光刻機的對準系統
制造高精度的對準系統需要具有近乎完美的精密機械工藝，這也是國產光刻機望塵莫及的技術難點之一，許多美國德國品牌光刻機具有特殊ZL的機械工藝設計。例如Mycro N&Q光刻機采用的全氣動軸承設計ZL技術，有效避免軸承機械摩擦所帶來的工藝誤差。 對準系統另外一個技術難題就是對準顯微鏡。為了增強顯微鏡的視場，許多高端的光刻機，采用了LED照明。 對準系統共有兩套，具備調焦功能。主要就是由雙目雙視場對準顯微鏡主體、目鏡和物鏡各1對（光刻機通常會提供不同放大倍率的目鏡和物鏡供用戶組合使用）。 CCD對準系統作用是將掩模和樣片的對準標記放大并成像于監視器上。 工件臺顧名思義就是放工件的平臺，光刻工藝最主要的工件就是掩模和基片。 工件臺為光刻機的一個關鍵，由掩模樣片整體運動臺（XY）、掩模樣片相對運動臺（XY）、轉動臺、樣片調平機構、樣片調焦機構、承片臺、掩模夾、抽拉掩模臺組成。 其中，樣片調平機構包括球座和半球。調平過......閱讀全文
光刻機的對準系統
制造高精度的對準系統需要具有近乎完美的精密機械工藝，這也是國產光刻機望塵莫及的技術難點之一，許多美國德國品牌光刻機具有特殊ZL的機械工藝設計。例如Mycro N&Q光刻機采用的全氣動軸承設計ZL技術，有效避免軸承機械摩擦所帶來的工藝誤差。 對準系統另外一個技術難題就是對準顯微鏡。為了增強顯微鏡
高精度掩膜對準光刻機
高精度掩膜對準光刻機是一種用于農學、生物學、化學、物理學領域的分析儀器，于2017年11月7日啟用。 技術指標 支持4英寸晶圓；曝光波長：350-450nm；曝光燈功率：350W；分辨率：優于0.8mm（光刻膠厚度1微米時）；套刻精度：0.5mm；光強均勻度：優于±2％；更換汞燈后及汞燈全壽
單面/雙面掩模對準光刻機的相關知識
單面/雙面掩模對準光刻機支持各種標準光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準方式。此外，該系統還提供其他功能，包括鍵合對準和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶，
800萬！清華大學雙面對準光刻機采購項目公開招標公告
近日，清華大學發布雙面對準光刻機采購項目，詳情如下：項目編號：清設招第2022114號（0873-2201HW3L0236）項目名稱：清華大學企業信息雙面對準光刻機采購項目預算金額：800.0000000 萬元（人民幣）采購需求：1.本次招標共1包：包號名稱數量預算金額（人民幣萬元）是否接受進口產品
光刻機冷卻循環裝置常見系統故障
1、回液：對于使用膨脹閥的制冷系統，回液與膨脹閥選型和使用不當密切相關。膨脹閥選型過大、過熱度設定太小、感溫包安裝方法不正確或絕熱包扎破損、膨脹閥失靈都可能造成回液。對于使用毛細管的小制冷系統而言，加液量過大會引起回液。蒸發器結霜嚴重或風扇故障時傳熱變差，未蒸發的液體會引起回液。溫度頻繁波動也會引
光刻機的分類
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動 A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了； B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧； C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循
光刻機的種類
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面； 2.硬接
光刻機的概述
光刻機（Mask Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大
光刻機是什么
光刻機又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的種類可分為：接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光。 光刻機的工作原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補
光刻機原理
光刻機原理： 是利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。光刻是集成電路最重要的
光刻機原理
光刻機原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到晶圓上，最后形成芯片。就好像原本一個空空如也的大腦，通過光刻技術把指令放進去，那這個大腦才可以運作，而電路圖和其他電子元件就是芯片設計人員設計的指令。光刻機就是把芯片制作所
光刻機是什么
1、光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.2、一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。3、Photolithogra
工業光刻機冷卻系統冷水機開機停機事項
一、光刻機冷卻系統冷水機的使用注意事項： 1）光刻機冷卻系統冷水機組的正常開、停機須嚴格按照光刻機冷卻系統冷水機廠家提供的操作說明書的步聚進行操作。 2）機組在運行過程中，應及時、正確地做好參數的記錄工作，如出現報警停機，應及時通知相關人員對機組進行檢查，如無法排除故障，可以直接與光刻機冷卻系
光刻機是什么
光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電
新能源汽車要對準市場需求
進一步加快新能源汽車產業發展，需要根據消費者收入水平和出行需求等方面的特征，確定不同的細分市場，并進一步理順產業發展的體制機制 根據工信部的最新統計數據，今年前9個月，我國新能源乘用車在新能源汽車總產量中的比例已提高至68.6%，遠高于2013年底45.6%的比例。這表明，私人消費者對新能
光刻機的曝光度
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；2.硬接觸 是將基片
細說接觸式光刻機的使用原理及性能指標
大家也許還不是非常的清楚，刻錄機的種類有非常的多，其中的技術原理也不盡相同，下面就由我來給大家簡單介紹一下有關接觸式光刻機的使用原理及性能指標。 接觸式光刻機的使用原理： 其實在我國對于接觸式光刻機，曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。 我
手持光刻機如何使用
手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；光刻（photolithography）工藝是將掩膜版（光刻版）上的幾何圖形轉移到晶圓表面的光刻膠上。首先光刻膠處理設備把光刻膠旋涂到晶圓表面，再經過分步重復曝光和顯影處理之后，在晶圓上形
佳能光刻機共享
儀器名稱：佳能光刻機儀器編號：80424600產地：日本生產廠家：日本型號：PLA-500出廠日期：198004購置日期：198004所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>光刻工藝放置地點：微電子所新所一樓微納平臺光刻間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090,1
光刻機工作原理
1、測量臺、曝光臺：是承載硅片的工作臺。2、激光器：也就是光源，光刻機核心設備之一。3、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。4、能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。5、光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。6
光刻機怎么制作
第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）芯片設計師將CPU的功能、結構設計圖繪制完畢之后，就可將這張包含了CPU功能模塊、電路系統等物理結構的“地圖”繪制在“印刷母板”上，供批量生產了。這一步驟就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版：（又稱光罩，簡稱掩膜版），是微納加工技術常用的光刻工藝所使用的圖
光刻機工作原理
1、測量臺、曝光臺：是承載硅片的工作臺。2、激光器：也就是光源，光刻機核心設備之一。3、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。4、能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。5、光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。6
什么是光刻機
光刻機（Mask?Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大，全
多個傳感器間相互位置關系校準方法
內容說明本發明涉及集成電路制造領域，特別涉及一種多個傳感器間相互位置關系校準方法。發明背景投影掃描式(TFT)光刻機的目的是把掩模上圖形清晰、正確地成像在涂有光刻膠的基板上，隨著基板尺寸的增大，掩模、基板的形變會對套刻結果產生很大的影響，因此必須在掩模或基板上布置更多的標記。為了提高產率，現提出一種
光刻機是什么東西
光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的品牌眾多，根據采用不同技術路線的可以歸納成如下幾類：高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常
光刻機各個結構的作用
測量臺、曝光臺：承載硅片的工作臺，也就是本次所說的雙工作臺。 光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。 能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。 光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。 遮光器：在不需要曝
光刻機的簡介和分類
光刻機（Mask Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大
光刻機的紫外光源
曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。 常見光源分為: 可見光：g線：436nm 紫外光（UV），i線：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm 極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 對光源系統的要求 a.有適當的波長。
光刻機的三大種類
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面； 2.硬接
光刻機的定位格柵是什么
時光刻機中的一項核心技術，應用于對半導體襯底進行成像的光刻技術，主要用來確定位置。在目前高端光刻機晶圓臺的亞納米級定位需求中，光柵干涉測量具有較大優勢，測量分辨率可達17pm，長期測量穩定性可達0.22nm，采用先進的二維平面光柵可以實現空間六自由度測量，是14nm及以下光刻工藝制程的重要技術路線。