美證實二維半導體存在普適吸光規律
以往的研究表明，二維碳薄片石墨烯擁有一個通用的光吸收系數。而據物理學家組織網近日報道，現在，美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室的科學家首次證實，所有的二維半導體也同樣普遍適用于一個類似的簡單吸光規律。他們利用超薄半導體砷化銦薄膜進行的實驗發現，所有的二維半導體，包括受太陽能薄膜和光電器件行業青睞的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，都有一個通用的吸收光子的量子單位，他們稱之為“AQ”。相關研究論文發表在美國《國家科學院學報》上。 從太陽能電池到光電傳感器再到激光器和各類成像設備，許多當今的半導體技術都是基于光的吸收發展起來的。吸光性對于量子阱中的納米尺度結構來說尤為關鍵。量子阱是由帶隙寬度不同的兩種薄層材料交替生長在一起形成的具有量子限制效應的微結構，其中的電荷載流子的運動被限制在一個二維平面上，能帶結構呈階梯狀分布。 “我們使用無需支撐的厚度可減至3納米的砷化銦薄膜作為模型材料系統，來準確地探測二維半導體薄膜的厚度和電子能帶結......閱讀全文
半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
美國發現新型二維半導體材料
近日，美國猶他大學發現一種新型二維半導體材料一氧化錫。據了解，該材料可用于制備計算機處理器和圖形處理器等電子設備內的晶體管，有助于研制出運行速度更快、更加節約能源的智能手機和計算機等電子設備。 當前，電子設備內晶體管的玻璃基板由許多層三維材料構成，如硅材料。其弊端在于當電子通過時，會在所有層內
二維半導體材料家族又有“小鮮肉”
據美國猶他大學官網消息，該校工程師最新發現一種新型二維半導體材料一氧化錫（SnO），這種單層材料的厚度僅為一個原子大小，可用于制備電子設備內不可或缺的晶體管。研究人員表示，最新研究有助于科學家們研制出運行速度更快且能耗更低的計算機和包括智能手機在內的移動設備。 一氧化錫這個“小鮮肉”由猶他大學
半導體式氣體傳感器
它是利用一些金屬氧化物半導體材料，在一定溫度下，電導率隨著環境氣體成份的變化而變化的原理制造的。比如，酒精傳感器，就是利用二氧化錫在高溫下遇到酒精氣體時，電阻會急劇減小的原理制備的。 半導體式氣體傳感器可以有效地用于：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、酒精、甲醛、一氧化碳、二氧化碳、乙烯、乙炔、氯乙烯、
新方法助力二維半導體材料開發
中國科學院院士、北京科技大學教授張躍及北京科技大學教授張錚團隊等提出了一種名為“二維Czochralski（2DCZ）”的方法，該方法能夠在常壓下快速生長出厘米級尺寸、無晶界的單晶二硫化鉬晶疇，這些二硫化鉬單晶展現出卓越的均勻性和高質量，具有極低的缺陷密度。1月10日，相關研究成果發表在《自然—材料
半導體傳感器的相關介紹
每個水分子都具有其自然振動頻率，當它進入半導體晶格的空隙時，就和受到充電激勵的晶格產生共振，其共振頻率與水的摩爾數成正比。水分子的共振能使半導體結放出自由電子，從而使晶格的導電率增大，阻抗減小。利用這一特性設計的半導體露點儀可測到-100℃露點的微量水份。
半導體氣體傳感器的原理
半導體氣體傳感器是利用氣體在半導體表面的氧化還原反應導致敏感元件電阻值發生變化而制成的。當半導體器件被加熱到穩定狀態，在氣體接觸半導體表面而被吸附時，被吸附的分子首先在物體表面自由擴散，失去運動能量，一部分分子被蒸發掉，另一部分殘留分子產生熱分解吸附在物體表面。當半導體的功函數小于吸附分子的親和
半導體壓力傳感器簡介
由半導體壓力敏感元件構成的傳感器。對壓力、應變等機械量進行信息處理的必要條件是把機械量轉換成電學量，這種機-電變換裝置就是壓力傳感器。 半導體壓力傳感器可分為兩類，一類是根據半導體PN結（或肖特基結）在應力作用下,I-υ特性發生變化的原理制成的各種壓敏二極管或晶體管。這種壓力敏感元件的性能很不
有機半導體濕度傳感器概述
導電能力介于金屬和絕緣體之間，具有熱激活電導率且電導率在10-10～100S·cm-1范圍內的有機物。有機半導體可分為有機物、聚合物和給體-受體絡合物三類。有機物類包括芳烴、染料、金屬有機化合物，如紫精、酞菁、孔雀石綠、若丹明B等。聚合物類包括主鏈為飽和類聚合物和共軛型聚合物，如聚苯、聚乙炔、聚
半導體所發現一種新的二維半導體材料——ReS2
最近，中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室由中美聯合培養的博士后Sefaattin Tongay等人在吳軍橋教授、李京波研究員、李樹深院士的團隊中，在二維ReS2 材料基礎研究中取得新進展，發現ReS2 是一種新的二維半導體材料。相關成果發表在2014年2月6日的《自然-通訊》上，
國科大等：二維半導體新成果登上Nature
經過數十年發展，半導體工藝制程已逐漸逼近亞納米物理極限，傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路以實現三維集成技術的突破，已成為國際半導體領域積極探尋的新方向。由于硅基晶體管的現代工藝采用單晶硅表面離子注入的方式，難以實現在一層離子注入的
美證實二維半導體存在普適吸光規律
以往的研究表明，二維碳薄片石墨烯擁有一個通用的光吸收系數。而據物理學家組織網近日報道，現在，美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室的科學家首次證實，所有的二維半導體也同樣普遍適用于一個類似的簡單吸光規律。他們利用超薄半導體砷化銦薄膜進行的實驗發現，所有的二維半導體，包括受太陽能薄膜和光電器件行業青睞的
科學家攻克二維半導體歐姆接觸難題
1月11日，南京大學教授王欣然、施毅帶領國際合作團隊在《自然》上以《二維半導體接觸接近量子極限》為題發表研究成果。該科研團隊通過增強半金屬與二維半導體界面的軌道雜化，將單層二維半導體MoS2的接觸電阻降低至42Ω·μm，超越了以化學鍵結合的硅基晶體管接觸電阻，并接近理論量子極限，該成果解決了二維半導
熱掃描探針光刻技術消除二維半導體材料
?? 二維半導體材料，比如二硫化鉬（MoS2），表現出了諸多新奇的特性，從而使其具有應用于新型電子器件領域的潛力。目前，研究人員常用電子束光刻的方法，在此類僅若干原子層厚的材料表面定域制備圖形化電極，從而研究其電學特性。然而，采用此類方法常遇到的問題之一是二維半導體材料與金屬電極之間為非歐姆接觸，且
國科大等：二維半導體新成果登上Nature
創新方法打破硅基邏輯電路的底層“封印”經過數十年發展，半導體工藝制程已逐漸逼近亞納米物理極限，傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路以實現三維集成技術的突破，已成為國際半導體領域積極探尋的新方向。由于硅基晶體管的現代工藝采用單晶硅表面離
半導體所在二維GaS超薄半導體的基礎研究中取得新進展
最近，中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室博士后楊圣雪、博士生李燕，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的團隊中，在二維GaS超薄半導體的基礎研究中取得新進展。相關成果發表在2014年2月7日英國皇家化學會主辦的《納米尺度》(Nanoscale)上，并被選為“熱點論文”(Hot
半導體式氣體傳感器優缺點
它是利用一些金屬氧化物半導體材料，在一定溫度下，電導率隨著環境氣體成份的變化而變化的原理制造的。比如，酒精傳感器，就是利用二氧化錫在高溫下遇到酒精氣體時，電阻會急劇減小的原理制備的。 半導體式氣體傳感器可以有效地用于：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、酒精、甲醛、一氧化碳、二氧化碳、乙烯、乙炔、氯乙烯、苯乙
半導體氣體傳感器簡介和分類
半導體氣體傳感器是利用半導體氣敏元件作為敏感元件的氣體傳感器，是最常見的氣體傳感器，廣泛應用于家庭和工廠的可燃氣體泄露檢測裝置，適用于甲烷、液化氣、氫氣等的檢測。 分類 對于半導體氣體傳感器，按照半導體與氣體的相互作用是在其表面還是在其內部，可分為表面控制型和體控制型兩種；按照半導體變化的物
二維半導體三維集成研究取得新成果
經過數十年發展，半導體工藝制程不斷逼近亞納米物理極限，但傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路，從而獲得三維集成技術的突破，是國際半導體領域積極探尋的新路徑之一。由于硅基晶體管制備工藝采用單晶硅表面離子注入的方式，較難實現在一層離子注入
新型金屬硫化物二維半導體材料性質探明
近日，中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室博士后楊圣雪、博士生李燕，在研究員李京波、中科院院士李樹深和夏建白等人的指導下，取得二維GaS超薄半導體的基礎研究中新進展，探明了新型超薄金屬硫化物二維半導體材料性質。2月7日，相關成果發表在英國皇家化學會主辦的《納米尺度》上，并被選為熱點論文。
中國科大二維磁性半導體材料研究獲進展
中國科學技術大學國家同步輻射實驗室副研究員閆文盛、孫治湖和劉慶華組成的研究小組在教授韋世強的帶領下，利用同步輻射軟X射線吸收譜學技術，在研究二維超薄MoS2半導體磁性材料的結構、形貌和性能調控中取得重要進展。該研究成果發表在《美國化學會志》上。 二維超薄半導體納米片具有宏觀上的超薄性、透明性
半導體傳感器和電化學傳感器的區別
半導體傳感器因其簡單低價已經得到廣泛應用，但是又因為它的選擇性差和穩定性不理想目前還只是在民用級別使用。而電化學傳感器因其良好的選擇性和高靈敏度被廣泛應用在幾乎所有工業場合。 半導體式氣體傳感器是依據金屬氧化物半導體材料，在空氣中，在遇到當空氣的氧化還原狀態發生變化時，半導體才料的電導率
半導體傳感器和電化學傳感器的區別
半導體傳感器因其簡單低價已經得到廣泛應用，但是又因為它的選擇性差和穩定性不理想目前還只是在民用級別使用。而電化學傳感器因其良好的選擇性和高靈敏度被廣泛應用在幾乎所有工業場合。? ? ??半導體式氣體傳感器是依據金屬氧化物半導體材料，在空氣中，在遇到當空氣的氧化還原狀態發生變化時，半導體才料的電導率會
全球最大規模二維半導體微處理器發布
“雕塑同樣的物品，用豆腐雕刻比用玉石雕刻更難，因為材料的脆弱大大提升了雕刻難度。”復旦大學研究員包文中向記者形象地描述了使用二維半導體與傳統硅基半導體制造微處理器的難度區別。記者2日從該校獲悉，全球首款基于二維半導體材料的32位RISC-V架構微處理器“無極”登上《自然》雜志。“無極”由復旦大學周鵬
具有千個晶體管的二維半導體問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512252.shtm
半導體壓力傳感器的原理簡介
半導體的壓阻效應 半導體具有一種與外力有關的特性，即電阻率（以符號ρ表示）隨所承受的應力而改變，稱為壓阻效應。單位應力作用下所產生的電阻率的相對變化，稱為壓阻系數,以符號π表示。以數學式表示為 墹ρ/ρ=πσ 式中σ表示應力。半導體電阻承受應力時所產生的電阻值的變化(墹R/R)，主要由電阻率
半導體溫度傳感器的優點闡述
利用光纖光柵振動傳感器監測電機振動時同時采用了空分復用和波分復用技術。在光纖光柵振動傳感器工作波長的選擇上采用了波分復用方式，每個振動傳感器的波長各不相同，能夠同時監測多個振動點，即在波長解調時在一個掃描周期內實現多個傳感器的同時測量。由于半導體吸收式溫度傳感器不受振動信號的影響，避免了振動和溫度信
半導體壓力傳感器的結構功能
常用的半導體壓力傳感器選用N 型硅片作為基片。先把硅片制成一定幾何形狀的彈性受力部件，在此硅片的受力部位，沿不同的晶向制作四個P型擴散電阻,然后用這四個電阻構成四臂惠斯登電橋，在外力作用下電阻值的變化就變成電信號輸出。這個具有壓力效應的惠斯登電橋是壓力傳感器的心臟，通常稱作壓阻電橋（如圖1）。壓
上海技物所在二維半導體光電探測研究中取得進展
中國科學院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室胡偉達、王建祿等研究人員在利用鐵電聚合物極化對二維半導體帶隙調控及其高性能光電探測方面取得新進展。相關成果發表在Advanced Materials（Advanced Materials 27, 6575–6581 (2015)，DOI: 10.
我國學者在二維半導體晶圓制造方面取得進展
圖 利用“固-液-固”生長策略制備晶圓級InSe高質量晶膜 在國家自然科學基金項目（批準號：52025023、52322205、52250398）等資助下，北京大學劉開輝教授與合作者在二維硒化銦半導體晶圓制造方面取得進展。相關成果以“用于集成電子學的二維硒化銦晶圓（Two-dimensional