俄歇電子能譜儀對表面元素價態分析的相關介紹
雖然俄歇電子的動能主要由元素的種類和躍遷軌道所決定 , 但由于原子外層電子的屏蔽效應 , 芯能級軌道和次外層軌道上電子的結合能 , 在不同化學環境中是不一樣的 , 而是有一些微小的差異。軌道結合能的微小差異可以導致俄歇電子能量的變化 , 稱為俄歇化學位移。一般來說 , 俄歇電子涉及到三個原子軌道能級 , 其化學位移要比 XPS 的化學位移大得多。利用俄歇化學位移可以分析元素在該物質中的化學價態和存在形式。最初 , 由于俄歇電子能譜的分辨率低 , 化學位移的理論分析比較困難 , 俄歇化學效應在化學價態研究上的應用未能得到足夠重視。隨著俄歇電子能譜技術和理論的發展 , 俄歇化學效應的應用也受到了重視 , 利用這種效應可對樣品表面進行元素化學成像分析。......閱讀全文
俄歇電子能譜儀對表面元素價態分析的相關介紹
雖然俄歇電子的動能主要由元素的種類和躍遷軌道所決定 , 但由于原子外層電子的屏蔽效應 , 芯能級軌道和次外層軌道上電子的結合能 , 在不同化學環境中是不一樣的 , 而是有一些微小的差異。軌道結合能的微小差異可以導致俄歇電子能量的變化 , 稱為俄歇化學位移。一般來說 , 俄歇電子涉及到三個原子軌道
簡述俄歇電子能譜儀對表面元素分布分析
俄歇電子能譜表面元素分布分析 , 也稱為俄歇電子能譜元素分布圖像分析。它可以把某個元素在某一區域內的分布以圖像方式表示出來 , 就象電鏡照片一樣。只不過電鏡照片提供的是樣品表面形貌 , 而俄歇電子能譜提供的是元素的分布圖像。結合俄歇化學位移分析 , 還可以獲得特定化學價態元素的化學分布圖像。俄歇
關于俄歇電子能譜儀對表面元素定性分析
俄歇電子的能量僅與原子的軌道能級有關 , 與入射電子能量無關 , 也就是說與激發源無關。對于特定的元素及特定的俄歇躍遷過程 ,俄歇電子的能量是特征性的。因此可以根據俄歇電子的動能 , 定性分析樣品表面的元素種類。由于每個元素會有多個俄歇峰 , 定性分析的準確度很高。 AES 技術可以對除 H 和
關于俄歇電子能譜的表面分析介紹
俄歇電子能譜在固體中運行也同樣要經歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于 10～500電子伏，它們的平均自由程很短，大約為5～20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源，電子束可以聚焦、掃描，因此俄
俄歇電子能譜儀對表面元素半定量分析
樣品表面出射俄歇電子強度與樣品中該原子的濃度有線性關系 , 利用這種關系可以進行元素的半定量分析。俄歇電子強度不僅與原子多少有關 , 還與俄歇電子的逃逸深度、樣品的表面光潔度、元素存在的化學狀態有關。因此 , AES 技術一般不能給出所分析元素的絕對含量 , 僅能提供元素的相對含量。 必須注意
對俄歇電子能譜儀的定性分析
通過正確測定和解釋AES的特征能量、強度、峰位移、譜線形狀和寬度等信息，能直接或間接地獲得固體表面的組成、濃度、化學狀態等多種情報。 定性分析 定性分析主要是利用俄歇電子的特征能量值來確定固體表面的元素組成。能量的確定在積分譜中是指扣除背底后譜峰的最大值，在微分譜中通常規定負峰對應的能量值。
俄歇電子能譜儀
俄歇電子能譜儀（Auger Electron Spectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
俄歇電子能譜儀對材料失效分析簡介
俄歇電子能譜儀具有很高表面靈敏度 , 在材料表面分析測試方面有著不可替代的作用。通過正確測定和解釋 AES 的特征能量、強度、峰位移、譜線形狀和寬度等信息 , 能直接或間接地獲得固體表面的組成、濃度、化學狀態等多種信息 , 所以在國內外材料表面分析方面 AES 技術得到廣泛運用 。 材料失效分
俄歇電子能譜儀的電子能量分析器相關介紹
這是AES的心臟，其作用是收集并分開不同的動能的電子。 由于俄歇電子能量極低，必須采用特殊的裝置才能達到儀器所需的靈敏度。目前幾乎所有的俄歇譜儀都使用一種叫作筒鏡分析器的裝置。 分析器的主體是兩個同心的圓筒。樣品和內筒同時接地，在外筒上施加一個負的偏轉電壓，內筒上開有圓環狀的電子入口和出口，激
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜簡稱AES，是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的電子稱為俄歇電子。1953年，俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用
俄歇電子能譜儀樣品的尺寸的相關介紹
俄歇電子能譜儀對分析樣品有特定的要求,在通常情況下只能分析固體導電樣品。經過特殊處理,絕緣體固體也可以進行分析。粉體樣品原則上不能進行俄歇電子能譜分析,但經特殊制樣處理也可以進行分析。由于涉及到樣品在真空中的傳遞和放置,所以待分析樣品一般都需要經過一定的預處理。 樣品的尺寸 在實驗過程中,樣
俄歇電子能譜儀簡介
俄歇電子能譜儀（AugerElectronSpectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
關于俄歇電子能譜儀離子槍的相關介紹
它由離子源和束聚焦透鏡等部分組成，有如下功能：①清潔試樣表面 用于分析的樣品要求十分清潔，在分析前常用 濺射離子槍對樣品進行表面清洗，以除去附著在樣品表面的污物；②逐層刻蝕試樣表面，進行試樣組成的深度剖面分析。一般采用差分式氬離子槍，即利用差壓抽氣使離子槍中氣體壓強比分析室高103倍左右。這樣當
俄歇電子能譜儀的簡介
歐杰電子能譜術也稱俄歇電子能譜儀（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄
俄歇電子能譜儀的應用
近年來,俄歇電子能譜儀( AES) 在材料表面化學成分分析、表面元素定性和半定量分析、元素深度分布分析及微區分析方面嶄露頭角。AES 的優點是,在距表面 0.5 ～ 2nm 范圍內, 靈敏度高、分析速度快,能探測周期表上 He 以后的所有元素。最初,俄歇電子能譜儀主要用于研究工作 ,現已成為一種常規
關于俄歇電子能譜的俄歇電流的基本介紹
俄歇電子能譜的俄歇電流，從純凈固體表面測得的俄歇電流大約是10-5Ip，Ip是入射電子束流。 俄歇電流原則上可以通過估計電離截面來計算，但由于受多種因子的影響。 計算很復雜，并與實驗符合得不好。 在實際測量時，為了使俄歇電流達到最大，必須選擇適當的EP/EW比例。EP是入射電子的能量，EW是最初
俄歇電子能譜（2）
基本原理物理原理入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。俄歇電子和X射線產額入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子
俄歇電子能譜（1）
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出
俄歇電子能譜（3）
俄歇躍遷對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發，內層 電子被 電離， 留下一個空穴。 此時原子處于激發態， 不穩定。 較高能級上的一
表面元素價態分析
雖然俄歇電子的動能主要由元素的種類和躍遷軌道所決定 , 但由于原子外層電子的屏蔽效應 , 芯能級軌道和次外層軌道上電子的結合能 , 在不同化學環境中是不一樣的 , 而是有一些微小的差異。軌道結合能的微小差異可以導致俄歇電子能量的變化 , 稱為俄歇化學位移。一般來說 , 俄歇電子涉及到三個原子軌道能級
俄歇電子能譜法（AES）介紹
俄歇電子能譜法是用具有一定能量的電子束(或X射線)激發樣品俄歇效應，通過檢測俄歇電子的能量和強度，從而獲得有關材料表面化學成分和結構的信息的方法。利用受激原子俄歇躍遷退激過程發射的俄歇電子對試樣微區的表面成分進行的定性定量分析。
對俄歇電子能譜儀的兩種測試結果分析
俄歇電子能譜 俄歇電子數目N(E)隨其能量E的分布曲線稱為俄歇電子能譜。一般情況下，俄歇電子能譜是迭加在緩慢變化的，非彈性散射電子形成的背底上。俄歇電子峰有很高的背底，有的峰還不明顯，不易探測和分辯。為此通常采用電子能量分布的一次微分譜，即N’(E)=dN(E)/dE來顯示俄歇電子峰。這時俄歇
俄歇電子能譜的微區分析
微區分析也是俄歇電子能譜分析的一個重要功能，可以分為選點分析，線掃描分析和面掃描分析三個方面。這種功能是俄歇電子能譜在微電子器件研究中最常用的方法，也是納米材料研究的主要手段。（1）選點分析俄歇電子能譜選點分析的空間分別率可以達到束斑面積大小。因此，利用俄歇電子能譜可以在很微小的區域內進行選點分析。
俄歇電子能譜的原理
向樣品照射電子束后，電子和物質之間產生劇烈的相互作用，如下圖（上)所示，各種電子和電磁波被釋放出來。由于其中俄歇電子具備各個元素特有的能量，所以如對能譜進行解析，可以鑒定物質表面所存在的元素(定性分析)通過峰強度對比則可以定量測定元素(定量分析)。另外，俄歇電子在物質中非彈性散射情況下前進的距離（平
俄歇電子能譜的特點
①俄歇電子的能量是靶物質所特有的，與入射電子束的能量無關。右圖是一些主要的俄歇電子能量。可見對于Z=3-14的元素，最突出的俄歇效應是由KLL躍遷形成的，對Z=14-40的元素是LMM躍遷，對Z=40-79的元素是MNN躍遷。大多數元素和一些化合物的俄歇電子能量可以從手冊中查到。②俄歇電子只能從20
為什么俄歇電子能譜不能分析h與he元素
俄歇電子譜不能探測He元素，因為He只有一層電子，不能產生俄歇效應；X射線光電子譜不能探測He元素，X射線光電子能譜儀是使樣品內層電子產生光電子，但是He只有一層電子，不能探測。
俄歇電子能譜儀的工作原理
當一個具有足夠能量的入射電子使原子內層電離時，該空穴立即就被另一電子通過L1→K躍遷所填充。這個躍遷多余的能量EK-EL1如使L2能級上的電子產生躍遷，這個電子就從該原子發射出去稱為俄歇電子。這個俄歇電子的能量約等于EK-EL1-EL2。這種發射過程稱為KL1L2躍遷。此外類似的還會有KL1L1
俄歇電子能譜儀的測試結果
俄歇電子能譜俄歇電子數目N(E)隨其能量E的分布曲線稱為俄歇電子能譜。一般情況下，俄歇電子能譜是迭加在緩慢變化的，非彈性散射電子形成的背底上。俄歇電子峰有很高的背底，有的峰還不明顯，不易探測和分辯。為此通常采用電子能量分布的一次微分譜，即N’(E)=dN(E)/dE來顯示俄歇電子峰。這時俄歇電子峰形
俄歇電子能譜儀的特點簡介
①俄歇電子的能量是靶物質所特有的，與入射電子束的能量無關。右圖是一些主要的俄歇電子能量。可見對于Z=3-14的元素，最突出的 俄歇效應是由KLL躍遷形成的，對Z=14-40的元素是LMM躍遷，對Z=40-79的元素是MNN躍遷。大多數元素和一些化合物的俄歇電子能量可以從手冊中查到。 ②俄歇電子