SiC同質外延厚度分析
鈍化層分析 鈍化層作為保護層、絕緣層或抗反射層，在半 導體材料中扮演著重要的角色。 VERTEX 系列 光譜儀是分析鈍化層的理想工具，它可以實 現快速靈敏的無損分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等離子層和Si-O基鈍化層 分析超低K層 e35ad9b02ad0365623d91e444b4bbc4f.jpg 厚度分析 VERTEX 系列光譜儀可用于測量半導體層狀結構 中的層厚度，精度極高。此應用是基于對紅外光 在層狀結構中產生的光干涉效應的分析，可用于 亞微米量級至毫米量級的厚度分析。 用反射或透射實驗分析層厚度。 專用的分析軟件，用于分析復雜的層狀結構。 可選薄膜掃描成像附件，可測量直徑至12”的 硅晶片。 c530d2bc4d39c0072b0c13fd4eb344f6.jpg ......閱讀全文
SiC同質外延厚度分析
鈍化層分析 鈍化層作為保護層、絕緣層或抗反射層，在半 導體材料中扮演著重要的角色。 VERTEX 系列 光譜儀是分析鈍化層的理想工具，它可以實 現快速靈敏的無損分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等離子層和Si-O基鈍化層 分析超低K層
基于簡單的支架的多片4HSiC化學氣相沉積同質外延生長
雖然在商用化學氣相沉積設備中可以在一次運行中實現多片4H－SiC襯底的同質外延生長，但是必須將晶片裝載到可旋轉的大型基座上，這導致基座的直徑隨著數量或者外延晶片總面積的增加而增加。在這項工作中，我們展示了一種簡便的方法，通過自制的常規單晶片化學氣相沉積設備，在沒有大型基座的情況下，在簡單的支架上放置
通過氯化氫化學氣相沉積法對厚4HSiC薄膜同質外延生長...
通過氯化氫化學氣相沉積法對厚4H-SiC薄膜同質外延生長的工藝優化 通過氯化氫化學氣相沉積法對厚4H－SiC薄膜同質外延生長的工藝優化本篇文章中提出了一種通過氯化氫化學氣相沉積（HCVD）在4°切割基板上快速同質外延生長厚的4H－SiC薄膜的工藝優化方法。所使用的氣體是HCl與SiH4，C2H
高壓碳化硅解決方案：改善4HSiC晶圓表面的缺陷問題1
碳化硅(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但盡管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進，這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實，晶圓襯底的表面處理時間越長，則表面缺陷率也會跟著增加。 碳化硅(SiC)兼有寬能帶隙、高電擊穿場強、高熱導率、高
美科學家發明新同質外延自旋電子石墨烯隧道裝置
美國海軍研究實驗室（NRL）的科學家們已經發明出一種新型室溫條件下電子隧道裝置，這種裝置包括的隧道勢壘和傳輸信道都是由石墨烯構成的。這種功能化的同質外延裝置為自旋電子學石墨烯器件的實現提供了一個簡練的方法。其研究結果發表在雜志ACS納米研究報告。 海軍實驗研究所表明氫化石墨烯是以氫原子結束的
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
傅里葉紅外光譜儀在第三代Sic半導體應用
據消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。當前，以碳化硅為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視，不少半導體廠商已率
“第三代半導體的襯底制備及同質外延”項目中期檢查進行
近日，“戰略性先進電子材料”重點專項管理辦公室（簡稱“專項辦”）組織專家在蘇州對“第三代半導體的襯底制備及同質外延”項目進行了中期檢查。 會上，專項辦根據國家重點研發計劃相關管理辦法對中期檢查提出了要求。專家組聽取了項目負責人的工作匯報，審閱了相關技術和財務資料，考察了實施現場，經討論質詢后認
我國學者成功制備超薄碲薄膜及其面內pn結構筑
碲，英文名tellurium，源自拉丁文tellus（意為地球），是自然界中能穩定存在的最重的硫族元素。碲在單質和化合物中具有較強的自旋軌道耦合效應，其化合物是許多新奇物理現象的載體。近期，有關碲結構和性質的理論與實驗研究正在引起研究人員的關注。圖1 碲晶體結構及碲薄膜原子結構示意圖。 最近，
分子束外延（MBE)
分子束外延設備有很多種。但就其主要結構而論是大同小異的。分子束外延的設備較其他外延技術的設備復雜，要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看，當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體，而后是針對Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體，最近正轉向針對Si半導體器件的應用
我國碳化硅器件制造關鍵裝備研發取得重大進展
以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產業是全球戰略競爭新的制高點。SiC器件具有極高的耐壓水平和能量密度，可有效降低能量轉化損耗和裝置的體積重量，滿足電力傳輸、機車索引、新能源汽車、現代國防武器裝備等重大戰略領域對高性能、大功率電力電子器件的迫切需求，被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器
SiCLED研究中取得進展－為我國SiC產業注入新活力
中國科學院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過聯合攻關，在SiC-LED技術路線方面中涉及的核心技術，如SiC單晶襯底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進展，研制出了多種結構的SiC-LED，并封裝成了燈具，完全打通了SiC-LED技術路線，為SiC-LED技術在半導體照明產業領域的推廣打下
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（三）
SiC的高壓肖特基二極管應該是在幾年內在軌道交通中得到引用。而開關管的應用需要更長的系統評估。中車和國網在這方面的持續投入研發為SiC功率器件研究打下了深厚的基礎，是國家第三代半導體器件發展的中堅力量。 現在大家講第三代半導體產業往往關注于電力電子器件和射頻器件的市場，其實第三代半導體
第三代半導體有望寫入下月十四五規劃－成國產替代希望
近日，有媒體報道稱，權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。國信證券研報中指出半導體第三代是指半導體材料的變化，從第一代、
石墨烯怎么制作
石墨烯制作方法：一、機械剝離法機械剝離法是利用物體與石墨烯之間的摩擦和相對運動，得到石墨烯薄層材料的方法。這種方法操作簡單，得到的石墨烯通常保持著完整的晶體結構。2004年，英國兩位科學使用透明膠帶對天然石墨進行層層剝離取得石墨烯的方法，也歸為機械剝離法。二、氧化還原法氧化還原法是通過使用硫酸、硝酸
分子束外延（MBE）裝置
MBE裝置由樣品進樣室、預處理分析室和牛K竄等組成。竄間用閘扳閥隔開，以確保生長室的超高真空與清潔。 根據MBE系統的幾何結構相應地配置真空系統。根據要求，3個室的真空配置的配置泵的系統并非一樣： (1)進樣室。真空度為1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1
單晶半導體材料的制備方法
具體的制備方法有：①從熔體中拉制單晶：用與熔體相同材料的小單晶體作為籽晶，當籽晶與熔體接觸并向上提拉時，熔體依靠表面張力也被拉出液面，同時結晶出與籽晶具有相同晶體取向的單晶體。②區域熔煉法制備單晶：用一籽晶與半導體錠條在頭部熔接，隨著熔區的移動則結晶部分即成單晶。③從溶液中再結晶。④從汽相中生長單晶
單晶半導體材料的制備方法
為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響，半導體器件的基體材料一般采用單晶體。單晶制備一般可分大體積單晶(即體單晶)制備和薄膜單晶的制備。體單晶的產量高，利用率高，比較經濟。但很多的器件結構要求厚度為微米量級的薄層單晶。由于制備薄層單晶所需的溫度較低，往往可以得到質量較
應力誘導曲率對4HSiC－MOS平帶電壓和界面態密度的影響
碳化硅（SiC）上的柵氧化膜會嚴重影響SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的性能。本文作者通過電容 － 電壓（C－V）測試研究了應力／應變引起的曲率對柵氧界面態密度（Dit）的影響。外延晶片的曲率通過薄膜應力測量系統進行測試。在干熱氧化過程中，壓縮／拉伸曲率導致SiO2
SIC2016“藥品分析檢測技術及其發展論壇”邀請函
“科學儀器服務民生學術大會（SIC2016）”— “藥品分析檢測技術及其發展論壇” 邀 請 函 各有關單位： 中國儀器儀表學會主辦的“第27屆中國國際測量控制與儀器儀表展覽會（MICONEX2016）”將于2016年9月21日-24日在北京.中國國際展覽中心(新館)隆重
SIC2016“藥品分析檢測技術及其發展論壇”邀請函
“科學儀器服務民生學術大會（SIC2016）”— “藥品分析檢測技術及其發展論壇” 邀 請 函 各有關單位： 中國儀器儀表學會主辦的“第27屆中國國際測量控制與儀器儀表展覽會 （MICONEX2016）”將于2016年9月21日-24日在北京.中國國際展覽中心(新館)隆重舉行,同期舉辦
碳化硅－(SiC)：歷史與應用
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用。利用當代技術，人們已使用SiC 開發出高質量的工業級陶瓷。這些陶瓷
微電子所在石墨烯電子器件研制上獲得整體突破
石墨烯材料具有優良的物理特性和易于與硅技術相結合的特點，被學術界和工業界認為是推進微電子技術進一步發展的極具潛力的材料。日前，中國科學院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）石墨烯研究小組成員(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究員和劉新宇研究員的帶領下，分別在采用微機械剝離方
分子束外延（MBE）的特點
（1）生長速率極慢，大約1um/小時，相當于每秒生長一個單原子層，因此有利于實現精確控制厚度、結構與成分和形成陡峭的異質結構等。實際上是一種原子級的加工技術，因此MBE特別適于生長超晶格材料。 （2）外延生長的溫度低，因此降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應和襯底雜質對外延層的自摻雜擴散影響。
分子束外延要點解析
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)簡介 在超高真空環境下， 使具有一定熱能的一種或多種分子 (原子) 束流噴射到晶體襯底 ，在襯底表面發生反應的過程，由于分子在 "飛行"過程中幾乎與環境氣體無碰撞 ，以分 子束的形式射向襯底 ，進行外延生長， 故此而得名。
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（二）
最近接連有消息報道，在美國和歐洲，氮化鎵和碳化硅技術除了在軍用雷達領域和航天工程領域得到了應用，在電力電子器件市場也有越來越廣泛的滲透。氮化鎵/碳化硅技術與傳統的硅技術相比，有哪些獨特優勢？ 大家最近都在談論摩爾定律什么時候終結？硅作為半導體的主要材料在摩爾定律的規律下已經走過了50多
石墨烯主要制備方法
1、微機械剝離法方法：用光刻膠將其粘到玻璃襯底上，再用透明膠帶反復撕揭，然后將多余的高定向熱解石墨去除并將粘有微片的玻璃襯底放入丙酮溶液中進行超聲，最后將單晶硅片放入丙酮溶劑中，利用范德華力或毛細管力將單層石墨烯“撈出”。缺點：產物尺寸不易控制，無法可靠地制備出長度足夠的石墨烯，不能滿足工業化需求。
基體厚度
磁性測厚儀測量精度不準因素有哪些？磁性測厚儀測量精度不準因素主要有：基體金屬磁性、基體厚度、邊緣效應、曲率、表面粗糙度、外界磁場、附著物質、測頭壓力、測頭位置、試樣的變形等。⒈ 基體金屬磁性磁性法測厚受基體金屬磁性變化的影響（在實際應用中，低碳鋼磁性的變化可以認為是輕微的），為了避免熱處理及冷加工因
什么是同質結與異質結
1、同質結就是同一種半導體形成的結，包括pn結、pp結、nn結。2、異質結是一種特殊的PN結，由兩層以上不同的半導體材料薄膜依次沉積在同一基座上形成，這些材料具有不同的能帶隙，它們可以是砷化鎵之類的化合物，也可以是硅-鍺之類的半導體合金。半導體異質結構的二極管特性非常接近理想二極管。另外，通過調節半
影響分子束外延（MBE）的因素
1、外延溫度 為了引起外延，基片的溫度應達到某一溫度值，即有必要加熱到外延溫度以上，當溫度低于外延溫度時則不能引起外延。而且外延溫度還與其他條件有關，不同條件下的外延溫度是不同的。 2、基片結晶的臂開 在過去的常規研究方面，基片結晶是在大氣下臂開(機械折斷產生結晶面)而后放入真空裝置中來制