第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（一）
第三代 半導體材料——氮化鎵( GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在 電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于 功率因數校正(PFC)、軟開關 DC-DC等電源系統設計，以及電源適配器、光伏 逆變器或 太陽能逆變器、服務器及通信電源等終端領域。 GaN的優勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計，因而表現出低損耗并提供高開關頻率，而低損耗加上寬帶寬器件的高結溫特性，可降低散熱量，高開關頻率可減少濾波器和無源器件如變壓器、電容、電感等的使用，最終減小系統尺寸和重量，提升功率密度，有助于設計人員實現緊湊的高能效電源方案。同為寬帶寬器件，GaN比SiC的成本更低，更易于商業化和具備廣泛采用的潛力。 表1：半導體材料關鍵特性一覽 GaN在電源應用......閱讀全文
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（三）
設計注意事項 采用GaN設計電源時，為降低系統EMI，需考慮幾個關鍵因素：首先，對于Cascode結構的GaN，閾值非常穩定地設定在2 V，即5 V導通，0 V關斷，且提供±18 V門極電壓，因而無需特別的驅動器。其次，布板很重要，盡量以短距離、小回路為原則，以最大限度地減少元
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（四）
經過 頻譜分析儀和LISN測試，該設計的EMI符合EN55022B標準，并通過2.2 kV共模模式和1.1 kV 差分模式的浪涌測試。輸入電壓為115 Vac和230 Vac時，系統峰值效率分別超過95%和94%。該參考設計較現有采用硅的216 W電源參考設計減小25%的尺寸，提升2%的
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（二）
Cascode相當于由GaN HEMT和低壓MOSFET組成：GaN HEMT可承受高電壓，過電壓能力達到750 V，并提供低導通電阻，而低壓MOSFET提供低門極驅動和低反向恢復。HEMT是高電子遷移率晶體管的英文縮寫，通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。圖1：GaN內部架構及
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（一）
第三代 半導體材料——氮化鎵( GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在 電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于 功率因數校正(PFC)、軟開關 DC-DC等電源系統設計，以及電源適配器、光伏 逆變器或 太陽能逆變器、服務
GaN基半導體異質結構中的應力相關效應
GaN基半導體作為光電子材料領域極為重要的材料,其異質結構在器件開發領域得到十分廣泛的應用,目前,影響其未來發展的有幾大關鍵性難題,本質上都與應力場有關,深受大家關注且亟待解決。本論文通過實驗研究和計算模擬,全面深入地考察了GaN基半導體異質結構中應力場的相關效應,分析其復雜性質、闡明其物理機制,進
半導體所研制出GaN基紫外激光器
12月14日，中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點實驗室研究員趙德剛團隊研制出GaN基紫外激光器。GaN被稱為第三代半導體，在光電子學和微電子學領域有廣泛的應用，其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外殺菌等領域有重要的應用價值，也是國際上的研究熱點。GaN基紫外激光器技術難度很大，目前國際
采用界面調控成功制備低位錯半絕緣GaN材料
1月19日，記者從廣東省科學院半導體研究所獲悉，該所研究團隊采用界面工程調控實現藍寶石襯底上低位錯半絕緣氮化鎵（GaN）材料制備。相關研究發表于《合金與化合物雜志》（Journal of Alloys and Compounds）。廣東省科學院半導體研究所高級工程師張康為該論文第一作者，
采用界面調控成功制備低位錯半絕緣GaN材料
1月19日，記者從廣東省科學院半導體研究所獲悉，該所研究團隊采用界面工程調控實現藍寶石襯底上低位錯半絕緣氮化鎵（GaN）材料制備。相關研究發表于《合金與化合物雜志》（Journal of Alloys and Compounds）。廣東省科學院半導體研究所高級工程師張康為該論文第一作者，陳志濤博士和
GaN：實現－5G－的關鍵技術
日前，由 EETOP 聯合 KEYSIGHT 共同舉辦的“2020 中國半導體芯動力高峰論壇”隆重舉行。Qorvo 無線基礎設施部門高級應用工程師周鵬飛也受邀參與了這次盛會，并發表了題為《實現 5G 的關鍵技術—— GaN》的演講。 首先，周鵬飛給我們介紹了無線基礎設施的發展。他表示
GaN－功率芯片的特點和技術優勢
GaN（氮化鎵）的特性與傳統Si（硅）有很大區別，例如開關速度比Si 快20 倍，體積和重量更小，某些系統里可以節能約40%。這是非常可觀的，對于實現“雙碳”目標很有助益。它的功率密度可以提升3 倍，如果搭配快充方案，充電速度提升3 倍以上，而且成本也很合理，相比Si 的BOM（物料清單）方案，系統
什么是半導體材料？常見半導體材料有哪些？
半導體材料是什么？半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
稀土LED發光材料及半導體照明技術獲突破
中科院長春應用化學研究所與成都四川新力光源股份有限公司合作研發的“發光余輝壽命可控稀土LED發光材料研發及其在半導體照明中的應用”成果，近日在成都通過由中科院組織的成果鑒定。專家組認為，該原創性稀土發光材料有效解決了國際上一直未能攻破的交流LED照明設備頻閃問題，并實現了從基礎研究到產業化的跨越
半導體材料的概念
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
什么是半導體材料？
半導體材料（semiconductormaterial）是導電能力介于導體與絕緣體之間的物質。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。
半導體材料的定義
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體熱電材料
? 半導體熱電材料（英文名：semiconductor thermoelectric material）指具有較大熱電效應的半導體材料，亦稱溫差電材料。它能直接把熱能轉換成電能，或直接由電能產生致冷作用。? ? 1821年，德國塞貝克（see—beck）在金屬中發現溫差電效應，僅在測量溫度的溫差電偶
半導體材料的特性
半導體材料的特性：半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、
第三代半導體有望寫入下月十四五規劃－成國產替代希望
近日，有媒體報道稱，權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。國信證券研報中指出半導體第三代是指半導體材料的變化，從第一代、
2025深圳半導體展會|半導體材料展會|半導體設備展會|
「官網」2025深圳13屆國際半導體技術展「半導體展會」展會時間：2025年4月9日-11日論壇時間：2025年4月9日-11日舉辦地點：深圳福田會展中心 (深圳市福田中心區福華三路)展會規模：?面積10萬平米，展商1800余家，展位3600多個，觀眾近10萬人次展會報名：136 （李先生）中間四位
半導體展會2024半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
深圳電子元器件展，電子儀器儀表展，深圳電子儀器儀表展，電子元器件展，深圳電子設備展，電子設備展，電子元器件展覽會，電子儀器展，深圳電子儀器展，電儀器展覽會，深圳繼電器展，深圳電容器展，深圳連接器展，深圳集成電路展2024中國（深圳）國際半導體與封裝設備展覽會2024 China (Shenzhen)
熱掃描探針光刻技術消除二維半導體材料
?? 二維半導體材料，比如二硫化鉬（MoS2），表現出了諸多新奇的特性，從而使其具有應用于新型電子器件領域的潛力。目前，研究人員常用電子束光刻的方法，在此類僅若干原子層厚的材料表面定域制備圖形化電極，從而研究其電學特性。然而，采用此類方法常遇到的問題之一是二維半導體材料與金屬電極之間為非歐姆接觸，且
真空互聯技術可實現新型半導體材料和器件創新
日前，由中科院蘇州納米所牽頭承辦的第608次香山科學會議在蘇州舉行，來自國內外的40多位專家學者參會。本次大會的主題為“化合物半導體器件的異質集成與界面調控”，中科院院士李樹深、黃如、中科院蘇州納米所所長楊輝、香港大學教授謝茂海擔任本次大會的執行主席。 半導體與集成電路在人類社會各領域的應用
半導體展會2024上海半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
2024深圳半導體展會|半導體材料展會|半導體設備展會|《入口》
深圳電子元器件展，電子儀器儀表展，深圳電子儀器儀表展，電子元器件展，深圳電子設備展，電子設備展，電子元器件展覽會，電子儀器展，深圳電子儀器展，電儀器展覽會，深圳繼電器展，深圳電容器展，深圳連接器展，深圳集成電路展2024中國（深圳）國際半導體與封裝設備展覽會2024 China (Shenzhen)
半導體兩大原材料淺析
半導體原料共經歷了三個發展階段：第一階段是以硅 （Si）、鍺 （Ge） 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵 （GaAs）、磷化銦 （InP） 等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化鋅 （ZnSe） 等寬帶半導體原料為主。第三代半導體原料具有
化合物半導體材料的材料優勢
化合物半導體集成電路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗輻射。以GaAs為例，通過比較可得：1.化合物半導體材料具有很高的電子遷移率和電子漂移速度，因此，可以做到更高的工作頻率和更快的工作速度。2.肖特基勢壘特性優越，容易實現良好的柵控特性的MES結構。3.本征電阻率高，為半絕緣襯底。電路工藝中便
SiC和GaN技術將成為太陽能逆變器制勝關鍵
根據研究機構Lux Research報告顯示，受太陽能模組的下游需求驅動，寬禁帶半導體——即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)將引領太陽能逆變器隔離器市場在2020年達到14億美元，意味著其穩定的復合增長率(CAGR)達到7%，略低于可再生能源和基于電網的能源設備的復合增長率9%。隨著GaN
常見的半導體材料介紹
常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。