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  • 發布時間:2019-12-09 15:22 原文鏈接: 我國研究人員研制出32.35T磁場超導磁體

      日前,中國科學院電工研究所王秋良團隊成功研制出中心磁場高達32.35特斯拉(T)的全超導磁體。該磁體采用了自主研發的高溫內插磁體技術,打破了2017年12月由美國國家強磁場實驗室創造的32.0特斯拉超導磁體的世界紀錄。

      低溫超導磁體產生的磁場強度上限為23.0T左右。為提高超導磁體的中心磁場強度,獲得更高磁場,團隊采用高低溫混合超導磁體的方式建造磁體。即在低溫超導磁體的同軸結構內部插入高溫超導磁體,利用高溫超導帶材抗拉伸強度高和高磁場下載流密度大的優點來產生23.0T以上的中心磁場。

      團隊長期致力于高磁場高溫超導內插磁體技術研究,先后研制成功24.0T、25.7T和27.2T全超導磁體。此次研究團隊設計并建造了全新的超導線圈和支撐結構,提高了線圈的整體工程電流密度和局部安全裕度,并采用軸向彈性支撐結構和綁扎裝置,提高了超導接頭抵抗局部拉應力集中的能力。通過這些改進措施,使得極高場內插磁體的電磁安全裕度和應力安全裕度都得以大幅提高。經測試,此次建造的極高磁場超導磁體在液氦浸泡條件下產生了32.35T的中心磁場,并且實現了在32.35T全超導磁體的穩定運行。

      中科院院士周遠、美國麻省理工學院教授Yukikazu Iwasa等專家學者共同見證了現場測試試驗。

      此項研究成果將服務于綜合極端條件實驗裝置用戶,為我國物質科學探索新物態、新現象、新規律等基礎研究和應用研究提供先進的強磁場實驗條件。

      高低溫混合超導磁體測試曲線

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