半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流器和氧化亞銅整流器。1931年，蘭治和伯格曼研制成功硒光伏電池。1932年，德國先后研制成功硫化鉛、硒化鉛和碲化鉛等半導體紅外探測器，在二戰中用于偵探飛機和船艦。二戰時盟軍在半導體方面的研究也取得了很大成效，英國就利用紅外探測器多次偵探到了德國的飛機。......閱讀全文
半導體材料的特性要求
半導體材料的特性參數對于材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。晶體管對材料特性的要求 ：根據晶體管的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料制成的晶體管可以工作于更高的頻率（有較好的頻率響應）。晶體缺陷會影響晶體管的特性甚至使其失效。晶體管的工作溫度
寬帶隙半導體材料的特征
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
半導體材料的特性要求
半導體材料的特性參數對于材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。晶體管對材料特性的要求 ：根據晶體管的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料制成的晶體管可以工作于更高的頻率（有較好的頻率響應）。晶體缺陷會影響晶體管的特性甚至使其失效。晶體管的工作溫度
半導體材料的發展現狀
相對于半導體設備市場，半導體材料市場長期處于配角的位置，但隨著芯片出貨量增長，材料市場將保持持續增長，并開始擺脫浮華的設備市場所帶來的陰影。按銷售收入計算，日本保持最大半導體材料市場的地位。然而臺灣、ROW、韓國也開始崛起成為重要的市場，材料市場的崛起體現了器件制造業在這些地區的發展。晶圓制造材料市
寬帶隙半導體材料的特性
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
單晶半導體材料的制備方法
為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響，半導體器件的基體材料一般采用單晶體。單晶制備一般可分大體積單晶(即體單晶)制備和薄膜單晶的制備。體單晶的產量高，利用率高，比較經濟。但很多的器件結構要求厚度為微米量級的薄層單晶。由于制備薄層單晶所需的溫度較低，往往可以得到質量較
低維半導體材料的特征
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，發展納米科學技術的重要目的之一，就是人們能在原子、分子或者納米的尺度水平上來控制和制造功能強大、性能優越的納米電子、光電子器件和電路，納米生物傳感器件等，以造福人類。可以預料，納米科學技術的發展和應用不僅將徹底改變人們的生產和生活方式
半導體材料的主要種類介紹
半導體材料可按化學組成來分，再將結構與性能比較特殊的非晶態與液態半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態與液態半導體。元素半導體 在元素周期表的ⅢA族至IVA族分布著11種具有半導性的元素，下表的黑框中即這11種元素半導體,其中C
半導體材料的特性和參數
半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質后，由于雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。
半導體材料的發展現狀
相對于半導體設備市場，半導體材料市場長期處于配角的位置，但隨著芯片出貨量增長，材料市場將保持持續增長，并開始擺脫浮華的設備市場所帶來的陰影。按銷售收入計算，日本保持最大半導體材料市場的地位。然而臺灣、ROW、韓國也開始崛起成為重要的市場，材料市場的崛起體現了器件制造業在這些地區的發展。晶圓制造材料市
低維半導體材料的特性
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，發展納米科學技術的重要目的之一，就是人們能在原子、分子或者納米的尺度水平上來控制和制造功能強大、性能優越的納米電子、光電子器件和電路，納米生物傳感器件等，以造福人類。可以預料，納米科學技術的發展和應用不僅將徹底改變人們的生產和生活方式
單晶半導體材料的制備方法
具體的制備方法有：①從熔體中拉制單晶：用與熔體相同材料的小單晶體作為籽晶，當籽晶與熔體接觸并向上提拉時，熔體依靠表面張力也被拉出液面，同時結晶出與籽晶具有相同晶體取向的單晶體。②區域熔煉法制備單晶：用一籽晶與半導體錠條在頭部熔接，隨著熔區的移動則結晶部分即成單晶。③從溶液中再結晶。④從汽相中生長單晶
低維半導體材料的定義
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，主要是不想與現在熱炒的所謂的納米襯衣、納米啤酒瓶、納米洗衣機等混為一談！從本質上看，發展納米科學技術的重要目的之一，就是人們能在原子、分子或者納米的尺度水平上來控制和制造功能強大、性能優越的納米電子、光電子器件和電路，納米生物傳感器件
半導體材料的主要種類介紹
半導體材料是半導體工業的基礎，它的發展對半導體技術的發展有極大的影響。半導體材料按化學成分和內部結構，大致可分為以下幾類。1.元素半導體有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。50年代，鍺在半導體中占主導地位，但 鍺半導體器件的耐高溫和抗輻射性能較差，到60年代后期逐漸被硅材料取代。用硅制造的半導體器件，耐高溫
半導體的應用介紹
半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。
半導體的應用介紹
半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。
2024深圳半導體展會|半導體材料展會|半導體設備展會|《入口》
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常用的半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
氦質譜檢漏儀半導體設備及材料檢漏應用
真空設備在半導體行業中的應用愈來愈廣泛，例如真空鍍膜設備（蒸發，濺射），干法雷設備，熱處理設備（合金爐，退火爐），摻雜設備（離子注入機等）這些真空設備作為半導體技術發展不可或缺的條件必將起到越來越重要的作用。 真空設備在半導體行業中的應用愈來愈廣泛，例如真空鍍膜設備（蒸發，濺射），干法雷設備（
氦質譜檢漏儀半導體設備及材料檢漏應用
? ? 真空設備在半導體行業中的應用愈來愈廣泛，例如真空鍍膜設備（蒸發，濺射），干法雷設備（ICP,RIE,PECVD）,熱處理設備（合金爐，退火爐）， 摻雜設備（離子注入機等）這些真空設備作為半導體技術發展不可或缺的條件必將起到越來越重要的作用。? ? 半導體設備及材料需要檢漏原因：1、半導體設備
全國官宣/半導體展會2024半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
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化合物半導體材料的性質
多數化合物半導體都含有一個或一個以上揮發性組元，在熔點時揮發性組元會從熔體中全部分解出來。因此化合物半導體材料的合成、提純和單晶制備技術比較復雜和困難。維持熔體的化學計量比，是化合物半導體材料制備的一個重要條件。
化合物半導體材料的定義
化合物半導體材料是由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質的稱為化合物半導體材料。
化合物半導體材料的分類
化合物半導體材料種類繁多，性質各異，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體及其固溶體材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體(SiC)和氧化物半導體(Cu2O)等。它們中有寬禁帶材料，也有高電子遷移率材料；有直接帶隙材料，也有間接帶隙材料。因此化合物半導體材料比起元素半導體來，有更廣泛的用途。
化合物半導體材料的種類
化合物半導體材料種類繁多，性質各異，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體及其固溶體材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體(SiC)和氧化物半導體(Cu2O)等。它們中有寬禁帶材料，也有高電子遷移率材料；有直接帶隙材料，也有間接帶隙材料。因此化合物半導體材料比起元素半導體來，有更廣泛的用途。
化合物半導體材料的概念
化合物半導體材料是由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質的稱為化合物半導體材料。
如何測量半導體材料的載流子濃度
半導體載流子計算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p為載流子濃度,第一個T為熱力學溫度,E(go)為為熱力學零度時破壞公價鍵所需的能量,k為玻耳茲曼常數. 半導體載流子即半導體中的電流載體。在物理學中，載流子指可以自由移動的帶有電荷
金屬氧化物半導體材料的制備、微分析及應用研究
本論文以氧化鋅稀磁半導體和納米二氧化鈦光催化劑材料為研究對象,針對目前這一領域需要解決的一些問題,將表面微分析技術應用于它們的研究。一方面,探求了制備條件與材料組成、微結構、形貌以及性能的關系；另一方面,研究了載體、外加磁場等對納米二氧化鈦光催化性質的影響,并成功制備了具有實際應用前景的新型陽離子聚
ICPMS分析技術在半導體高純材料分析中的應用
電感耦合等離子體質譜分析法是將電感耦等離子體(ICP)技術和質譜(MS)技術結合起來， 利用等離子體作為離子源，由接口將等離子體中被 電離了的試樣離子引入質譜儀，用質譜儀對離子進行質量分析(按m／Z比值將不同的離子分開)并檢測記錄，根據所得質譜圖進行定性定量分析。具有以下幾個優點：(1)靈敏度高：I
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