備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？（一）
日前，據日本媒體報道，日本經濟產業省（METI）計劃為致力于開發新一代低能耗半導體材料“氧化鎵”的私營企業和大學提供財政支持。報道指出，METI將為明年留出大約2030萬美元的資金去資助相關企業，預計未來5年的資助規模將超過8560萬美元。 眾所周知，經歷了日美“廣場協定”的日本 在半導體領域的優勢已經完全轉移到了材料和設備方面，如在硅片方面，日本的幾家公司名列前茅，各種用在半導體芯片生產的氣體和化合物方面，日本也不遑多讓。在最近內國內媒體常提到的EUV光刻方面，雖然日本并沒有提供相應光刻機，但他們幾乎壟斷了全球的EUV光刻膠供應，所以他們看好的半導體材料，是有一定的代表意義的。 在這里，我們來深入了解一下日本看好的這項半導體材料是什么。 什么是氧化鎵？ 資料顯示，氧化鎵（Ga2O3）是一種新興的超寬帶隙（UWBG）半導體，擁有4.......閱讀全文
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（二）
行業的領先廠商 ? 既然這個材料擁有這么領先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，據半導體行業觀察了解，京都大學投資的Flosfia、NICT和田村制作所投資的Novel Crystal是最領先的Ga2O3供應商。 ? 相關資料顯示，Flosfia成立于20
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（一）
日前，據日本媒體報道，日本經濟產業省（METI）計劃為致力于開發新一代低能耗半導體材料“氧化鎵”的私營企業和大學提供財政支持。報道指出，METI將為明年留出大約2030萬美元的資金去資助相關企業，預計未來5年的資助規模將超過8560萬美元。 ? 眾所周知，經歷了日美“廣場協定”的日本
砷化鎵材料的材料特性
GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、
氮化鎵半導體材料的應用前景
對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發LED的 7年規劃，其目標是
砷化鎵材料的研究進展
砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優
氮化鎵半導體材料的優點與缺陷
①禁帶寬度大（3.4eV），熱導率高（1.3W/cm-K），則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強；②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；③GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）被大會接收。 IEEE IEDM是一個年度微電子和納電子學術會議，是
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/491041.shtm 科技日報合肥12月12日電 （記者吳長鋒）12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
氮化鎵半導體材料光電器件應用介紹
GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批
氧化鎵和碳化硅功率芯片的技術差異
SiC（碳化硅）商業化已經20 多年了，GaN 商業化還不到5 年時間。因此人們對GaN 未來完整的市場布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能夠耐高壓、耐熱，但是缺點是頻率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。現在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅長高頻，效率可以做得非常好。例如，
氮化鎵半導體材料的反應方程式
GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學反應實現的，其可逆的反應方程式為：Ga+NH3=GaN+3/2H2生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。人們通常采用的方法有常規MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等離子體增強MOCVD（PE—MOCVD
氧化鎵功率電子器件領域新進展，入選ISPSD
近日，中國科大微電子學院龍世兵教授課題組兩篇論文入選第34屆功率半導體器件和集成電路國際會議（ISPSD，全稱為：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半導體器件和集成電路領域國際頂級
我國學者在非晶氧化鎵導熱領域取得進展
圖 非晶氧化鎵的密度、組分比及結構描述器SSF與熱導率之間的關系 在國家自然科學基金項目（批準號：51825601、U20A20301）資助下，清華大學曹炳陽教授團隊及合作者在非晶氧化鎵導熱領域取得進展。研究成果以“結合機器學習與實驗揭示非晶氧化鎵原子結構與熱輸運性質的相關性（Unraveling
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶
近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大
我國科研人員為氧化鎵晶體管找到新結構方案
26日，記者從中國科學技術大學獲悉，該校微電子學院龍世兵教授課題組聯合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。相關研究成果日前分別在線發表于《應用物理通信》《IEEE電子設備通信》上。 作為新一代功率半導體材料，氧化鎵的p型摻雜目前
氮化鎵植于石墨烯可制成隨意折疊變形的LED材料
目前，許多由有機材料制造的電子和光電子材料都具備良好的柔韌度，易于改變形狀。與此同時，不易形變的無機化合物在制造光學、電氣和機械元件方面展現出了強大的性能。但由于技術原因，二者卻很難優勢互補，功能優異的無機化合物半導體也因不易塑形的特點而遇到了發展障礙。 幸好，氮化鎵與石墨烯的結合，部分實現了
鎵氮砷合金材料太陽能電池效率達40％
硅太陽能電池的效率一般只能達到20%，效率更高的電池都很復雜，也很昂貴。據美國物理學家組織網1月24日報道，美國勞倫斯·伯克利國家實驗室科研人員伍雷戴克·瓦盧克維領導的研究小組，用一種名為鎵氮砷（GaNAs）合金的特殊材料和簡單的組合方法，使他們制造的多帶型太陽能電池效率達到40%
新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL
近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge
鎵儲備不足－美國國防部決定從“廢品”中回收鎵
財聯社7月27日訊 美國國防部計劃在年底前首次與美國或加拿大公司簽訂有關回收鎵的合同，鎵是一種用于半導體和軍用雷達的礦物。 7月3日，中國商務部、海關總署宣布，為維護國家安全和利益，決定自2023年8月1日起對鎵和鍺兩種關鍵金屬實行出口管制。 本月早些時候，在被問及這兩種關鍵金屬的儲備情況時
原子尺度調節鎵鋅混合氮氧化物納米線能帶結構新研究
近日，中國科學院國家納米科學中心研究員宮建茹與南京航空航天大學教授宣益民、中科院高能物理研究所研究員張靜合作，在原子尺度調節 (Ga1-xZnx)(N1-xOx) 固溶體納米線能帶結構研究方面取得新進展，1月21日，相關研究成果以Atomic arrangement matters: band-
銻化鎵的應用
銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數為0.60959nm。GaSbChemicalbook具有優異的物理化學性能，常被用做襯底材料，應用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激
鎵是什么意思
鎵的意思是金屬元素，符號Ga（gallium）。鎵（Gallium）是灰藍色或銀白色的金屬，符號為Ga，原子量69.723。鎵熔點很低，但沸點很高，在空氣中易氧化，形成氧化膜，純液態鎵有顯著的過冷的趨勢，可由鋁土礦或閃鋅礦中提取，最后經電解制得純凈鎵，適合使用塑料瓶（不能盛滿）儲存。布瓦博得朗沒有意
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（三）
設計注意事項 采用GaN設計電源時，為降低系統EMI，需考慮幾個關鍵因素：首先，對于Cascode結構的GaN，閾值非常穩定地設定在2 V，即5 V導通，0 V關斷，且提供±18 V門極電壓，因而無需特別的驅動器。其次，布板很重要，盡量以短距離、小回路為原則，以最大限度地減少元
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（四）
經過 頻譜分析儀和LISN測試，該設計的EMI符合EN55022B標準，并通過2.2 kV共模模式和1.1 kV 差分模式的浪涌測試。輸入電壓為115 Vac和230 Vac時，系統峰值效率分別超過95%和94%。該參考設計較現有采用硅的216 W電源參考設計減小25%的尺寸，提升2%的
國家標準氮化鎵材料中鎂含量的測定二次離子質譜法
１國家標準《氮化鎵材料中鎂含量的測定二次離子質譜法》編制說明（預審稿）一、工作簡況1.立項的目的和意義GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SiC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（二）
Cascode相當于由GaN HEMT和低壓MOSFET組成：GaN HEMT可承受高電壓，過電壓能力達到750 V，并提供低導通電阻，而低壓MOSFET提供低門極驅動和低反向恢復。HEMT是高電子遷移率晶體管的英文縮寫，通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。圖1：GaN內部架構及
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（一）
第三代 半導體材料——氮化鎵( GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在 電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于 功率因數校正(PFC)、軟開關 DC-DC等電源系統設計，以及電源適配器、光伏 逆變器或 太陽能逆變器、服務
EDTA絡合滴定法測定金鎵合金中的鎵
一、方法要點試樣用鹽酸和硝酸溶解，加鹽酸蒸發驅除硝酸，用亞硫酸還原金。加一定過量的EDTA溶液絡合鎵，在pH5．8的六亞甲基四胺緩沖溶液中，以二甲酸橙作指示劑，用鋅標準溶液返滴定以測定鎵量。本法適用于分析金鎵合金中3％～5％的鎵。二、試劑(1)氯化鈉、六亞甲基四胺。(2)二甲酚橙：0.2％溶液。(3