為什么在NAND閃存存儲系統中實現低故障率不僅需要強...
為什么在NAND閃存存儲系統中實現低故障率不僅需要強大的ECC代碼？ 該行業非常重視單個ECC代碼的強度：但經常被忽視的是錯誤預防的強度，這在糾正甚至發揮作用之前是重要的我們如何在基于NAND閃存的系統中實現最低的故障率？您可能已在工程團隊或存儲系統供應商之間進行過此次討論。正在采取哪些措施來確保您獲得的質量解決方案不僅可以有效地糾正將發生的不可避免的錯誤，而且建立一個如此強大的系統結構，可以防止一開始錯誤發生？隨著NAND閃存的工藝幾何尺寸縮小，誤碼率不斷增加，從而導致系統故障率降低。任何了解SD卡，USB閃存驅動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關鍵組件是NAND閃存控制器。您可能熟悉此組件并討論過糾錯碼（ECC）強度。是否想過在這個小包裝里面究竟出現什么？閃存控制器為防止故障發生做了什么？ ECC是一組不同構建塊當中的一個單元。系統設計相當良好，其可靠性和防錯功能在整......閱讀全文
為什么在NAND閃存存儲系統中實現低故障率不僅需要強...
為什么在NAND閃存存儲系統中實現低故障率不僅需要強大的ECC代碼？ 該行業非常重視單個ECC代碼的強度：但經常被忽視的是錯誤預防的強度，這在糾正甚至發揮作用之前是重要的我們如何在基于NAND閃存的系統中實現最低的故障率？您可能已在工程團隊或存儲系統供應商之間進行過此次討論。正在采取哪些措施來
中芯國際推出自主研發38納米NAND閃存工藝
9月11日，中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱中芯國際）宣布38納米NAND閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可生產NAND產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠對高質量、低密度NAND閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。
破解壟斷－我國首批32層3D－NAND閃存芯片年內將量產
位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺１１日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的３２層３ＤＮＡＮＤ閃存芯片將于年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。圖片來源于網絡 目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基
Nand－Flash的特性及其燒錄關鍵點詳解（一）
為什么燒錄Nand Flash經常失敗？為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統卻運行不起來？…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關鍵點嗎？ 一、Nand flash的特性 1、位翻轉 在 NAND 閃存是通過對
2D－NAND和3D－NAND間有哪些區別和聯系？
如果用一個詞來描述2016年的固態硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產引發固態漲價，閃存顆粒的制程問題引發的廠商競爭，以及“日經貼”般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。那么，到底什么是閃存顆？2D NA
許小年：為什么要強調供給側？
2015年11月10日，習近平主席在中央財經領導小組會議上首次提出“供給側結構性改革”；第二天的國務院常務會議再次強調“培育形成新供給新動力”；11月17日，李克強總理在“十三五”《規劃綱要》編制工作會議上強調，在供給側和需求側兩端發力促進產業邁向中高端……2015年歲末橫空出世的“供給側”一詞
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（二）
Flash顆粒解析 學習過模擬電路的同學都知道，在模電原理里三極管分兩種，一種是雙極性三極管，主要基于載流子用來做電流放大，另一種叫做CMOS場效應三極管，通過電場控制的金屬氧化物半導體。NAND Flash就是基于場效應P/N溝道和漏極、柵極技術通過浮柵Mosfet對柵極充電
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（二）
SSD接口技術 我們知道閃存磁盤是在HDD以后出現的，由于SSD優異的隨機性能、越來越大的容量和越來越低的成本等優勢，使得閃存熱度上升、乃至替換HDD的趨勢。由于歷史繼承性等原因，SSD在設計是也是借鑒了部分HDD技術，包含接口技術，現在絕大多數SSD都是采用SATA/SAS接口。SATA接口
復旦團隊實現納秒級編程閃存規模集成
本報訊（記者顏維琦）人工智能的飛速發展迫切需要高速非易失存儲技術。當前主流非易失閃存的編程速度普遍在百微秒級，無法支撐應用需求。復旦大學周鵬-劉春森團隊的前期研究表明，二維半導體結構能夠將其速度提升1000倍以上，實現顛覆性的納秒級超快存儲閃存技術。然而，如何實現規模集成、走向真正實際應用仍極具挑戰
復旦團隊實現納秒級編程閃存規模集成
人工智能的飛速發展迫切需要高速非易失存儲技術。當前主流非易失閃存的編程速度普遍在百微秒級，無法支撐應用需求。復旦大學周鵬-劉春森團隊的前期研究表明，二維半導體結構能夠將其速度提升1000倍以上，實現顛覆性的納秒級超快存儲閃存技術。然而，如何實現規模集成、走向真正實際應用仍極具挑戰。 記者獲悉，
為什么要強調高質量充分就業
就業是民生之本。黨的二十大報告指出，“強化就業優先政策，健全就業促進機制，促進高質量充分就業”。那么，什么是高質量充分就業？為什么要強調高質量充分就業？如何實現高質量充分就業？ 高質量充分就業是能夠較好滿足企業方的人力資源需求的就業。企業招人用人，是讓其與資本等其他生產要素結合，并優化配置，在
一文解析SLC、MLC和TLC三者的區別
X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Cell)技術
國產新星半導體巨頭崛起，實現彎道超車
首先是長江存儲在全球擁有10，000多名員工，7000多項ZL申請。是一家以3D NAND閃存為主，涵蓋計算機、移動通信等領域的電路企業，致力于成為存儲技術的領導者。如今，作為三星、東芝這樣的高科技企業，長江存儲曾經有著令人欽佩的R&D歷史。長江存儲的前身武漢新鑫，因經濟衰退而舉步維艱。危急之時
在原子吸收分析中，為什么火焰法的靈敏度比非火焰法低
AA的霧化效率低，火焰稀釋作用造成的，所以有人在火焰上方做了個帶缺口的管做富集，吸光值就有顯著提高
三星2023年凈利潤下滑72％，等待存儲行業穿越周期
在2023年的四季度，存儲行業終于顯示出增勢，逆勢上漲。三星發布的財報顯示，盡管全年銷售收入同比下滑14.32%，凈利潤同比下滑72.17%，但存儲和晶圓代工業務（DS業務）以及以顯示面板為主的SDC業務在四季度出現逆勢上漲。存儲業務同比和環比均領漲所有業務，顯示半導體產業鏈上游的復蘇態勢。此前的存
美國或將會限制對華芯片出口，韓國芯片被波及
據知情人士透露，美國正考慮限制向中國存儲芯片商出口美國芯片制造設備，其中包括長江存儲科技有限公司 (YMTC)。專業人士分析，如果這一決議落實，可能會殃及池魚，韓國芯片巨頭三星電子(005930.KS)和SK海力士(000660.KS)業務也將受到影響。三星設在西安的半導體工廠據了解，韓國在中國大陸
復旦團隊實現納秒編程閃存規模集成和8納米極限微縮
8月13日，記者從復旦大學獲悉，該校周鵬-劉春森團隊從界面工程出發，在國際上首次實現了最大規模1Kb納秒超快閃存陣列集成驗證，并證明了其超快特性可延伸至亞10納米。相關研究成果12日發表于國際期刊《自然·電子學》。人工智能的飛速發展迫切需要高速非易失存儲技術，當前主流非易失閃存的編程速度普遍在百微秒
復旦團隊實現納秒編程閃存規模集成和8納米極限微縮
8月13日，記者從復旦大學獲悉，該校周鵬-劉春森團隊從界面工程出發，在國際上首次實現了最大規模1Kb納秒超快閃存陣列集成驗證，并證明了其超快特性可延伸至亞10納米。相關研究成果12日發表于國際期刊《自然·電子學》。人工智能的飛速發展迫切需要高速非易失存儲技術，當前主流非易失閃存的編程速度普遍在百微秒
IBM相變存儲技術實現每單元存3比特數據－成本接近閃存
據物理學家組織網報道，IBM蘇黎世研發中心的科學家17日宣布，他們在相變存儲（PCM）技術領域取得重大突破——首次實現了單個相變存儲單元存儲3個比特的數據。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其產業化步伐，最終為物聯網時代呈指數級增長的數據提供一種簡單且快速的存儲方式。 目前的存儲器種類包
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（一）
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架構/顆粒/接口/可靠性全面解析 閃存最明顯特點就是穩定性能，低時延和高隨機IOPS。對于閃存，在評估性能時，我們一般主要關注90% IO落入規定的時延范圍(性能是一個線性范圍，而不是某一個點)。數據保護等追求所有軟件特性都基于Inlin
研究在低鎘水稻研究中取得進展
水稻是我國主要的糧食作物，全國有一半以上的人口以稻米為主食。然而，水稻容易吸收和富集重金屬元素鎘，使得鎘通過食物鏈進入人體，并在人體內長期積累，嚴重威脅人類健康。我國稻米鎘污染問題形勢嚴峻，其中南方稻米鎘污染情況尤為嚴重。我國栽培稻分成秈、粳兩個亞種，秈稻主要在南方地區種植，較粳稻具有更強的鎘積
中國科大在黑磷低維原子晶體中實現高遷移率二維電子氣
近日，中國科學技術大學教授陳仙輝課題組與復旦大學教授張遠波課題組合作，繼去年首次制備出二維黑磷場效應晶體管之后，再次在薄層黑磷晶體研究中取得新進展，成功在這一體系中實現高遷移率二維電子氣。相關研究成果發表在5月18日的《自然·納米科技》上。 2014年5月，陳仙輝課題組與復旦大學張遠波等課題組
為什么腦瘤在男性中更為常見？
近日，來自華盛頓大學醫學院的研究人員通過研究揭示了，為何腦瘤經常在男性機體中發生，而且相比女性個體來講腦瘤對男性個體的危害更大，相關研究刊登于國際雜志The Journal of Clinical Investigation上。 膠質母細胞瘤是一種惡性腦瘤，其在男性個體中的發病率是女性的2倍，
為什么種子純度試驗中需配備手提式高壓滅菌鍋？
??? 做種子純度試驗，一款性能良好的手提式高壓滅菌鍋是必不可少的，但是很多人對于手提式高壓滅菌鍋的應用作用卻并不是那么在意，那么下面就來說說為什么要在種子純度試驗中配備手提式高壓滅菌鍋？? ? 首先我們知道，細菌的生命力，是我們想象不到的頑強的，幾乎是無處不在的，而種子純度試驗對于物品有非常嚴格
高低溫恒溫槽如何降低使用中的故障率？
高低溫恒溫槽采用高精度PID程序控溫，可以直接加熱和制冷，也可以輔助加熱和輔助制冷的熱源或冷源，應用于石油化工、制藥等化學反應工藝過程控制，對反應釜、全自動合成儀器、萃取以及冷凝裝置的恒溫控溫或外循環應用，制冷系統和加熱系統的高壓保護和高溫保護確保儀器長期運行。在高低溫恒溫槽的實際運用中，為了有效保
環境治理需實現成本的轉嫁
????超強臺風“威馬遜”走了沒多久，佛山刮起的“環保風暴”仍在繼續。 ????7月20日，佛山市、區、鎮三級環保部門開展聯合突擊行動，對經營規模較大、廣佛跨界區域的廢水排放企業進行了督查。在本次行動中，三水檢查組對廣源鋁業和興發鋁業兩家規模企業開出了罰單，前者被立案查處，后者則被要求限
液氮生產存儲系統的概述
液氮生產存儲系統是一種用于物理學、化學領域的科學儀器，于2015年11月13日啟用。 技術指標 壓縮空氣表壓: 0.8MPa(進氣壓力) *液 氮 產 量: ≥5L/h *氮 氣 純 度: ≥99.995% 有效耗氣量: 1.8m3/min 氮出口壓力: 0.1MPa 露 點: -60℃。
半導體大消息！美國放開對華市場，網友：不買不買！
剛剛，半導體傳來一則大消息。 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其它許可。意味著，在無需單獨批準的情況下，三星電子、SK海力士可以向中國工廠供應含美國技術的半導體設備。值得一提的是，全球最大和第二大存儲芯片制造商，三星電子、SK海力士在
提RNA濃度為什么這么低
1、提取rna測濃度時a260/a280大于3的原因可能是降解。2、一般對于dna,純凈的時候比值是1.8，而對于rna則是接近2.0。如果超過這個值，那么最有可能的就是核酸降解了，因為寡聚的核酸和核苷酸在260的吸收峰比長鏈核苷酸要大，所以會使比值上升。
提RNA濃度為什么這么低
1、提取rna測濃度時a260/a280大于3的原因可能是降解。2、一般對于dna,純凈的時候比值是1.8，而對于rna則是接近2.0。如果超過這個值，那么最有可能的就是核酸降解了，因為寡聚的核酸和核苷酸在260的吸收峰比長鏈核苷酸要大，所以會使比值上升。