM架構支持字節寫操作，因而常常被需要頻繁更新數據的應用程序所用。通常，嵌入式閃存是按一定規則排列的一組存儲單元，又稱為扇區。扇區需要在寫入新數據前完全擦除。幸運的是，我們可以使用SRAM緩沖器在整個嵌入式閃存區的一小部分上模擬EEPROM功能，既
閃存技術有望帶來太赫茲量級光子芯片－將計算機速度...
閃存技術有望帶來太赫茲量級光子芯片 將計算機速度提高百倍據科技日報報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。分析稱，新研究有助科學家研制出新的
復旦團隊實現納秒編程閃存規模集成和8納米極限微縮
8月13日，記者從復旦大學獲悉，該校周鵬-劉春森團隊從界面工程出發，在國際上首次實現了最大規模1Kb納秒超快閃存陣列集成驗證，并證明了其超快特性可延伸至亞10納米。相關研究成果12日發表于國際期刊《自然·電子學》。人工智能的飛速發展迫切需要高速非易失存儲技術，當前主流非易失閃存的編程速度普遍在百微秒
復旦團隊實現納秒編程閃存規模集成和8納米極限微縮
8月13日，記者從復旦大學獲悉，該校周鵬-劉春森團隊從界面工程出發，在國際上首次實現了最大規模1Kb納秒超快閃存陣列集成驗證，并證明了其超快特性可延伸至亞10納米。相關研究成果12日發表于國際期刊《自然·電子學》。人工智能的飛速發展迫切需要高速非易失存儲技術，當前主流非易失閃存的編程速度普遍在百微秒
IBM相變存儲技術實現每單元存3比特數據－成本接近閃存
據物理學家組織網報道，IBM蘇黎世研發中心的科學家17日宣布，他們在相變存儲（PCM）技術領域取得重大突破——首次實現了單個相變存儲單元存儲3個比特的數據。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其產業化步伐，最終為物聯網時代呈指數級增長的數據提供一種簡單且快速的存儲方式。 目前的存儲器種類包
破解壟斷－我國首批32層3D－NAND閃存芯片年內將量產
位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺１１日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的３２層３ＤＮＡＮＤ閃存芯片將于年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。圖片來源于網絡 目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基
閃存技術有望帶來太赫茲量級光子芯片,將速度提高百倍
??? 據美國《每日科學》網站3月25日報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。??????????????????????????????
「主辦方」數據中心展/2024深圳存儲/閃存展覽會丨官宣
2024深圳國際數據中心峰會暨展覽會?Shenzhen International Data Center technology and Equipment Exhibition?參展咨詢：021-5416 3212? ?大會負責人：李經理 136 5198 39782024年4月9-11日參展咨詢
為什么在NAND閃存存儲系統中實現低故障率不僅需要強...
為什么在NAND閃存存儲系統中實現低故障率不僅需要強大的ECC代碼？ 該行業非常重視單個ECC代碼的強度：但經常被忽視的是錯誤預防的強度，這在糾正甚至發揮作用之前是重要的我們如何在基于NAND閃存的系統中實現最低的故障率？您可能已在工程團隊或存儲系統供應商之間進行過此次討論。正在采取哪些措施來
俄羅斯物理學家研制出基于石墨烯材料的閃存原型
俄羅斯科學院西伯利亞分院半導體物理研究所的科學家們利用多層石墨烯材料制造的閃存，無論在信息存儲速度還是保存時間方面都超過現有其它材料制成的閃存。 據科研人員介紹，石墨烯閃存的作用原理是在存儲介質（多層石墨烯材料）里注入和保存電荷，而隧道層和阻擋層是閃存必需的組成部分，其隧道層由氧化硅制得，