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  • 俄歇躍遷

    對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發,內層 電子被 電離, 留下一個空穴。 此時原子處于激發態, 不穩定。 較高能級上的一個電子降落到內層能級的空位中去,同時放出多余的能量。 這些能量可以作為光子發射特征射線,也可以轉移給第三個電子并使之發射出來。 這就是俄歇電子。 通常用射線能級來標志俄歇躍遷。 例如KL1L2俄歇電子就是表示最初K能級被電離,L1能級的電子填入K能級空位,多余的能量傳給了L2能級上 的一個電子,并使之發射出來。......閱讀全文

    俄歇躍遷

    對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發,內層 電子被 電離, 留下一個空穴。 此時原子處于激發態, 不穩定。 較高能級上的一個電子降落到內層

    俄歇電子的產生和俄歇電子躍遷過程

    一定能量的電子束轟擊固體樣品表面,將樣品內原子的內層電子擊出,使原子處于高能的激發態。外層電子躍遷到內層的電子空位,同時以兩種方式釋放能量:發射特征X射線;或引起另一外層電子電離,使其以特征能量射出固體樣品表面,此即俄歇電子。俄歇躍遷的方式不同,產生的俄歇電子能量不同。上圖所示俄歇躍遷所產生的俄歇電

    關于俄歇電子能譜的躍遷介紹

      俄歇電子能譜的躍遷,對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發,內層 電子被 電離, 留下一個空穴。 此時原子處于激發態, 不穩定。 較高能

    俄歇躍遷幾率及熒光幾率與原子序數的關系

    對于Z≤14的元素,采用KLL俄歇電子分析;14

    俄歇復合

    俄歇復合是半導體中一個類似的俄歇現象:一個電子和空穴(電子空穴對)可以復合并通過在能帶內發射電子來釋放能量,從而增加能帶的能量。其逆效應稱作碰撞電離。

    俄歇效應簡介

    俄歇效應(Auger effect)是原子發射的一個電子導致另一個或多個電子(俄歇電子)被發射出來而非輻射X射線(不能用光電效應解釋),使原子、分子成為高階離子的物理現象,是伴隨一個電子能量降低的同時,另一個(或多個)電子能量增高的躍遷過程。“俄歇效應”是以其發現者,法國人皮埃爾·維克托·俄歇(Pi

    關于俄歇電子能譜的俄歇電流的基本介紹

      俄歇電子能譜的俄歇電流,從純凈固體表面測得的俄歇電流大約是10-5Ip,Ip是入射電子束流。 俄歇電流原則上可以通過估計電離截面來計算,但由于受多種因子的影響。 計算很復雜,并與實驗符合得不好。 在實際測量時,為了使俄歇電流達到最大,必須選擇適當的EP/EW比例。EP是入射電子的能量,EW是最初

    俄歇表面分析(4)

    俄歇表面分析俄歇電子在固體中運行也同樣要經歷頻繁的非彈性散射,能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產生的俄歇電子,這些電子的能量大體上處于 10~500電子伏,它們的平均自由程很短,大約為5~20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源,電子束可以聚焦、

    俄歇電子能譜

    俄歇電子能譜(Auger electron spectroscopy,簡稱AES),是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脫出來的

    俄歇分析的選擇

    Z<15的輕元素的K系俄歇電子以及所有元素的L系和M系俄歇電子產額都很高。由此可見,俄歇電子能譜對輕元素的檢測特別敏感和有效。

    俄歇電子能譜

    俄歇電子能譜簡稱AES,是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脫出來的電子稱為俄歇電子。1953年,俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用

    俄歇效應研究應用

    1953 年,蘭德首次進行了俄歇電子能譜用于表面分析的研究。到1967年哈里斯采用電子能量微分法,使電子能量分布曲線上的俄歇譜峰通本底區分開來,才使得俄歇效應的應用走上實用階段。圖1 俄歇電子能譜儀基于俄歇效應的俄歇電子能譜儀是一種實用較廣的表面分析儀器?[1]??,它靠檢測自表面逸出的俄歇電子的特

    俄歇效應作用

    俄歇效應作用是研究核子過程(如捕捉過程與內轉換過程)的重要手段。同時從俄歇電子的能量與強度,可以求出原子或分子中的過渡幾率。反之,由已知能量的俄歇光譜線,可以校準轉換電子的能量。按照這一效應,已制成俄歇電子譜儀,在表面物理、化學反應動力學、冶金、電子等的領域內進行著高靈敏度的檢測與快速分析。

    俄歇電子產額

    俄歇電子產額或俄歇躍遷幾率決定俄歇譜峰強度,直接關系到元素的定量分析。俄歇電子與特征X射線是兩個互相關聯和競爭的發射過程。對同一K層空穴,退激發過程中熒光X射線與俄歇電子的相對發射幾率,即熒光產額(PX)和俄歇電子產額(PA )滿足 PX + PA =1

    什么是俄歇復合

    電子和空穴復合時將多余的能量傳給另一導帶中的電子或空穴(實際上是傳給加帶中的另一電子),這種形式并不伴隨發射光子,成為俄歇復合。獲得能量的另一載流子再將能量已聲子的形式釋放出去,回到原來的能量水平。

    俄歇電子能譜(2)

    基本原理物理原理入射電子束和物質作用,可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量,可能以X光的形式放出,即產生特征X射線,也可能又使核外另一電子激發成為自由電子,這種自由電子就是俄歇電子。俄歇電子和X射線產額入射電子束和物質作用,可以激發出原子的內層電子。外層電子

    俄歇電子譜應用方向

    1、通過俄歇電子譜研究化學組態:原子“化學環境”指原子的價態或在形成化合物時,與該(元素)原子相結合的其它(元素)原子的電負性等情況。2、定性分析:對于特定的元素及特定的俄歇躍遷過程,其俄歇電子的能量是特征的。由此,可根據俄歇電子的動能來定性分析樣品表面物質的元素種類。3、定量分析或半定量分析:俄歇

    掃描俄歇微探針(SAM)

       掃描俄歇微探針(SAM);    基本功能:   (1)可進行樣品表面的微區選點分析(包括點分析,線分析和面分析);   (2)可進行深度分析;   (3)化學價態研究    用途:   納米薄膜材料,微電子材料的表 面和界面研究及摩擦化學研究。

    掃描俄歇微探針(SAM)

       掃描俄歇微探針(SAM);    基本功能:   (1)可進行樣品表面的微區選點分析(包括點分析,線分析和面分析);   (2)可進行深度分析;   (3)化學價態研究    用途:   納米薄膜材料,微電子材料的表 面和界面研究及摩擦化學研究。

    俄歇效應發現過程

    奧地利科學家Lise Meitner在1920年首先觀察到俄歇過程。1925年,Pierre Victor Auger在Wilson云室實驗中采用高能X射線來電離氣體,并觀察到了光電子。對電子的測量分析表明其軌跡與入射光子的頻率無關,這表明電子電離的機制是原子內部能量交換或無輻射躍遷;運用基本量子力

    俄歇電子能譜儀

    俄歇電子能譜儀(Auger Electron Spectroscopy,AES),作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是:在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高;數據分析速度快;能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段,但現在它已成為常規分析

    俄歇電子能譜(1)

    俄歇電子能譜(Auger electron spectroscopy,簡稱AES),是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脫出

    俄歇效應的相關介紹

      俄歇效應是原子發射的一個電子導致另一個或多個電子(俄歇電子)被發射出來而非輻射X射線(不能用光電效應解釋),使原子、分子成為高階離子的物理現象,是伴隨一個電子能量降低的同時,另一個(或多個)電子能量增高的躍遷過程。以法國人Pierre Victor Auger的名字命名。  當X射線或γ射線輻射

    俄歇電子能譜(3)

    俄歇躍遷對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發,內層 電子被 電離, 留下一個空穴。 此時原子處于激發態, 不穩定。 較高能級上的一

    俄歇電子能譜儀AES(PHI700Xi)掃描俄歇納米探針

    PHI的700Xi掃描俄歇電子能譜儀(AES) 提供高性能的掃描俄歇電子(AES) 頻譜分析,俄歇成像和濺射深度分析的復合材料包括:納米材料,催化劑,金屬和電子設備。維持基于PHI?CMA的核心俄歇儀器性能,和響應了用戶所要求以提高二次電子(SE)成像性能和高能量分辨率光譜。PHI的同軸鏡分析儀(C

    平行俄歇電子分析儀

    俄歇電子能譜(AES)是目前用于固體最表層原子元素標識的一種方法,對于許多先進電子設備的研發至關重要,而且也廣泛應用于從氣相化學到納米結構表征等多個領域。現有AES硬件仍存在著笨重、昂貴、速度慢等問題,而且需要超高真空環境來實現分析功能。英國約克大學研制的分析儀可在一秒鐘內捕捉到全部俄歇光譜。

    平行俄歇電子分析儀

    俄歇電子能譜法(AES)是一種了解固體原子層面特性的方法,這一方法對開發許多最先進的電子設備至關重要,已經成功應用于從氣相化學到納米結構特性的廣泛領域。?

    俄歇電子像的功能介紹

    中文名稱俄歇電子像英文名稱Auger electron image定  義在掃描電子顯微鏡中,用俄歇電子所成的像。應用學科機械工程(一級學科),光學儀器(二級學科),電子光學儀器-電子光學儀器一般名詞(三級學科)

    關于俄歇效應的作用介紹

      俄歇效應作用是研究核子過程(如捕捉過程與內轉換過程)的重要手段。同時從俄歇電子的能量與強度,可以求出原子或分子中的過渡幾率。反之,由已知能量的俄歇 光譜線,可以校準轉換電子的能量。按照這一效應,已制成俄歇電子譜儀,在表面物理、 化學反應動力學、冶金、電子等的領域內進行著高靈敏度的檢測與快速分析。

    俄歇電子像的功能介紹

    中文名稱俄歇電子像英文名稱Auger electron image定  義在掃描電子顯微鏡中,用俄歇電子所成的像。應用學科機械工程(一級學科),光學儀器(二級學科),電子光學儀器-電子光學儀器一般名詞(三級學科)

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