科學家發現具明亮基態激子的半導體納米晶體
件 來自美國海軍研究實驗室（NRL）和瑞士蘇黎世聯邦理工學院（ETH）的科學家表示，他們發現了一類具有明亮基態激子的新型半導體納米晶體。這一發現標志著光電子領域的一項重大進步，可能會徹底改變高效發光器件等技術的發展。相關論文發表于新一期《美國化學學會·納米》雜志。研究示意圖。圖片來源：《美國化學學會·納米》雜志通常情況下，納米晶體內能量最低的激子被稱為“暗”激子。暗激子的存在減緩了光的發射速率，限制了基于納米晶體的器件，如激光器或發光二極管（LED）的性能。長期以來，科學家一直致力于尋找克服這一難題的辦法。NRL研究人員表示，他們采取了一種創新思路，即尋找激子能級順序顛倒的新材料，這樣原本處于最低能量的暗激子就“變身”為明亮的激子。在最新研究中，他們根據自己開發的理論建模結果，在開源材料數據庫中進行了廣泛搜索，初步篩選出150多個潛在目標。隨后，他們通過進一步計算分析，得到了28種具有明亮激子的納米材料。ETH研究人員......閱讀全文
具明亮基態激子的半導體納米晶體發現，有助開發超亮高效發光器件
來自美國海軍研究實驗室（NRL）和瑞士蘇黎世聯邦理工學院（ETH）的科學家表示，他們發現了一類具有明亮基態激子的新型半導體納米晶體。這一發現標志著光電子領域的一項重大進步，可能會徹底改變高效發光器件等技術的發展。相關論文發表于新一期《美國化學學會·納米》雜志。研究示意圖通常情況下，納米晶體內能量最低
具明亮基態激子的半導體納米晶體發現，有助開發超亮高效發光器件
研究示意圖 來自美國海軍研究實驗室(NRL)和瑞士蘇黎世聯邦理工學院(ETH)的科學家表示，他們發現了一類具有明亮基態激子的新型半導體納米晶體。這一發現標志著光電子領域的一項重大進步，可能會徹底改變高效發光器件等技術的發展。相關論文發表于新一期《美國化學學會·納米》雜志。 通常情況下，納米晶體內
我國學者在這一品種有機材料方面獲進展
有機發光場效應晶體管器件（organic light-emitting transistor, OLET）是在同一器件中集成了有機場效應晶體管和有機發光二極管兩種器件功能的新型有機光電子集成器件，兼具場效應晶體管的開關與信號放大功能和二極管的發光顯示功能，是實現下一代變革性柔性顯示技術、有機電泵
異質結在半導體光電子器件中有哪些作用
半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構異質結圖冊，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的
“納米畫筆”勾勒未來低維半導體器件
如今人們的生活節奏在加快，對電子設備的要求也越來越高。各種新款電子設備都在變著法子表明自己功能更強大、體型更輕薄。然而，電子設備的功能越豐富、性能越強大，意味著這些設備單位體積中容納的電子元件數目越多；體型越小意味著這些電子元件功能單元的體積越來越小。 就像我們每天都使用的手機，它的中央處理
王中林研究組創立壓電電子學和壓電光電子學
王中林是中國科學院外籍院士、美國佐治亞理工學院董事教授。據佐治亞理工學院新聞中心報道，王中林小組發明了一種基于壓電效應的新型納米電子邏輯器件。這種邏輯器件的開關可以通過外加在氧化鋅納米線上的應力所產生的電場調控，進而實現基本和復雜的邏輯功能；這是他開創的壓電電子學（Piezo
又薄又軟的半導體新材料可制微納光電器件
性質柔軟、厚度只有幾納米、光學性能良好……記者3日從南京工業大學獲悉，該校王琳教授課題組制備出一種超薄的高質量二維碘化鉛晶體，并且通過它實現了對二維過渡金屬硫化物材料光學性質的調控，為制造太陽能電池、光電探測器提供了新思路。該成果發表在最新一期國際期刊《先進材料》上。 “我們首次制備的這一超薄
王中林小組發明高效紫外發光二極管
圖中光學照片顯示的是在壓電光電子效應的作用下，紫外發光二極管的發光強度隨施加的應變的增加而增加。下圖顯示的利用能帶理論解釋壓電光電子效應對p-n結處能帶結構和載流子輸運過程的調制和改變。 紫外半導體發光二極管在化學、生物、醫學和軍事領域具有廣泛的應用，目前這種材料的內量子效率雖
長春光機所研制首例帶電荷的有機二維多孔晶體發光材料
近日，中科院長春光學精密機械與物理研究所發光學及應用國家重點實驗室李斌研究員所帶領的課題組自主設計了具有紅光發射的帶有正電荷的溴化乙錠有機單體，在國際上首次制備出帶電荷的有機二維多孔晶體骨架材料，該材料在有機半導體器件和光電傳感等領域將具有重要的應用前景。上述研究結果發表在國際化學領域著名的期
美開發出無缺陷半導體納米晶體薄膜
據物理學家組織網8月21日(北京時間)報道，美國麻省理工學院的研究人員利用電子束光刻技術和剝離過程開發出無缺陷半導體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料，可廣泛應用并開辟潛在的重點研究領域。相關報告發表在近期出版的《納米快報》雜志網絡版上。 半導體納米晶體的大小決定了它們的電子和光學性質
南京工業大學新方法制備超薄半導體材料
“我們制備了超薄的高質量二維碘化鉛晶體，并且通過它實現了對二維過渡金屬硫化物材料光學性質的調控。”孫研興奮地介紹。日前，南京工業大學王琳教授課題組的這一成果，發表在國際權威期刊《先進材料》(Advanced materials)上。 “我們首次制備的這一超薄碘化鉛納米片，專業術語稱為‘原子級厚
科學家發現具明亮基態激子的半導體納米晶體
件?來自美國海軍研究實驗室（NRL）和瑞士蘇黎世聯邦理工學院（ETH）的科學家表示，他們發現了一類具有明亮基態激子的新型半導體納米晶體。這一發現標志著光電子領域的一項重大進步，可能會徹底改變高效發光器件等技術的發展。相關論文發表于新一期《美國化學學會·納米》雜志。研究示意圖。圖片來源：《美國化學學會
納米所與索尼聯合研發半導體材料與器件
6月23日下午，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所與索尼公司半導體材料與器件合作項目啟動簽約儀式在蘇州納米所舉行。研究所所長楊輝代表蘇州納米所與索尼公司高級副總裁熊谷簽訂合作協議，同時，索尼公司將向蘇州納米所提供分子束外延（MBE）裝置的免費使用權。中科院副院長施爾畏，蘇州工業園
壓電光電子學應力成像芯片系統研制成功
美國佐治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)和中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士領導的研究小組最近利用垂直生長的納米壓電材料陣列研制出大規模發光二極管陣列，并且利用壓電光電子學效應首次實現利用外界應力/應變改變納米壓電發光二極管發光強度的過程
科研團隊研究提出新型平面型面發光有機發光晶體管器件結構
有機發光晶體管作為集成電流放大功能和發光功能于一體的新型電致發光器件，被認為是開發下一代變革性顯示技術的理想器件基元。窄光譜電致發光器件在廣色域顯示、光通信和光診療方面具有重要意義，對實現更逼真的圖像、更大容量的數據傳輸和特殊醫療診斷等起到重要作用。通過設計合成窄光譜活性材料或引入特殊的光學設計，有
II族氧化物半導體光電子器件基礎研究啟動
近日，“973”計劃項目“II族氧化物半導體光電子器件的基礎研究”啟動會在長春召開。中科院長春光機所、物理所、上海光機所和南京大學、中山大學、東南大學、吉林大學等單位將瞄準目前半導體領域的前沿和熱點，把II族氧化物半導體作為主要研究對象，以期在短波長激光器件和紫外光電探測器等方面實現突
佐治亞理工學院Russell－Dupuis教授訪問蘇州納米所
11月9日上午，美國國家工程院院士、佐治亞理工學院Steve W. Chaddick講席教授Russell Dupuis訪問中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所，并作題為The History and Current Status of Metalorganic Chemical Vapo
半導體所硅量子點發光機制研究取得新成果
延續了半個多世紀的摩爾定律預計將在2020年左右失效，硅基光電集成技術有望接替微電子成為未來信息技術的基石，但硅基光電子集成技術的實用化面臨缺少硅基片上光源這一最后障礙。因此，硅基片上光源是當前半導體技術皇冠上的明珠，其研制成功將引領整個硅基光電子集成技術的重大變革。硅光電集成技術處于前沿探索階
半導體所硅量子點發光機制研究取得新成果
延續了半個多世紀的摩爾定律預計將在2020年左右失效，硅基光電集成技術有望接替微電子成為未來信息技術的基石，但硅基光電子集成技術的實用化面臨缺少硅基片上光源這一最后障礙。因此，硅基片上光源是當前半導體技術皇冠上的明珠，其研制成功將引領整個硅基光電子集成技術的重大變革。硅光電集成技術處于前沿探索階
長春光機所研究成果獲國際化學領域認可
27日，記者從中科院長春光機所獲悉，該所發光學及應用國家重點實驗室李斌課題組自主設計了具有紅光發射的帶有正電荷的溴化乙錠有機單體，在國際上首次制備出帶電荷的有機二維多孔晶體骨架材料，該材料在有機半導體器件和光電傳感等領域有重要的應用前景。日前，這項研究成果發表在國際化學領域著名的期刊《美國化學會
國家半導體發光器件應用產品質檢中心在廈門落成
9月7日，前來廈門出席第二屆世界投資論壇和第十四屆中國國際投資貿易洽談會的國家質檢總局局長支樹平，在視察廈門市質量技術監督局時，聽說國家半導體發光器件（LED）應用產品質量監督檢驗中心將在明天落成，十分高興。他說：“這個中心意義重大，可喜可賀。我今天返京，不能參加你們的儀式，提前向你們表示祝賀
電子/半導體的主要應用在哪些方面
現在的電子電路里面基本上離不開半導體器件， 咱們用的電腦手機，里面的集成電路就是用半導體做的，主要是用 硅做材料。各種電器里面的電路也都要用到半導體器件。在電力系統 （如晶閘管）、光電領域（激光、LED、CCD、照相機的鏡頭）都有廣泛應用。 集成電路 它是半導體技術發展中最活躍的一個領域，已發
物理所碳納米管結構分離研究獲進展
從概念上講，碳納米管是由石墨烯卷曲形成的一維管狀分子，具有石墨烯優異的力學、熱學性能以及極高的載流子遷移率等特點，并表現出結構可調的電子、光電子特性，在構建下一代高速低功耗、高集成度電子和光電子集成回路方面具有重要的應用前景。然而，碳納米管性質是由其結構決定的。原子排列上的微小差異將導致其性質的
物理所碳納米管結構分離研究獲進展
從概念上講，碳納米管是由石墨烯卷曲形成的一維管狀分子，具有石墨烯優異的力學、熱學性能以及極高的載流子遷移率等特點，并表現出結構可調的電子、光電子特性，在構建下一代高速低功耗、高集成度電子和光電子集成回路方面具有重要的應用前景。然而，碳納米管性質是由其結構決定的。原子排列上的微小差異將導致其性質的
集成光電子器件的發展
如同電子器件那樣,光電子器件也要走向集成化。雖然不是所有的光電子器件都要集成,但會有相當的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在發展的PLC-平面光波導線路,如同一塊印刷電路板,可以把光電子器件組裝于其上,也可以直接集成為一個光電子器件。要實現FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、體積小的和廉價
集成光電子器件的發展
如同電子器件那樣,光電子器件也要走向集成化。雖然不是所有的光電子器件都要集成,但會有相當的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在發展的PLC-平面光波導線路,如同一塊印刷電路板,可以把光電子器件組裝于其上,也可以直接集成為一個光電子器件。要實現FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、體積小的和廉價
國家納米中心在層狀材料光電晶體管方向取得新進展
二維層狀材料是近些年興起的一類新興材料，通常其層內以較強的共價鍵或者離子鍵結合而成，而層間則是依靠較弱的范德華力堆疊在一起。尤其是2004年單原子層石墨烯的發現極大地推動了二維材料的發展，使其迅速成為研究前沿。然而眾所周知，本征石墨烯由于受到六重對稱性保護幾乎沒有能隙，限制了其在半導體器件中的應
石墨烯納米帶首次可控穩定發光－有望促進新型光源發展
石墨烯納米帶被顯微鏡尖端部分懸掛起來，可見到明亮的光。圖片來源：美國化學學會 意大利和法國研究團隊首次通過實驗觀察到7個原子寬的石墨烯納米帶的高強度發光現象，強度與碳納米管制成的發光器件相當，并且可以通過調節電壓來改變顏色。這一重大發現有望極大地促進石墨烯光源的發展。相關成果發表在最近一期的《
二維鈣鈦礦材料的電子性質－促進光電子領域發展
由洛斯?阿拉莫斯國家實驗室和萊斯大學領銜的一個科研團隊創造了一種通用的縮放比例法來幫助調整用于光電子器件的二維鈣鈦礦材料的電子性質，這可能會促進低成本鈣鈦礦光電子領域的發展。圖片來源：洛斯阿拉莫斯國家實驗室 他們的研究可以創建一個規模化尺度器件，通過這個器件，實驗室可以確定任何厚度的鈣鈦礦量子
物理所在微納結構光學特性調控研究中取得系列進展
微納光學結構依靠局域共振、電磁場增強、慢光效應等機制，可有效地調控光與物質（原子、分子、量子點、非線性材料等）的相互作用特性，其理念已廣泛應用于光子集成、靈敏信號探測和識別、生化傳感、超分辨顯微成像、高效太陽能電池及發光器件、疾病診斷及治療、環境監測等重要領域。相關研究的一個關鍵點是針對特定應用