氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。調制摻雜的AlGaN/GaN結構具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s)、高的飽和速度(1×107cm/s)、較低的介電常數，是制作微波器件的優先材料；GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。......閱讀全文
氮化鎵的的合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態金屬，并促使與氮化劑的接觸。2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細的GaP或GaAs也可制得GaN。
氮化鎵襯底晶片實現“中國造”
蘇州納維生產的4 英寸GaN 單晶襯底 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵（GaN）襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司（以下簡稱蘇州納維）的主打產品。 “不會游泳的
蘇州納米所徐科研究員獲“求是杰出青年成果轉化獎”
日前，第十三屆中國科協“求是杰出青年成果轉化獎”揭曉。 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐科研究員等5人因其既注科學研究、又積極推動科研成果轉化為現實生產力、取得了明顯的經濟效益和社會效益、在廣大青年科技工作者中起到了良好的榜樣作用獲得了第十三屆中國科協“求是杰出青年成果轉化獎”。
美國科學家利用新技術大幅提高LED發光率及穩定性
據物理學家組織網3月20日報道，美國北卡羅來納州立大學的科學家日前開發出一種新技術，能夠在不增加用電量的情況下大幅提升發光二極管(LED)的亮度。與此同時，借助一種特殊的涂層材料，這種新型LED與普通LED產品相比更為穩定，適應性更強。相關論文在線發表在國際著名化學期刊《朗繆爾(Langmuir
特殊材料取代硅造出半導體薄膜
美國麻省理工學院（MIT）工程師最近開發出一種新技術，他們用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半導體薄膜。新技術為科學家提供了一種制造柔性電子器件的低成本方案，且得到的電子器件的性能將優于現有硅基設備，有望在未來的智慧城市中“大展拳腳”。 如今，絕大多數計算設備都由硅制成，硅是地球上含量第二豐
氮化鎵植于石墨烯可制成隨意折疊變形的LED材料
目前，許多由有機材料制造的電子和光電子材料都具備良好的柔韌度，易于改變形狀。與此同時，不易形變的無機化合物在制造光學、電氣和機械元件方面展現出了強大的性能。但由于技術原因，二者卻很難優勢互補，功能優異的無機化合物半導體也因不易塑形的特點而遇到了發展障礙。 幸好，氮化鎵與石墨烯的結合，部分實現了
寬帶隙半導體材料的特征
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
寬帶隙半導體材料的特性
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
第三代半導體外延材料的產業化應用之路
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517721.shtm手機電腦快充器件、新能源車載電源、5G基站、MicroLED、深紫外LED……這些設備都離不開氮化鎵外延材料，這也讓該材料成為資本市場關注的“寵兒”。根據相關市場調研機構的預測顯示，到
氮化銦的應用特點
氮化銦是一種新型的三族氮化物材料。這種材料的引人之處在于它的優良的電子輸運性能和窄的能帶，有望應用于制造新型高頻太拉赫茲通信的光電子器件。氮化銦(InN)是氮化物半導體材料的一種。常溫常壓下的穩定相是六方纖鋅礦結構,是一種直接帶隙半導體材料。
響應設備更新政策－|－半導體制造工藝、結構與表征解決方案
半導體制造工藝電動汽車等高新技術領域對高效動力轉換的需求與日俱增，碳化硅與氮化鎵材料扮演關鍵性角色,有效降低能耗并提升動力轉換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術優化了器件工藝。ALD工藝出色的 AlN/Al2O3/SiO2?鈍化薄膜有效降低器件中的閾值電壓漂移。而ALE低損
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
下一代半導體的寬與窄
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體步入產業化階段，對新一代半導體材料的探討已經進入大眾視野。走向產業化的銻化物，以及國內外高度關注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導體。 超寬禁帶
專家建議加快寬禁帶與超寬禁帶半導體器件發展
“生產集成電路所需要的硅材料已趨近完美，但是未來還有什么材料可以替代硅，這是業界急切希望解決的問題”。中國科學院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任郝躍近日在 “紀念集成電路發明60周年學術會議”上如是說。該會議由中國電子學會、中國科學院信息技術科學部等共同主辦。 自1958年杰克·基
研究實現人工光合作用高效穩定制氫
近日，中國科學技術大學教授孫海定、熊宇杰團隊聯合武漢大學劉勝院士團隊，通過創新設計一種晶圓級可制造的新型硅基氮化鎵納米線光電極結構，實現了高達10.36%的半電池太陽能制氫效率，并在高電流密度下穩定產氫超過800小時，首次將光電極使用壽命從小于100小時的“小時級”推進至“月級”，成功突破傳統光電制
氮化銦－用途簡介
氮化銦(InN)發展成為新型的半導體功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半導體材料中，氮化銦具有良好的穩態和瞬態電學傳輸特性，它有最大的電子遷移率、最大的峰值速率、最大的飽和電子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的帶隙、最小的電子有效質量等優異的性質，這些使Chemicalbook得氮化銦相對于氮化鋁(AlN)
中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶
近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大
國內第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶
近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、
金剛石熱沉片的應用領域有哪些？
金剛石，帶隙寬、熱導率高、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照，優越的性能使其在高功率、高頻、高溫領域等方面發揮重要作用，可以說，金剛石是目前最有發展前途的半導體材料之一，其經典的應用場景包括金剛石熱管理材料。 光通訊：大面積高熱導CVD金剛石膜的出現使其在高功率激光二極
液相法氮化鎵晶體生長研究
GaN是一種寬帶隙半導體材料，具有高擊穿電壓、高的飽和電子漂移速度、優異的結構穩定性和機械性能，在高頻、高功率和高溫等應用領域具有獨特的優勢。在光電子和功率器件中具有廣闊的應用前景。在液相生長技術中，助溶劑法和氨熱法是生長高質量GaN的有效方法，該論文全面總結了這兩種方法生長GaN的研究進展，詳細分
氮化鎵功率芯片的發展趨勢分析
GaN 功率芯片主要以2 個流派在發展，一個是eMode 常開型，納微代表的是另一個分支——eMode 常關型。相比傳統的常關型的GaN 功率器件，納微又進一步做了集成，包括驅動、保護和控制的集成。GaN 功率芯片集成的優勢如下。1）傳統的Si 器件參數不夠優異，開關速率、開關頻率都受到極大限制，通
氮化鎵的的性質與穩定性
如果遵照規格使用和儲存則不會分解。避免接觸氧化物，熱，水分/潮濕。GaN在1050℃開始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射線衍射已經指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類型的六方晶系。在氮氣或氦氣中當溫度為1000℃時GaN會慢慢揮發，證明GaN在較高的溫度下是穩定的，在1130℃時它的蒸
韓國研發出新型半導體材料
韓國科學技術研究院發布消息稱，該院光電材料研究小組將鎢硒2維納米膜與1維氧化鋅納米線雙重結合，研發出能感知從紫外線到近紅外線的下一代光二極管元件。該研究成果在國際學術期刊《Advanced Functional Materials》(IF)上刊登。圖片來源網絡 光二極管元件是影響手機攝像
國家標準氮化鎵材料中鎂含量的測定二次離子質譜法
１國家標準《氮化鎵材料中鎂含量的測定二次離子質譜法》編制說明（預審稿）一、工作簡況1.立項的目的和意義GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SiC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP
半導體材料的應用介紹
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
諾獎授予LED照明技術－相關稀有金屬材料受寵
10月7日瑞典皇家科學院將2014年諾貝爾物理學獎授予了因發明了“高亮度藍色發光二極管（LED）”的日本科學家赤崎勇和天野浩以及美籍日裔科學家中村修二，以表彰他們在發現新型高效、環境友好型光源方面所作出的貢獻。 從半導體中產生高亮度藍色光的方法是“光技術領域一場根本性的變革”。藍色LED光一直
2024深圳半導體材料、設備展暨半導體微電子器件、傳感器展覽會
深圳電子元器件展，電子儀器儀表展，深圳電子儀器儀表展，電子元器件展，深圳電子設備展，電子設備展，電子元器件展覽會，電子儀器展，深圳電子儀器展，電儀器展覽會，深圳繼電器展，深圳電容器展，深圳連接器展，深圳集成電路展2024中國（深圳）國際半導體與封裝設備展覽會2024 China (Shenzhen)
氧化鎵功率電子器件領域新進展，入選ISPSD
近日，中國科大微電子學院龍世兵教授課題組兩篇論文入選第34屆功率半導體器件和集成電路國際會議（ISPSD，全稱為：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半導體器件和集成電路領域國際頂級